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本應(yīng)用筆記說明一種針對完全集成單封裝器件而提出的協(xié) 議，這些單封裝器件集成高性能模擬外設(shè)和數(shù)字外設(shè)，由 ARM® Cortex™-M3處理器和用于代碼和數(shù)據(jù)的集成閃存進(jìn)行 控制。 這些器件必須包括一個可運(yùn)行在最高達(dá)4 MHz頻率下的MDIO 接口，并且可以同時執(zhí)行程序使一個閃存模塊對另一個閃 存模塊進(jìn)行寫入/擦除操作功能，使得它非常適合40 G到100 G 的光通信應(yīng)用。 過在用戶閃存中不可擦除的內(nèi)核代碼上增加標(biāo)識，可以實 現(xiàn)如下功能，即可根據(jù)MDIO的需要將用戶代碼可靠地在 用戶閃存代碼和數(shù)據(jù)空間的兩個模塊間切換。 若要了解標(biāo)識的更多相關(guān)細(xì)節(jié)以及其他特定器件的細(xì)節(jié)， 請參考特定器件的硬件參考手冊。
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