資料介紹
基于深亞微米MOS 器件溝道的熱噪聲淺析
曾獻(xiàn)芳
摘要: 隨著 MOS 器件工藝尺寸的不斷減小,其不斷增高的單位增益截止頻率足以滿足
射頻/模擬電路的工作要求。然而,隨著溝道長(zhǎng)度的變短,溝道噪聲對(duì)電路的貢獻(xiàn)增
大,噪聲是電路關(guān)注的主要性能之一。由于二級(jí)效應(yīng),經(jīng)典的長(zhǎng)溝道噪聲模型不再
精確。本文總結(jié)了溝道熱噪聲產(chǎn)生的機(jī)理,以及短溝道載流子有效遷移率的計(jì)算。
系統(tǒng)詳細(xì)地描述了近年來(lái)基于深亞微米短溝道MOS 器件的熱噪聲的模型。在文章的
最后,介紹了溝道噪聲的仿真和測(cè)試方法。
關(guān)鍵詞:深亞微米;熱噪聲;短溝道;載流子
曾獻(xiàn)芳
摘要: 隨著 MOS 器件工藝尺寸的不斷減小,其不斷增高的單位增益截止頻率足以滿足
射頻/模擬電路的工作要求。然而,隨著溝道長(zhǎng)度的變短,溝道噪聲對(duì)電路的貢獻(xiàn)增
大,噪聲是電路關(guān)注的主要性能之一。由于二級(jí)效應(yīng),經(jīng)典的長(zhǎng)溝道噪聲模型不再
精確。本文總結(jié)了溝道熱噪聲產(chǎn)生的機(jī)理,以及短溝道載流子有效遷移率的計(jì)算。
系統(tǒng)詳細(xì)地描述了近年來(lái)基于深亞微米短溝道MOS 器件的熱噪聲的模型。在文章的
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關(guān)鍵詞:深亞微米;熱噪聲;短溝道;載流子
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