提出了一種低壓低功耗的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路，設(shè)計(jì)基于0.5μm 2P3M BiCMOS Process，并使用了低壓共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)減少了對(duì)電源電壓的依賴(lài)，消除了精度與余度之間的矛盾，并用HL50S-S3.1S.lib庫(kù)文件用 HSPICE 進(jìn)行了仿真，其電源抑制比PSRR 大約為-78.9dB。
關(guān)鍵詞: 帶隙基準(zhǔn)，PTAT，低壓共源共柵電流鏡, BiCMOS
芯片系統(tǒng)集成( system on chip ) 技術(shù)已經(jīng)受到學(xué)術(shù)界及工業(yè)界廣泛關(guān)注. 隨著電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步復(fù)雜化, 對(duì)模擬電路基本模塊,如A/D 、D/A 轉(zhuǎn)換器, 濾波器電路以及鎖相環(huán)等電路提出了更高精度及速度的要求. 由于帶隙基準(zhǔn)電壓、電流源電路的輸出電壓及電流幾乎不受溫度和電源電壓變化的影響,這就使得片內(nèi)集成的帶隙基準(zhǔn)電壓、電流源電路成了模擬集成電路芯片中不可缺少的關(guān)鍵部件。
本文對(duì)基準(zhǔn)源采用了溫度一級(jí)補(bǔ)償?shù)姆椒?。所謂溫度一級(jí)補(bǔ)償就是在溫度區(qū)域內(nèi)選取一點(diǎn)，使得基準(zhǔn)源的輸出在該點(diǎn)對(duì)溫度的導(dǎo)數(shù)為零。只要這一點(diǎn)的位子合適，就能獲得較小的溫度系數(shù)。并使用了與絕對(duì)溫度成正比（PTAT: proportional to absolute temperature）的電流來(lái)產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓。帶隙調(diào)節(jié)電路在本質(zhì)上是雙級(jí)的，為了降低成本，能與CMOS工藝兼容，我們使用了0.5μm的BICMOS工藝。