資料介紹
DGD2103 和 DGD2104 是高邊/低邊柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,能夠驅(qū)動(dòng) 600V MOSFET /IGBT被設(shè)計(jì)為引腳對引腳,功能兼容,可直接替代分別為IRS2103和IRS2104。但是,對于使用舊版IR2103或IR2104的應(yīng)用,可能會(huì)有需要對BOM進(jìn)行微小的更改,以最好地匹配柵極驅(qū)動(dòng)器的響應(yīng)。
DGD2103/DGD2104與IR2103/IR2104的區(qū)別從應(yīng)用的角度來看,規(guī)格上最顯著的差異是上升/下降和輸出
電流能力如下表1所示。


更快的柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 將更快地導(dǎo)通和關(guān)斷 MOSFET/IGBT。在某些應(yīng)用程序中,這將由于開關(guān)損耗更低,因此轉(zhuǎn)換為更高效的系統(tǒng)。但在某些驅(qū)動(dòng)電路中,速度越快dV/dt 和 dI/dt 可能導(dǎo)致更多的過沖,并可能導(dǎo)致更大的 –VS 下沖,可能導(dǎo)致電路無法正常工作。因此,要在 IR2103/IR2104 申請中使用 DGD2103/DGD2104,并且如果打算具有與IR2103/IR2104類似的柵極驅(qū)動(dòng),則需要增加?xùn)艠O電阻以減慢驅(qū)動(dòng)信號。
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