本文重點介紹近些年微波電路設(shè)計取得的進(jìn)步，這意味著現(xiàn)在采用硅芯片技術(shù)中的低相位噪聲 VCO 可以覆蓋一個倍頻程范圍。在這樣的 IC 上集成輸出分頻器可以支持幾個低頻倍頻程范圍，輸出集成倍頻器則支持單個 IC 生成高達(dá) 32 GHz 的頻率。隨著小數(shù) N 分頻 PLL 頻率合成器技術(shù)的進(jìn)步，現(xiàn)在微波頻率范圍 rms 抖動可低至 60fs，具備無限小的頻率分辨率和極小的雜散信號。低插入損耗寬帶濾波器可以和這些集成 PLL/VCO IC 配合使用，以提高整個系統(tǒng)的頻譜性能，大大降低了微波和毫米波本地振蕩器帶來的相關(guān)挑戰(zhàn)。

　　簡介

　　本地振蕩器（LO）是現(xiàn)代通信、汽車、工業(yè)和儀器儀表應(yīng)用中的關(guān)鍵組件。無論從基帶到 RF 實施上變頻還是反過來的下變頻，為汽車?yán)走_(dá)、材料檢測應(yīng)用生成掃頻，或者為上述應(yīng)用電路的構(gòu)建和測試而開發(fā)儀器儀表，我們生活的很多方面都存在 LO。電路和工藝技術(shù)的進(jìn)步已幫助降低了此類電路的成本、復(fù)雜性和面積；與過去需要更廣泛地混合使用有源和無源技術(shù)相比，現(xiàn)代集成電路大大降低了 LO 的設(shè)計難度。過去，適用于 GSM 等 2G 通信應(yīng)用的大部分 LO 都使用與 ADI 公司的 ADF4106 類似的整數(shù) N 分頻 PLL，以及窄帶 T 封裝 VCO（例如 VCO190-1846T）。在大多數(shù)情況下，這些 VCO 的高品質(zhì)因素（Q）使其非常易于滿足該嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)下的相位噪聲規(guī)格。那時的手機一般只支持一種無線標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)本身的數(shù)據(jù)速率也有限（雖然 2G 網(wǎng)絡(luò)出色的覆蓋率幫助手機獲得了廣泛的市場認(rèn)可）。基站 LO 一般是使用多種 IC 和 VCO 子模塊組合而成的模塊，如圖 1 所示。