OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)選型及供電設(shè)計(jì)要點(diǎn)
資料介紹
新能源汽車動(dòng)力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如 800V 系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓?fù)渚哂懈叩拈_關(guān)頻率。碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體代表,具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn),更適合車載充電機(jī) OBC、直流變換器 DC/DC、電機(jī)控制器等應(yīng)用場景高頻驅(qū)動(dòng)和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢。本文主要針對(duì) SiC MOSFET 的應(yīng)用特點(diǎn),介紹了車載充電機(jī) OBC 和直流變換器 DC/DC 應(yīng)用中的 SiC MOSFET 的典型使用場景,并針對(duì) SiC MOSFET 的特性推薦了驅(qū)動(dòng)芯片方案。最后,本文根據(jù) SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)對(duì)供電的特殊要求,對(duì)不同供電設(shè)計(jì)方案的優(yōu)劣勢進(jìn)行了分析。
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