資料介紹
對(duì)于大功率工業(yè)系統(tǒng)(如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和光伏逆變器)以及汽車系統(tǒng)(包括電動(dòng)汽車 (EV) 充電器、牽引逆變器、車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器)而言,故障檢測(cè)機(jī)制必不可少。
故障檢測(cè)通過(guò)電流、電壓和溫度測(cè)量來(lái)診斷系統(tǒng)內(nèi)的任何交流電源線波動(dòng)、機(jī)械或電氣過(guò)載。在檢測(cè)到故障事件后,主機(jī)微控制器 (MCU) 會(huì)執(zhí)行保護(hù)動(dòng)作,例如關(guān)閉或修改功率晶體管的開(kāi)關(guān)特性或使斷路器跳閘。
為了提高效率并減小系統(tǒng)尺寸,設(shè)計(jì)人員正從絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 改用寬帶隙碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 開(kāi)關(guān)晶體管,從而實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度 (>100kHz) 和更短的耐受時(shí)間 (<5μs)。
要保護(hù)功率開(kāi)關(guān)晶體管免受故障條件的影響,首先要使用基于分流器或基于霍爾效應(yīng)的解決方案來(lái)檢測(cè)過(guò)流情況。雖然基于霍爾效應(yīng)的解決方案支持單模塊方法,但它們的測(cè)量精度很低,尤其在溫度升高的情況下…
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