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IGBT在MOSFET基礎(chǔ)上升級，市場空間增速快。IGBT作為半導(dǎo)體功率器件中的全控器件，由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應(yīng) 管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，有MOSFET的高輸入阻抗和GTR 的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。 IGBT的開關(guān)特性可以實(shí)現(xiàn)直流電和交流電之間的轉(zhuǎn)化或者改變電流的頻率，有逆變和變頻的作用，其應(yīng)用領(lǐng)域極其廣泛。 碳化硅具有較高的能量轉(zhuǎn)換效率，不會(huì)隨著頻率的提高而降低，碳化硅器件的工作頻率可以達(dá)到硅基器件的10倍，相同規(guī)格的碳化硅基 MOSFET總能量損耗僅為硅基IGBT的30%。碳化硅材料將在高溫、高頻、高頻領(lǐng)域逐步替代硅，在5G通信、航空航天、新能源汽車、智能電 網(wǎng)領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
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