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滿足電壓跟蹤要求的簡(jiǎn)單設(shè)備

2076311 2022-11-18 | pdf | 131.16KB | 次下載 | 免費(fèi)

資料介紹

在高功率、多電壓系統(tǒng)中，通常需要在上電和斷電期間跟蹤電源電壓。這可以防止閉鎖情況，閉鎖情況會(huì)導(dǎo)致立即損壞或什至是導(dǎo)致現(xiàn)場(chǎng)故障的潛在損壞。在高功率、多電壓系統(tǒng)中，通常需要在上電和斷電期間跟蹤電源電壓。這可以防止閉鎖情況，閉鎖情況會(huì)導(dǎo)致立即損壞或什至是導(dǎo)致現(xiàn)場(chǎng)故障的潛在損壞。簡(jiǎn)單的分立二極管可以在簡(jiǎn)單的應(yīng)用中施加必要的跟蹤，但二極管不足以用于包含兩個(gè)以上電源電壓的更復(fù)雜的系統(tǒng)。最先進(jìn)的 ASIC 中不斷增加的電流水平需要更大的外部二極管來管理功耗，對(duì)于低成本二極管，這意味著更高的正向電壓和更大的功耗。簡(jiǎn)單的分立二極管可以在簡(jiǎn)單的應(yīng)用中施加必要的跟蹤，但二極管不足以用于包含兩個(gè)以上電源電壓的更復(fù)雜的系統(tǒng)。最先進(jìn)的 ASIC 中不斷增加的電流水平需要更大的外部二極管來管理功耗，對(duì)于低成本二極管，這意味著更高的正向電壓和更大的功耗。一種簡(jiǎn)單的電壓跟蹤解決方案是使用具有電壓輸出的穩(wěn)壓器，這些電壓輸出旨在在上電期間相互跟蹤。此類穩(wěn)壓器足以上電，但系統(tǒng)通常還需要在系統(tǒng)關(guān)閉時(shí)跟蹤下降的電源電壓。停機(jī)期間的另一個(gè)重要考慮因素是需要對(duì)大電容器進(jìn)行放電，以防止電流無意中流過關(guān)鍵 IC。因此，能夠在上電和斷電過程中控制電壓非常重要。一種簡(jiǎn)單的電壓跟蹤解決方案是使用具有電壓輸出的穩(wěn)壓器，這些電壓輸出旨在在上電期間相互跟蹤。此類穩(wěn)壓器足以上電，但系統(tǒng)通常還需要在系統(tǒng)關(guān)閉時(shí)跟蹤下降的電源電壓。停機(jī)期間的另一個(gè)重要考慮因素是需要對(duì)大電容器進(jìn)行放電，以防止電流無意中流過關(guān)鍵 IC。因此，能夠在上電和斷電過程中控制電壓非常重要。因此，不僅在開啟期間需要電源電壓跟蹤，而且還用于確定電源開啟的速度以及檢測(cè)到故障時(shí)發(fā)生的情況。因此，不僅在開啟期間需要電源電壓跟蹤，而且還用于確定電源開啟的速度以及檢測(cè)到故障時(shí)發(fā)生的情況。簡(jiǎn)單、低成本的方法簡(jiǎn)單、低成本的方法也許最簡(jiǎn)單的電壓跟蹤方法是同時(shí)打開兩個(gè)外部傳輸元件（也許最簡(jiǎn)單的電壓跟蹤方法是同時(shí)打開兩個(gè)外部傳輸元件（圖 1圖 1）。該應(yīng)用電路監(jiān)控兩個(gè)電壓，并在導(dǎo)通時(shí)激活電荷泵以完全增強(qiáng)（導(dǎo)通）兩個(gè)外部 n 溝道 MOSFET。如果輸出從未通電狀態(tài)開始，則電壓幾乎與柵源增強(qiáng)同時(shí)開啟。由于兩個(gè)外部 MOSFET 之間的偏移，可能存在輕微的電壓差，但同一封裝中的雙 n 溝道 MOSFET 可能會(huì)產(chǎn)生相當(dāng)小的偏移。）。該應(yīng)用電路監(jiān)控兩個(gè)電壓，并在導(dǎo)通時(shí)激活電荷泵以完全增強(qiáng)（導(dǎo)通）兩個(gè)外部 n 溝道 MOSFET。如果輸出從未通電狀態(tài)開始，則電壓幾乎與柵源增強(qiáng)同時(shí)開啟。由于兩個(gè)外部 MOSFET 之間的偏移，可能存在輕微的電壓差，但同一封裝中的雙 n 溝道 MOSFET 可能會(huì)產(chǎn)生相當(dāng)小的偏移。圖 1. 這種開環(huán)電壓跟蹤器使用單個(gè)電荷泵同時(shí)開啟兩個(gè)電壓。圖 1. 這種開環(huán)電壓跟蹤器使用單個(gè)電荷泵同時(shí)開啟兩個(gè)電壓。該電路提供了一種成本相對(duì)較低的“偽”開環(huán)電壓跟蹤器，適用于各種簡(jiǎn)單應(yīng)用。今天的一些 IC 提供了監(jiān)控電源電壓的能力，并且還集成了一個(gè)可用于此跟蹤功能的內(nèi)部電荷泵。例如，該電路提供了一種成本相對(duì)較低的“偽”開環(huán)電壓跟蹤器，適用于各種簡(jiǎn)單應(yīng)用。