圖 1 所示 PFC 旁路二極管 D2 的作用是什么，已經(jīng)是一個是老生常談的事，今天我們來好好的討論下

網(wǎng)上有這么幾種說法：

1、當啟動的時候，沖擊電流是從 D2 流過，D2 是慢管耐沖擊電流比較大，D1 是快管，會損 壞二極管。

對于這一個觀點，我覺得是次要原因，因為我們隨意找一個 600V/10A 的快管，他的沖擊電 流也不小的，如下圖所示 120A.

我們電源一般的要求沖擊電流時不會允許這么大，一般我們都會在輸入回路里面加 NTC

這 就會大大的減小了沖擊電流，還有就是沒有 D2 

開機的瞬間 L1 是會串在里面，L1 時有一定 的感抗

這樣沖擊電流應該會更小，更不能說明是保護 D1 的作用了

在這里好像有點說不過去，難道這種說法時錯誤的嗎？？應該也不會

據(jù)我所知道是以前是沒有這個二極管的，后來隨著技術的的發(fā)展而加上的。

原因是 CCM 模式的 PFC 二極管的反向恢復電流太大，損耗比較大，PFC mos 管的溫升高

效率做不上去，技術的發(fā)展碳化硅二極管的應用開始流行在 CCM 模式里面，碳化硅二極管

與普通的快恢復的二極管優(yōu)勢很明顯，我們有做個實驗用普通的快恢復二極管做的 500W

PFC 就換一個碳化硅，輸出功率不變的情況下，輸入會少 7W，效率明顯提升很多，雖然成

本上去了，但是散熱成本降下來了，綜合來看，成本上升很小，但是正確效率提升是一個大

的亮點，這有點扯題外話了。碳化硅二極管的特性是耐沖擊電流太小。

如下圖就是碳化硅的參數(shù)

從上圖中我明顯看到碳化硅的沖擊電流只有 30.5A 還是在 25 攝氏度，高溫下更低。

隨著碳化硅二極管的應用，D2 就必須的用。

2、看上面的描述。感覺是不用碳化硅就不需要了用了？臨界模式下 PFC 都是快恢復的二極管

應該不用也可以，我有實驗過不用，反復開機沒有任何問題。但是很多工程師會有一下 的疑問。

圖 5 所示：

如果沒有旁路二極管 D2，開機時的沖擊電流比較大直接流過 PFC 電感 L1，現(xiàn)在很多的 PFC

電感是鐵氧體的磁芯，會出現(xiàn)飽和現(xiàn)象，有了 D2 可以起到一個很好的保護作用

乍一聽好像是這樣，但是仔細想想，當沖擊電流來的時候電感飽和又會怎么樣了，因為這個

時候我們的 PWM 還沒有輸出，就算飽和了也沒有事情，等我們的 PWM 發(fā)出的時候，電感 已經(jīng)恢復了。

這是一個我們值得深思的問題，感覺不用是可以的，是不是大家看到 CCM 模式有用就隨大

眾加了，真的是這樣嗎，我想當然是不可能的

這個 D2 的出現(xiàn)還有一個非常大的原因就是隨電源技術的發(fā)展，各種可靠性實驗越來越多

其中的雷擊實驗是越來越嚴酷，現(xiàn)在有些客戶可能要求差模與共模都是 10KV 內阻 2 歐姆

在這么嚴酷的實驗要求下，D2 就應運而生了。當我說到這里的時候有很多的工程師都來知

道怎么回事了，特別是經(jīng)常做雷擊實驗的工程師肯定是深有體會。下面我們來分析是什么原 因。

如圖 6 所示

當 PWM 驅動波形是高電平時，MOSFET 打開，電流從 L1 流入 MOSFET ，這時候 MOSFET 雷

擊的浪涌電流正好發(fā)生，那么一個很大的電流將進入 L1 與 MOSFET，L1 會出現(xiàn)飽和，一但

飽和，我們的電感就相當與短路，那 MOS 管 Q1 上的壓降等于輸入電壓，因為 MOS 管是在

開通狀態(tài)，現(xiàn)在的 MOS 管等于是一很小的電阻，一般都是 mΩ級別，那 MOS 管的電流一定

會過應力而損壞 MOSFEG。

有人會問我的 L1 電感非常強壯，不會出現(xiàn)飽和，這種可能性太小了，雷擊浪涌實驗感應過

來的電流一般都是幾百上千安培，你的有多大的電感，假設這種情況成立，L1 上可以承受

這么大的電流，電感上的自感電動勢也非常高，會使得 A 點電壓過高，也有會使整流橋電壓過應力損壞。

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