使用合適的柵極驅(qū)動(dòng)器電源轉(zhuǎn)換器最大限度地提高功率器件控制效率
2022-11-24 |
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資料介紹
從電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器到充電站和無數(shù)其他應(yīng)用,硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) MOSFET 以及絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 等開關(guān)功率半導(dǎo)體是高效電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。然而,要實(shí)現(xiàn)功率器件的最大性能,需要合適的柵極驅(qū)動(dòng)器。從電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器到充電站和無數(shù)其他應(yīng)用,硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) MOSFET 以及絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 等開關(guān)功率半導(dǎo)體是高效電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。然而,要實(shí)現(xiàn)功率器件的最大性能,需要合適的柵極驅(qū)動(dòng)器。顧名思義,該組件的作用是驅(qū)動(dòng)功率器件柵極,從而快速、清晰地將其置于或退出導(dǎo)電模式。這樣做需要驅(qū)動(dòng)器能夠提供/吸收足夠的電流,而不管負(fù)載(柵極)處的內(nèi)部設(shè)備和雜散(寄生)電容、電感和其他問題。因此,提供具有適當(dāng)關(guān)鍵屬性的適當(dāng)尺寸的柵極驅(qū)動(dòng)器對于實(shí)現(xiàn)功率器件的全部潛力和效率至關(guān)重要。然而,為了充分利用柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)人員必須特別注意獨(dú)立于功率器件直流軌的驅(qū)動(dòng)器直流電源。該電源與傳統(tǒng)電源類似,但有一些重要區(qū)別。它可以是單極電源,但在許多情況下,它是非對稱雙極電源,以及其他功能和結(jié)構(gòu)差異。設(shè)計(jì)人員還必須注意電路板占位面積和薄型要求方面的外形因素,以及與設(shè)計(jì)的預(yù)期組裝和制造工藝的兼容性。顧名思義,該組件的作用是驅(qū)動(dòng)功率器件柵極,從而快速、清晰地將其置于或退出導(dǎo)電模式。這樣做需要驅(qū)動(dòng)器能夠提供/吸收足夠的電流,而不管負(fù)載(柵極)處的內(nèi)部設(shè)備和雜散(寄生)電容、電感和其他問題。因此,提供具有適當(dāng)關(guān)鍵屬性的適當(dāng)尺寸的柵極驅(qū)動(dòng)器對于實(shí)現(xiàn)功率器件的全部潛力和效率至關(guān)重要。然而,為了充分利用柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)人員必須特別注意獨(dú)立于功率器件直流軌的驅(qū)動(dòng)器直流電源。該電源與傳統(tǒng)電源類似,但有一些重要區(qū)別。它可以是單極電源,但在許多情況下,它是非對稱雙極電源,以及其他功能和結(jié)構(gòu)差異。設(shè)計(jì)人員還必須注意電路板占位面積和薄型要求方面的外形因素,以及與設(shè)計(jì)的預(yù)期組裝和制造工藝的兼容性。本文將重點(diǎn)介紹柵極驅(qū)動(dòng)器的電源,以本文將重點(diǎn)介紹柵極驅(qū)動(dòng)器的電源,以Murata Power Solutions Murata Power Solutions MGJ2 系列MGJ2 系列2 瓦柵極驅(qū)動(dòng)直流/直流轉(zhuǎn)換器中的表面貼裝器件 (SMD) 直流/直流電源為例。2 瓦柵極驅(qū)動(dòng)直流/直流轉(zhuǎn)換器中的表面貼裝器件 (SMD) 直流/直流電源為例。從開關(guān)設(shè)備開始從開關(guān)設(shè)備開始要了解柵極驅(qū)動(dòng)器 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的作用和所需屬性,首先要了解開關(guān)器件。對于作為開關(guān)器件的 MOSFET,柵源路徑用于控制器件的關(guān)斷或?qū)顟B(tài)(IGBT 類似)。當(dāng)柵源電壓小于閾值電壓(V 要了解柵極驅(qū)動(dòng)器 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的作用和所需屬性,首先要了解開關(guān)器件。對于作為開關(guān)器件的 MOSFET,柵源路徑用于控制器件的關(guān)斷或?qū)顟B(tài)(IGBT 類似)。當(dāng)柵源電壓小于閾值電壓(V GSGS < V < V
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