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先進半導體硅材料：優(yōu)化納米集成電路性能的重要基礎(chǔ):本文闡述了用于納米集成電路的大直徑硅材料中傳熱、傳質(zhì)過程，硅中
金屬雜質(zhì)元素行為以及點缺陷及其衍生缺陷的產(chǎn)生和運動規(guī)律，表面形態(tài)與表面質(zhì)
量控制等研究熱點；介紹了絕緣體上硅（SOI）、鍺硅和應(yīng)變硅等硅基材料的特性及
技術(shù)發(fā)展趨勢；展望了硅及硅基材料未來在納米電子學和光子學領(lǐng)域的發(fā)展前景。
半導體工業(yè)的飛速發(fā)展是人類歷史上的一個奇跡。半導體產(chǎn)品不斷更新，持續(xù)
降價，推動著全球科技進步，改變著人們的生活方式。而支持這一切的基礎(chǔ)是半導
體硅材料。
半導體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料已有半個世紀的歷史，盡管集成電路密
度遵循“摩爾定律”不斷提高，設(shè)計線寬急劇減小，硅材料總能適應(yīng)器件發(fā)展，滿
足其越來越苛刻的要求。2005 年世界半導體硅材料產(chǎn)量和銷售收入已分別達到66.45
億平方英寸和79 億美元 (見表1)?？梢灶A(yù)料，半導體材料將為信息產(chǎn)業(yè)在21 世紀
持續(xù)發(fā)展奠定更加堅實的基礎(chǔ)（見圖 1）。
金屬雜質(zhì)元素行為以及點缺陷及其衍生缺陷的產(chǎn)生和運動規(guī)律，表面形態(tài)與表面質(zhì)
量控制等研究熱點；介紹了絕緣體上硅（SOI）、鍺硅和應(yīng)變硅等硅基材料的特性及
技術(shù)發(fā)展趨勢；展望了硅及硅基材料未來在納米電子學和光子學領(lǐng)域的發(fā)展前景。
半導體工業(yè)的飛速發(fā)展是人類歷史上的一個奇跡。半導體產(chǎn)品不斷更新，持續(xù)
降價，推動著全球科技進步，改變著人們的生活方式。而支持這一切的基礎(chǔ)是半導
體硅材料。
半導體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料已有半個世紀的歷史，盡管集成電路密
度遵循“摩爾定律”不斷提高，設(shè)計線寬急劇減小，硅材料總能適應(yīng)器件發(fā)展，滿
足其越來越苛刻的要求。2005 年世界半導體硅材料產(chǎn)量和銷售收入已分別達到66.45
億平方英寸和79 億美元 (見表1)?？梢灶A(yù)料，半導體材料將為信息產(chǎn)業(yè)在21 世紀
持續(xù)發(fā)展奠定更加堅實的基礎(chǔ)（見圖 1）。
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