理想的二極管通常具有低正向壓降、高反向截止電壓、零漏電流和低寄生電容，從而 幫助實現(xiàn)高開關(guān)速度?？紤]正向壓降時，導(dǎo)致整體壓降VF的因素主要有兩個（如圖1 所示）：結(jié)點處的壓降（恢復(fù)整流二極管和齊納二極管為p-n結(jié)，肖特基整流二極管 為金屬-半導(dǎo)體結(jié)）；以及漂移區(qū)的壓降。p-n結(jié)的正向壓降在本質(zhì)上由內(nèi)置電壓決 定，因而主要由所選半導(dǎo)體及其摻雜質(zhì)決定。另一方面，肖特基勢壘整流二極管中金 屬-半導(dǎo)體界面的正向壓降可通過選擇肖特基金屬來修改，而肖特基勢壘就是半導(dǎo)體 的金屬功函數(shù)和電子親合能之差。通過使用具有低金屬功函數(shù)的肖特基金屬，可最大 限度減少金屬半導(dǎo)體界面的壓降。但是，結(jié)點處的正向壓降和肖特基整流二極管的漏 電流之間存在權(quán)衡關(guān)系，因為漏電流的級別也由肖特基勢壘和金屬半導(dǎo)體界面的電場 決定。除了該權(quán)衡，為實現(xiàn)高反向截止電壓，當漂移區(qū)的厚度增加時，結(jié)點處低壓降 的優(yōu)勢可能會消失。因此，肖特基整流二極管的反向截止電壓歷來限于200V以下。 這些考量因素就形成了基于最大反向電壓的分立二極管的應(yīng)用技術(shù)概覽，如圖2所 示。如前所述，使用肖特基二極管時的最大反向電壓通常約為200V；當反向電壓超 過200V時，肖特基二極管就會失去其固有的優(yōu)勢。此時，使用恢復(fù)整流二極管。我 們對不同開關(guān)速度的恢復(fù)整流二極管進行了區(qū)分。這種分類可參見關(guān)于動態(tài)行為的章 節(jié)(2.4)描述。碳化硅(SiC)二極管的工作范圍從650V開始。由于SiC的寬帶隙，其工作 范圍可擴展至1700V以上。圖2還顯示了一項新技術(shù)，稱為鍺化硅(SiGe)。SiGe二極管 的最大反向電壓在100-200V之間，安裝在肖特基二極管和恢復(fù)整流二極管之間的界 面附近。