資料介紹
功率VDMOSFET器件由于其用柵極電壓來(lái)控制漏極電流,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,需要的驅(qū)動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)速度快,工作頻率高等特性,被廣泛應(yīng)用于DC/DC轉(zhuǎn)換器,UPS及各種開(kāi)關(guān)電路等。在電路設(shè)計(jì)中,工程師會(huì)根據(jù)電路應(yīng)用需求來(lái)選擇功率器件。在選擇器件的時(shí)候,除去封裝形式的要求外,主要用來(lái)衡量器件特性的就是器件的電參數(shù)。本文將著重介紹功率VDMOSFET器件常用的靜態(tài)及動(dòng)態(tài)電參數(shù)的測(cè)試定義,條件制定和規(guī)范,以及如何通過(guò)這些電特性參數(shù)值去了解器件的性能。
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