根據(jù)IEEE 521-2002標(biāo)準(zhǔn)，X波段是指頻率在8-12 GHz的無(wú)線電波波段，在電磁波譜中屬于微波。而在某些場(chǎng)合中，X波段的頻率范圍則為7-11.2 GHz。通俗而言，X波段中的X即英語(yǔ)中的“extended”，表示“擴(kuò)展的”調(diào)幅廣播。本文介紹基于X波段的天線、頻率合成器、振蕩器等的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)方案，供大家參考。
　　X波段頻率合成器設(shè)計(jì)
　　本文提出LL頻率合成方案是用于頻率合成器設(shè)計(jì)的一種較好的方案，PLL頻率合成器在相位噪聲特性、雜波抑制及頻率分辨率等方面相對(duì)于單一的頻率合成方式都較大的優(yōu)勢(shì)，其更大的優(yōu)點(diǎn)還在于相對(duì)于多環(huán)鎖相和混頻鎖相其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、調(diào)試方便、性能穩(wěn)定。
　　基于SFCR新型介質(zhì)的X波段壓控振蕩器的研制
　　本文基于負(fù)阻振蕩器的基本理論，采取調(diào)諧振蕩器負(fù)阻電路部分的狀態(tài)的方法來(lái)達(dá)到改變整個(gè)負(fù)阻振蕩器的輸出頻率的方法成功設(shè)計(jì)并制作了一個(gè)新型介質(zhì)壓控振蕩器—VCDO。由于基于SFCR介質(zhì)壓控振蕩器（VCDO）體積小、指標(biāo)優(yōu)良，具有較好的實(shí)用前景。
　　X波段間接式頻率綜合器的設(shè)計(jì)
　　本文主要介紹了針對(duì)惡劣的環(huán)境條件進(jìn)行的技術(shù)攻關(guān)，充分發(fā)揮DAS和PLL的優(yōu)點(diǎn)，獲得了具有高穩(wěn)定、低相噪、低雜散和捷變頻等特性的全相參間接式頻綜器，并且全面達(dá)到環(huán)境適應(yīng)性等方面的要求。
　　X波段MCM T/R組件的系統(tǒng)補(bǔ)償設(shè)計(jì)
　　本文所使用的金絲模型直接采用ADS軟件中電路靜態(tài)模型，針對(duì)實(shí)際電路中金絲可能的拱高以及與前后LTCC微帶線的壓接位置，在三維仿真軟件HFSS中對(duì)金絲進(jìn)行了三維建模仿真，仿真結(jié)果表明三維模型與電路靜態(tài)模型精度相當(dāng)，權(quán)衡仿真速度和精度，采用靜態(tài)模型更有效。
　　X波段寬帶微帶陣列天線設(shè)計(jì)
　　本文設(shè)計(jì)的X波段寬帶微帶陣列天線的天線單元即是采用這種縫隙耦合饋電的雙層微帶天線。為了減小背向輻射，采用帶狀線作為天線單元的饋電線和陣列的饋電網(wǎng)絡(luò)。由于設(shè)計(jì)需求，陣列中心缺失單元，屬于不規(guī)則陣列，因此采用遺傳算法對(duì)陣列的權(quán)值分布進(jìn)行了全局優(yōu)化，以得到較低的副瓣電平。
　　X波段LNA設(shè)計(jì)
　　本文的微波低噪聲放大器是利用微波低噪聲場(chǎng)效應(yīng)管在微波頻段進(jìn)行放大。實(shí)現(xiàn)的放大器噪聲低、增益高、體積小、重量輕， 作為接收機(jī)的射頻前端， 已經(jīng)在無(wú)人機(jī)機(jī)載和地面設(shè)備中得到應(yīng)用。
　　X波段相控陣?yán)走_(dá)單片微波集成電路芯片組
　　本文介紹了高性能的X波段相控陣?yán)走_(dá)元芯片組，在發(fā)送端包括驅(qū)動(dòng)和功放器件，接收端包括低噪聲放大器/限幅器，控制端包括衰減器和移相器。這些器件提供了100%的RF和DC檢測(cè)，確保他們的性能，并能使用戶提高產(chǎn)量，降低成本。
　　機(jī)載低相位噪聲X波段頻率合成器的研究
　　本文介紹了機(jī)載頻率合成器的實(shí)用設(shè)計(jì)。一種混合合成器結(jié)構(gòu)可以使芯片相位噪聲性能提升8dB。最佳的實(shí)用合成器結(jié)構(gòu)對(duì)來(lái)自所有源的雜散進(jìn)行抑制，使其輸出水平小于-64dBc。
　　X波段基片集成波導(dǎo)帶通濾波器的設(shè)計(jì)
　　文中利用基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)并制作出了一種X波段中心頻率是9．58 GHz、相對(duì)帶寬是8．35％的9階切比雪夫并聯(lián)電感耦合波導(dǎo)帶通濾波器。該濾波器在9．18~9．98 GHz的通帶范圍內(nèi)表現(xiàn)出了良好的性能。
　　高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開關(guān)
　　本文提出了一種通過(guò)CPW傳輸線與共面波導(dǎo)地平面間的襯底刻槽，提高隔離度并應(yīng)用于X波段的RF MEMS電容式并聯(lián)開關(guān)。該設(shè)計(jì)在不改變開關(guān)結(jié)構(gòu)和電路結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上提高了開關(guān)的隔離性能，為基于CPW結(jié)構(gòu)的RF MEMS高性能電路設(shè)計(jì)提供了一種參考。
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