晶體振蕩器SG-8200CJ和SG-8201CJ采用愛(ài)普生的新型低噪聲小數(shù)N分頻PLL技術(shù)，與上一代愛(ài)普生可編程晶體振蕩器相比，穩(wěn)定性提高了約2倍，相位抖動(dòng)降低了<1/25。

SG-8200CJ和SG-8201CJ可以編程為1.2MHz至170MHz的任何頻率，工作溫度范圍高達(dá)125℃。SG-8200CJ和SG-8201CJ非常適合各種需要小尺寸和/或在惡劣環(huán)境中運(yùn)行的消費(fèi)類和工業(yè)應(yīng)用。

特征

● 晶體振蕩器（可編程）

● 輸出頻率：1.2MHz至170MHz

● 輸出：CMOS

● 電源電壓：1.62V至3.63V

● 頻率公差，工作溫度：

SG-8200CJ：±50×10-6/-40℃至+125℃

SG-8201CJ：±15×10-6/-40℃至+105℃

±25×10-6/-40℃至+125℃

● 相位抖動(dòng)：1.1ps典型值

（偏置頻率：12kHz至20MHz，fo=125MHz）

外形圖

產(chǎn)品名稱/產(chǎn)品編號(hào)

(1-1)產(chǎn)品名稱（標(biāo)準(zhǔn)格式）

SG-8200CJ：X1G006211xxxx16

SG-8201CJ：X1G005981xxxx16

(1-2)產(chǎn)品編號(hào)/訂購(gòu)代碼

絕對(duì)最大額定值

工作范圍

電源啟動(dòng)時(shí)間(0%VCC→90%VCC)應(yīng)介于5μs和500ms之間

*靠近器件的VCC和GND引腳之間應(yīng)連接一個(gè)0.01μF至0.1μF或更高容值的旁路電容器

頻率特性（除非另有說(shuō)明[3]工作范圍）

*1頻率公差包括初始頻率公差、頻率/溫度特性、頻率/電壓系數(shù)、頻率/負(fù)載系數(shù)和頻率老化（+25℃，第一年）

*2頻率老化是根據(jù)環(huán)境可靠性測(cè)試估算的；預(yù)期的頻率變化量。這并不是在產(chǎn)品生命周期內(nèi)的保證。