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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>PFC旁路二極管的作用(可下載)

PFC旁路二極管的作用(可下載)

2025-03-03 | pdf | 639.92 KB | 次下載 | 免費(fèi)

資料介紹

圖 1 所示 PFC 旁路二極管 D2 的作用是什么,已經(jīng)是一個(gè)是老生常談的事,今天我們來好好的討論下

網(wǎng)上有這么幾種說法:

1、當(dāng)啟動(dòng)的時(shí)候,沖擊電流是從 D2 流過,D2 是慢管耐沖擊電流比較大,D1 是快管,會(huì)損 壞二極管。

對(duì)于這一個(gè)觀點(diǎn),我覺得是次要原因,因?yàn)槲覀冸S意找一個(gè) 600V/10A 的快管,他的沖擊電 流也不小的,如下圖所示 120A.

我們電源一般的要求沖擊電流時(shí)不會(huì)允許這么大,一般我們都會(huì)在輸入回路里面加 NTC

這 就會(huì)大大的減小了沖擊電流,還有就是沒有 D2 

開機(jī)的瞬間 L1 是會(huì)串在里面,L1 時(shí)有一定 的感抗

這樣沖擊電流應(yīng)該會(huì)更小,更不能說明是保護(hù) D1 的作用了

在這里好像有點(diǎn)說不過去,難道這種說法時(shí)錯(cuò)誤的嗎??應(yīng)該也不會(huì)

據(jù)我所知道是以前是沒有這個(gè)二極管的,后來隨著技術(shù)的的發(fā)展而加上的。

原因是 CCM 模式的 PFC 二極管的反向恢復(fù)電流太大,損耗比較大,PFC mos 管的溫升高

效率做不上去,技術(shù)的發(fā)展碳化硅二極管的應(yīng)用開始流行在 CCM 模式里面,碳化硅二極管

與普通的快恢復(fù)的二極管優(yōu)勢(shì)很明顯,我們有做個(gè)實(shí)驗(yàn)用普通的快恢復(fù)二極管做的 500W

PFC 就換一個(gè)碳化硅,輸出功率不變的情況下,輸入會(huì)少 7W,效率明顯提升很多,雖然成

本上去了,但是散熱成本降下來了,綜合來看,成本上升很小,但是正確效率提升是一個(gè)大

的亮點(diǎn),這有點(diǎn)扯題外話了。碳化硅二極管的特性是耐沖擊電流太小。

如下圖就是碳化硅的參數(shù)

從上圖中我明顯看到碳化硅的沖擊電流只有 30.5A 還是在 25 攝氏度,高溫下更低。

隨著碳化硅二極管的應(yīng)用,D2 就必須的用。

2、看上面的描述。感覺是不用碳化硅就不需要了用了?臨界模式下 PFC 都是快恢復(fù)的二極管

應(yīng)該不用也可以,我有實(shí)驗(yàn)過不用,反復(fù)開機(jī)沒有任何問題。但是很多工程師會(huì)有一下 的疑問。

圖 5 所示:

如果沒有旁路二極管 D2,開機(jī)時(shí)的沖擊電流比較大直接流過 PFC 電感 L1,現(xiàn)在很多的 PFC

電感是鐵氧體的磁芯,會(huì)出現(xiàn)飽和現(xiàn)象,有了 D2 可以起到一個(gè)很好的保護(hù)作用

乍一聽好像是這樣,但是仔細(xì)想想,當(dāng)沖擊電流來的時(shí)候電感飽和又會(huì)怎么樣了,因?yàn)檫@個(gè)

時(shí)候我們的 PWM 還沒有輸出,就算飽和了也沒有事情,等我們的 PWM 發(fā)出的時(shí)候,電感 已經(jīng)恢復(fù)了。

這是一個(gè)我們值得深思的問題,感覺不用是可以的,是不是大家看到 CCM 模式有用就隨大

眾加了,真的是這樣嗎,我想當(dāng)然是不可能的

這個(gè) D2 的出現(xiàn)還有一個(gè)非常大的原因就是隨電源技術(shù)的發(fā)展,各種可靠性實(shí)驗(yàn)越來越多

其中的雷擊實(shí)驗(yàn)是越來越嚴(yán)酷,現(xiàn)在有些客戶可能要求差模與共模都是 10KV 內(nèi)阻 2 歐姆

在這么嚴(yán)酷的實(shí)驗(yàn)要求下,D2 就應(yīng)運(yùn)而生了。當(dāng)我說到這里的時(shí)候有很多的工程師都來知

道怎么回事了,特別是經(jīng)常做雷擊實(shí)驗(yàn)的工程師肯定是深有體會(huì)。下面我們來分析是什么原 因。

如圖 6 所示

當(dāng) PWM 驅(qū)動(dòng)波形是高電平時(shí),MOSFET 打開,電流從 L1 流入 MOSFET ,這時(shí)候 MOSFET 雷

擊的浪涌電流正好發(fā)生,那么一個(gè)很大的電流將進(jìn)入 L1 與 MOSFET,L1 會(huì)出現(xiàn)飽和,一但

飽和,我們的電感就相當(dāng)與短路,那 MOS 管 Q1 上的壓降等于輸入電壓,因?yàn)?MOS 管是在

開通狀態(tài),現(xiàn)在的 MOS 管等于是一很小的電阻,一般都是 mΩ級(jí)別,那 MOS 管的電流一定

會(huì)過應(yīng)力而損壞 MOSFEG。

有人會(huì)問我的 L1 電感非常強(qiáng)壯,不會(huì)出現(xiàn)飽和,這種可能性太小了,雷擊浪涌實(shí)驗(yàn)感應(yīng)過

來的電流一般都是幾百上千安培,你的有多大的電感,假設(shè)這種情況成立,L1 上可以承受

這么大的電流,電感上的自感電動(dòng)勢(shì)也非常高,會(huì)使得 A 點(diǎn)電壓過高,也有會(huì)使整流橋電壓過應(yīng)力損壞。

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