資料介紹
在PN結兩端不外加電壓時,P型半導體區(qū)大量可自由移動的空穴和N型半導體區(qū)內的大量電子將因為濃度差向對方區(qū)間擴散,擴散電流的方向為由P流向N,其幅值與負濃度差成正比,之后在PN結附近P型區(qū)將出現(xiàn)由無法自由移動的負離子組成的帶負電的區(qū)域和N型區(qū)的正離子組成的帶正電的區(qū)域,兩個區(qū)域統(tǒng)稱為空間電荷區(qū),也稱耗盡層??臻g電荷區(qū)內將出現(xiàn)由N型區(qū)指向P型區(qū)的電場,稱為內建電場。內建電場對自由電子和空穴作用力形成漂移運動,漂移電流方向為由N流向P,與擴散運動方向相反,其幅值與擴散電場的電場強度成正比。當空間電荷區(qū)達到一定的寬度時,漂移電流等于擴散電流,流過PN結的電流為零。PN結處于動態(tài)平衡,空間電荷區(qū)寬度穩(wěn)定,
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