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標(biāo)簽 > 二極管
二極管,(英語(yǔ):Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過(guò),許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap Diode)則用來(lái)當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。
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僅用一個(gè)萬(wàn)用表是否能測(cè)試出光電耦合器好壞?
在邏輯電路上的應(yīng)用 光電耦合器可以構(gòu)成各種邏輯電路,由于光電耦合器的抗干擾性能和隔離性能比晶體管好,因此,由它構(gòu)成的邏輯電路更可靠。 作為固體開(kāi)關(guān)應(yīng)用 ...
下圖顯示了同步升壓電路中LS關(guān)斷時(shí)柵極-源極電壓的行為,該圖在之前的文章中也使用過(guò)。要想抑制事件(IV),即HS(非開(kāi)關(guān)側(cè))的VGS的負(fù)浪涌,采用浪涌抑...
針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策
只是由于SiC MOSFET的跨導(dǎo)比Si MOSFET的跨導(dǎo)小一個(gè)數(shù)量級(jí)以上,因此不會(huì)立即流過(guò)過(guò)大的直通電流。所以即使流過(guò)了直通電流,也具有足夠的冷卻能...
如何設(shè)計(jì)時(shí)間可調(diào)的給定積分器電路
如何設(shè)計(jì)時(shí)間可調(diào)的給定積分器電路?這樣處理積分電路更靈活。
2023-02-28 標(biāo)簽:二極管運(yùn)算放大器運(yùn)放 4007 0
電力二極管與普通二極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)區(qū)別
電力二極管與普通二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)存在較大的區(qū)別,主要體現(xiàn)在以下兩個(gè)方面: 管芯尺寸和結(jié)構(gòu):相比普通二極管,電力二極管的管芯尺寸更大,結(jié)構(gòu)更為復(fù)...
電力二極管的功能特點(diǎn)如下: 高電壓承受能力:電力二極管具有較高的電壓承受能力,一般可達(dá)幾百伏至幾千伏,可以承受高壓電力系統(tǒng)中的電壓波動(dòng)和電氣干擾。
電力二極管屬于半導(dǎo)體器件,通常也被稱為功率二極管。它們主要用于高功率、高電壓和高頻率的電路中,用于控制和轉(zhuǎn)換電能。電力二極管具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和...
2023-02-28 標(biāo)簽:二極管整流器半導(dǎo)體器件 4600 0
電力二極管在正向偏置的情況下導(dǎo)通,反向偏置的情況下不導(dǎo)通,這是其最基本的導(dǎo)通條件。具體而言,電力二極管的導(dǎo)通條件如下
電力二極管的結(jié)構(gòu)通常是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的PN結(jié)。與普通二極管不同,電力二極管的承受電壓和電流能力較高,因此需要采用特殊的結(jié)構(gòu)和材料,以實(shí)現(xiàn)更...
2023-02-28 標(biāo)簽:二極管PN結(jié)單向?qū)щ?/a> 5876 0
功率半導(dǎo)體器件有哪些_功率半導(dǎo)體器件工藝流程
功率半導(dǎo)體器件是一種用于控制和轉(zhuǎn)換大功率電能的半導(dǎo)體器件,主要包括以下幾種類型: 二極管:功率二極管是一種只允許電流單向流動(dòng)的半導(dǎo)體器件,常用...
2023-02-28 標(biāo)簽:二極管晶閘管功率半導(dǎo)體器件 4006 0
功率放大器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)是避免溫度變化對(duì)電路造成的影響,這里結(jié)合共射級(jí)電路和共集電極電路的使用,設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單的功率放大電路!
從高頻調(diào)幅信號(hào)中取出原調(diào)制信號(hào)的過(guò)程成為振幅解調(diào),或振幅檢波,簡(jiǎn)稱檢波。檢波電路的特點(diǎn)是檢波效率高、失真小、輸入電阻較高。
測(cè)量和校準(zhǔn)與產(chǎn)品相關(guān)的溫度偏移
MAX1358/MAX1359數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)具有板載二極管結(jié)。二極管的固有 I-V 特性用于測(cè)量溫度。為了提高測(cè)量精度,ADI公司在每個(gè)器件內(nèi)存儲(chǔ)校準(zhǔn)系數(shù)...
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)及柵極驅(qū)動(dòng)電路
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊(HS)和低邊(LS)是交...
PN結(jié)加正向電壓導(dǎo)通(正偏): 外電源形成外電場(chǎng),使P區(qū)空穴越過(guò)耗盡層(即PN結(jié))到達(dá)電源負(fù)極;N區(qū)自由電子越過(guò)耗盡層,到達(dá)電源正極,從而使PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。
前段時(shí)間有一個(gè)網(wǎng)友向我提出了這樣一個(gè)疑問(wèn):他問(wèn)我在有些開(kāi)關(guān)電源電路中,為什么會(huì)在場(chǎng)效應(yīng)管的柵極和驅(qū)動(dòng)它的芯片之間加一個(gè)二極管。其實(shí)這是一個(gè)加速放電的二極...
2023-02-27 標(biāo)簽:二極管電流開(kāi)關(guān)電源 1698 0
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