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標(biāo)簽 > 光刻膠
光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。
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本文介紹了干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法。 什么是側(cè)壁彎曲? 如上圖,是典型的干法刻蝕時(shí),側(cè)壁彎曲的樣子,側(cè)壁為凹形或凸形結(jié)構(gòu)。而正常的側(cè)壁幾乎是垂直...
近日,據(jù)相關(guān)報(bào)道,三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破,成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉,三星已經(jīng)制定了未來NAND閃存...
光刻膠作為掩模進(jìn)行干法刻蝕或是濕法腐蝕后,一般都是需要及時(shí)的去除清洗,而一些高溫或者其他操作往往會(huì)導(dǎo)致光刻膠碳化難以去除。
2024-11-11 標(biāo)簽:光刻膠 1685 0
國(guó)產(chǎn)光刻膠通過半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗(yàn)證
來源:太紫微公司 近日,光谷企業(yè)在半導(dǎo)體專用光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破:武漢太紫微光電科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“太紫微公司”)推出的T150 A光刻膠產(chǎn)品,已...
掩膜版與光刻膠在芯片制造過程中扮演著不可或缺的角色,它們的功能和作用各有側(cè)重,但共同促進(jìn)了芯片的精確制造。? 掩膜版?,也稱為光罩、光掩膜或光刻掩膜版,...
在微流控PDMS芯片加工的過程中,需要使用烘膠臺(tái)或者烤膠設(shè)備對(duì)SU-8光刻膠或PDMS聚合物進(jìn)行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進(jìn)行2-3次。本文簡(jiǎn)要...
在微流控PDMS芯片或SU-8模具制作的過程中,需要把PDMS膠或SU-8光刻膠根據(jù)所需要的厚度來選擇合適的旋涂轉(zhuǎn)速并且使PDMS膠或SU-8膠涂布均勻...
為了成功紫外曝光并且根據(jù)所需要的分辨率,光刻膠掩模必須盡可能的靠近SU-8光刻膠放置,不要有任何干擾。如要這樣做,可檢查如下幾件事。 首先,光掩模和晶圓...
日本在EUV光刻領(lǐng)域保留著對(duì)供應(yīng)鏈關(guān)鍵部分的控制,例如半導(dǎo)體材料。 據(jù)了解,芯片制造涉及19種關(guān)鍵材料,且多數(shù)都具有較高技術(shù)壁壘,而日本企業(yè)在其中14種...
2024-07-16 標(biāo)簽:光刻膠 439 0
存儲(chǔ)時(shí)間 正膠和圖形反轉(zhuǎn)膠在存儲(chǔ)數(shù)月后會(huì)變暗,而且隨著儲(chǔ)存溫度升高而加速。因?yàn)樵擃愋凸饪棠z含有的光活性化合物形成偶氮染料,在 可見光譜的部分具有很強(qiáng)的吸...
2024-07-11 標(biāo)簽:光刻膠 1263 0
為了確保光刻工藝的可重復(fù)性、可靠性和可接受性,必須在基板表面上均勻涂覆光刻膠。光刻膠通常分散在溶劑或水溶液中,是一種高粘度材料。根據(jù)工藝要求,有許多工藝...
2024-07-11 標(biāo)簽:光刻膠 1812 0
根據(jù)光刻膠的應(yīng)用工藝,我們可以采用適當(dāng)?shù)姆椒▽?duì)已顯影的光刻膠結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理以提高其化學(xué)或物理穩(wěn)定性。通常我們可以采用烘烤步驟來實(shí)現(xiàn)整個(gè)光刻膠結(jié)構(gòu)的熱交聯(lián),...
2024-07-10 標(biāo)簽:光刻膠 1911 0
評(píng)價(jià)一款光刻膠是否適合某種應(yīng)用需要綜合看這款光刻膠的特定性能,這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度(sensitivity)是衡量曝光速...
2024-07-10 標(biāo)簽:光刻膠 1556 0
后烘是指(post exposure bake-PEB)是指在曝光之后的光刻膠膜的烘烤過程。由于光刻膠膜還未顯影,也就是說還未閉合,PEB也可以在高于光...
2024-07-09 標(biāo)簽:光刻膠 2557 0
圖形反轉(zhuǎn)膠是比較常見的一種紫外光刻膠,它既可以當(dāng)正膠使用又可以作為負(fù)膠使用。相比而言,負(fù)膠工藝更被人們所熟知。本文重點(diǎn)介紹其負(fù)膠工藝。 應(yīng)用領(lǐng)域 在反轉(zhuǎn)...
2024-07-09 標(biāo)簽:光刻膠 1363 0
通常,光刻膠只是用作構(gòu)建圖形步驟中的臨時(shí)掩膜。因此,光刻工藝的最后一步通常是需要去除光刻膠,我們稱之為去膠或者除膠。并且對(duì)去膠過程的要求是:迅速去膠且沒...
2024-07-08 標(biāo)簽:光刻膠 1482 0
我們?cè)谑褂霉饪棠z的時(shí)候往往關(guān)注的重點(diǎn)是光刻膠的性能,但是有時(shí)候我們會(huì)忽略光刻膠的保存和壽命問題,其實(shí)這個(gè)問題應(yīng)該在我們購買光刻膠前就應(yīng)該提出并規(guī)劃好。并...
一份PPT帶你看懂光刻膠分類、工藝、成分以及光刻膠市場(chǎng)和痛點(diǎn)
共讀好書 前烘對(duì)正膠顯影的影響 前烘對(duì)負(fù)膠膠顯影的影響 需要這個(gè)原報(bào)告的朋友可轉(zhuǎn)發(fā)這篇文章獲取百份資料,內(nèi)含光刻膠多份精品報(bào)告【贈(zèng)2024電子資料百份】...
SK海力士將在1c DRAM生產(chǎn)中采用新型Inpria MOR光刻膠
據(jù) TheElec報(bào)道,SK Hynix 已決定在其第 6 帶(即 1c 工藝,約為 10nm)DRAM 生產(chǎn)過程中采用 Inpria 下一代金屬氧化物...
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