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標(biāo)簽 > 仿真器
仿真器(emulator)以某一系統(tǒng)復(fù)現(xiàn)另一系統(tǒng)的功能。與計(jì)算機(jī)模擬系統(tǒng)(Computer Simulation)的區(qū)別在于,仿真器致力于模仿系統(tǒng)的外在表現(xiàn)、行為,而不是模擬系統(tǒng)的抽象模型。
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可變焦的超表面(focus tunable metasurface)類型反射鏡具有超薄、智能可控等特點(diǎn),可用于成像、顯微等應(yīng)用。
2023-06-20 標(biāo)簽:仿真器變?nèi)荻O管RMS 1381 0
芯片設(shè)計(jì)進(jìn)階之路—Reset深入理解
復(fù)位信號(hào)在數(shù)字電路里面的重要性僅次于時(shí)鐘信號(hào)。對(duì)一個(gè)芯片來(lái)說(shuō),復(fù)位的主要目的是使芯片電路進(jìn)入一個(gè)已知的,確定的狀態(tài)。
分享一個(gè)定位信號(hào)不定態(tài)的trace方法
如果在波形中觀察到信號(hào)出現(xiàn)不定態(tài)X后,需要找到不定態(tài)的源頭。如下圖所示,雖然觀察到信號(hào)A為X,其實(shí)X的源頭在B。
2023-06-18 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器仿真器 3576 0
熟悉CST仿真TDR的用戶對(duì)這個(gè)公式一定不陌生,幫助文檔里面介紹過(guò)這個(gè)上升沿和帶寬的關(guān)系;簡(jiǎn)單說(shuō)就是TDR想要看的精細(xì)一些就需要更寬的頻帶。
認(rèn)識(shí)一下只有driver的驗(yàn)證平臺(tái)
對(duì)于一個(gè)驗(yàn)證平臺(tái)而言,最重要的角色是激勵(lì)的產(chǎn)生,最開(kāi)始,driver是集合了數(shù)據(jù)的產(chǎn)生、發(fā)送于一體這么一個(gè)重要的角色(后面到進(jìn)入真正UVM會(huì)將功能分離)。
改善帶有ECC奇數(shù)負(fù)載的DDR2信號(hào)質(zhì)量的方法
這里介紹兩種方式改善帶有ECC的奇數(shù)負(fù)載的DDR2信號(hào)質(zhì)量。一種不需要改變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),另一種需要對(duì)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)整。
2023-06-15 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器DDR2仿真器 1169 0
2023-06-15 標(biāo)簽:處理器驅(qū)動(dòng)器DDR3 1894 0
我的第三個(gè)UVM代碼—把testcase與driver分開(kāi)
在testcase里驅(qū)動(dòng)interface,當(dāng)代碼越來(lái)越多,需要考慮把環(huán)境拆分成多個(gè)小的環(huán)境,便于修改和維護(hù)。
Systemverilog中的Driving Strength講解
在systemverilog中,net用于對(duì)電路中連線進(jìn)行建模,driving strength(驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度)可以讓net變量值的建模更加精確。
2023-06-14 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器仿真器Verilog語(yǔ)言 2017 0
本應(yīng)用筆記介紹了可用于Teridian單相和多相電能測(cè)量IC的各種開(kāi)發(fā)和編程工具。具體而言,本文討論了推薦的編譯器、在線仿真器(ICE)、閃存和組合編程...
modelsim仿真和實(shí)際上板結(jié)果不一致的原因及其解決辦法
某項(xiàng)目在完成算法模型的modelsim仿真之后,開(kāi)始硬件上板調(diào)試。
2023-06-11 標(biāo)簽:仿真器ModelSimMODELSIM仿真 7060 0
UVM中每個(gè)phase都有一個(gè)內(nèi)置的objection ,為components和objects提供了同步方法,指示何時(shí)可以安全地結(jié)束這個(gè)phase, ...
帶你了解SystemVerilog中的關(guān)聯(lián)數(shù)組
在SystemVerilog中,我們知道可以使用動(dòng)態(tài)數(shù)組實(shí)現(xiàn)數(shù)組元素個(gè)數(shù)的動(dòng)態(tài)分配,即隨用隨分
BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學(xué)出發(fā),推導(dǎo)出基本的電荷和通道電流方程,然后將其擴(kuò)展到準(zhǔn)二維和三維情況,包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學(xué)效應(yīng)。
VCS獨(dú)立仿真Vivado IP核的問(wèn)題補(bǔ)充
在仿真Vivado IP核時(shí)分兩種情況,分為未使用SECURE IP核和使用了SECURE IP核。
2023-06-06 標(biāo)簽:仿真器VHDL語(yǔ)言TCL 2244 0
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