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氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬且在機(jī)械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電 阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。 氮化鎵晶體可以在各種襯底上生長，包括藍(lán)寶石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生長氮化鎵（GaN）外延層可以使用現(xiàn)有的硅制造基礎(chǔ)設(shè)施，從而 無需使用高成本的特定生產(chǎn)設(shè)施，而且以低成本采用大直徑的硅晶片。 GaN power semiconductor 2023 predictions一文有所論述，2023年對(duì)氮化鎵（GaN）系統(tǒng)的預(yù)測(cè)，囊括了功率半導(dǎo)體的供應(yīng)鏈對(duì)數(shù)據(jù)中心和新能源汽車與日俱 增的可持續(xù)性監(jiān)管。該文表示我們正處于功率氮化鎵（GaN）技術(shù)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，隨著電動(dòng)化大趨勢(shì)的到來和越來越多的包含半導(dǎo)體產(chǎn)品的出現(xiàn)，經(jīng)濟(jì)的贏家 和輸家主要取決于那些能夠更好管理其供應(yīng)鏈的人，這些供應(yīng)鏈不僅能夠?yàn)槠髽I(yè)和消費(fèi)者生產(chǎn)現(xiàn)有產(chǎn)品，還能在不久的將來點(diǎn)燃創(chuàng)新之火。
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