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從數(shù)十年前被發(fā)明以來(lái)，MOS 晶體管的尺寸已經(jīng)被大大縮小。門氧化層厚度、通道長(zhǎng)度和寬度的降低，推動(dòng)了整體電路尺寸和功耗的大大減少。由于門氧化物厚度的減小，最大可容許電源電壓降低，而通道長(zhǎng)度和寬度的縮減則縮小了產(chǎn)品的外形并加快了其速度性能。這些改進(jìn)推動(dòng)了高頻率 CMOS 軌到軌輸入 / 輸出放大器的性能發(fā)展，以滿足當(dāng)今系統(tǒng)設(shè)計(jì)者對(duì)于某種新型模擬電路日益增加的需求，這種電路必須能夠以和數(shù)字電路同樣低的電源電壓進(jìn)行工作。本應(yīng)用筆記解答了有關(guān)最新一代 CMOS 軌到軌放大器的一些獨(dú)特問(wèn)題。文章一開(kāi)始大致討論并講述了傳統(tǒng)電壓反饋和電流反饋放大器電路的拓?fù)?，以及?dǎo)致反饋放大器振蕩的最常見(jiàn)原因。為了方便分析和討論，我們將 CMOS 軌到軌放大器電路分成 4 大塊：輸入、中間增益、輸出和反饋網(wǎng)絡(luò)階段。文中將展示每個(gè)階段受頻率影響的增益和相位移，隨后展示并討論一個(gè)包含了所有 4 大基本電路區(qū)塊的完整系統(tǒng)仿真。而第二部分則將展示并討論三種用于解決放大器振蕩問(wèn)題的使用方案的機(jī)制、各方面的折衷和優(yōu)勢(shì)。
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