資料介紹
一種新型陽極氧化多孔硅技術(shù):在適當條件下氧化多孔硅是提高多孔硅發(fā)光強度的良好途徑,提出了一種新型陽極氧化方法,并探討了該方法所涉及的陽極氧化條件。采用含CH3CSNH2 的HF 酸水溶液作為氧化劑對初始多孔硅進行了濕法陽極氧化,發(fā)現(xiàn)氧化使多孔硅光致發(fā)光性質(zhì)得到極大改善,進而研究了氧化電流、氧化溫度、氧化時間等一系列因素對氧化多孔硅光致發(fā)光強度的影響,并給出了合理解釋。實驗發(fā)現(xiàn),在1 mA ,10 min ,60 ℃的氧化條件下,采用陽極氧化技術(shù)使多孔硅發(fā)光強度增強了18 倍。
關(guān) 鍵 詞: 多孔硅(PS) ; 濕法氧化; 光致發(fā)光(PL)
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