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標(biāo)簽 > 內(nèi)存芯片
“內(nèi)存顆粒”是中國(guó)港臺(tái)地區(qū)對(duì)內(nèi)存芯片的一種稱呼(僅對(duì)內(nèi)存),其他的芯片則稱為“晶片”。晶片經(jīng)過(guò)封裝之后就成為一個(gè)閃存顆粒。
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HBM新技術(shù),橫空出世:引領(lǐng)內(nèi)存芯片創(chuàng)新的新篇章
隨著人工智能、高性能計(jì)算(HPC)以及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的快速發(fā)展,對(duì)內(nèi)存帶寬和容量的需求日益增長(zhǎng)。傳統(tǒng)的內(nèi)存技術(shù),如DDR和GDDR,已逐漸難以滿足這些新...
2025-03-22 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片HBM半導(dǎo)體設(shè)備 1260 0
近日,信榮證券分析師Park Sang-wook對(duì)三星電子的未來(lái)前景表達(dá)了擔(dān)憂。他預(yù)測(cè),由于客戶庫(kù)存過(guò)剩,三星電子在2025年上半年可能會(huì)面臨內(nèi)存芯片價(jià)...
近日,英偉達(dá)公司正在積極推進(jìn)對(duì)三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)英偉達(dá)CEO透露,他們正在不遺余力地加速這一進(jìn)程,旨在盡快將三星的內(nèi)存解決方案融入其產(chǎn)品中。...
SK海力士斥資68億美元打造全球AI芯片生產(chǎn)基地
全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商SK海力士宣布了一項(xiàng)重大投資決策,計(jì)劃投資約9.4萬(wàn)億韓元(折合美元約68億)在韓國(guó)龍仁市興建其國(guó)內(nèi)首座專注于AI芯片生產(chǎn)的超級(jí)...
2023年首季度全球半導(dǎo)體材料收入增長(zhǎng)緩慢,2024年預(yù)測(cè)將突破
值得關(guān)注的是,2023年第一季度,雖然增幅放緩,但半導(dǎo)體材料收入依然呈現(xiàn)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。主要原因是除了晶圓制造,前沿邏輯芯片與內(nèi)存芯片的銷售均有所改善。
2024-05-29 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片半導(dǎo)體材料晶圓制造 605 0
三星電子一季度利潤(rùn)增長(zhǎng)931.25%,銷售額增11.37%
值得注意的是,三星的業(yè)績(jī)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了市場(chǎng)預(yù)期20%以上,該公司尚未公開(kāi)各業(yè)務(wù)部門的具體數(shù)據(jù)。預(yù)計(jì)將在下月晚些時(shí)候公布更為詳細(xì)的財(cái)務(wù)報(bào)表。
AMD Zen2至Zen4架構(gòu)處理器存在Rowhammer內(nèi)存攻擊風(fēng)險(xiǎn),AMD發(fā)布公告
需要注意的是,Rowhammer攻擊利用了現(xiàn)代DRAM內(nèi)存的物理特性,即通過(guò)連續(xù)讀寫內(nèi)存芯片,改變相鄰存儲(chǔ)單元的電荷狀態(tài),從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的翻轉(zhuǎn)。攻擊者可精...
消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片
據(jù)報(bào)道,三星將在即將到來(lái)的2024年IEEE國(guó)際固態(tài)電路峰會(huì)上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。這次峰會(huì)將是全球固態(tài)電路領(lǐng)域的一次盛會(huì),匯集了眾多業(yè)內(nèi)頂尖專家和企業(yè)...
殺手锏!臺(tái)積電開(kāi)發(fā)SOT-MRAM陣列芯片
臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展,成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線,并積累了大量?jī)?nèi)存和車用市場(chǎng)訂單。
三星電子瞄準(zhǔn)2024年?duì)I業(yè)利潤(rùn)目標(biāo) 中國(guó)存儲(chǔ)份額占據(jù)全球第二
三星電子2024年的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)總額將達(dá)到33.8萬(wàn)億韓元。這表明,三星電子正積極應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化,努力提升其業(yè)務(wù)表現(xiàn)。
三星三季度預(yù)計(jì)下滑80%,2009年以來(lái)最低
據(jù)報(bào)道,三星電子預(yù)計(jì)在第三季度的利潤(rùn)將同比下降80%。全球芯片供應(yīng)過(guò)剩的持續(xù)影響導(dǎo)致三星的存儲(chǔ)業(yè)務(wù)遭受巨額虧損。
市場(chǎng)開(kāi)始復(fù)蘇,三星傳調(diào)漲內(nèi)存芯片高達(dá)20%
隨著行動(dòng)內(nèi)存芯片市場(chǎng)跡象顯示出復(fù)蘇跡象,并且最早在第四季度供不應(yīng)求,三星電子已宣布將提高動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和NAND閃存芯片的價(jià)格,幅度達(dá)到...
半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的重要特征? 半導(dǎo)體和導(dǎo)體是電子領(lǐng)域中的兩個(gè)重要概念,它們雖然有些相似,但是在性質(zhì)、應(yīng)用和制造過(guò)程等方面都有重要的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹半...
2023-08-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體內(nèi)存芯片數(shù)字信號(hào)處理器 5714 0
芯盛智能MP2000Pro SSD,開(kāi)源架構(gòu)護(hù)航數(shù)據(jù)信息存儲(chǔ)安全
密碼是國(guó)家的重要手段,是國(guó)家重要的戰(zhàn)略資源,也是保障網(wǎng)絡(luò)和信息安全的核心技術(shù)和基礎(chǔ)基地。芯盛智能mp2000 pro安全ssd使用sm2/3/4國(guó)家密碼...
AI加速存儲(chǔ)芯片反轉(zhuǎn) HBM芯片崛起
HBM(High Bandwidth Memory)是一種創(chuàng)新的CPU/GPU內(nèi)存芯片,它通過(guò)堆疊多個(gè)DDR芯片并與GPU封裝在一起,實(shí)現(xiàn)了高容量和高位...
據(jù)路透社報(bào)道,Refinitiv SmartEstimate對(duì)27位分析師進(jìn)行的一項(xiàng)調(diào)查顯示,這家全球最大的內(nèi)存芯片、智能手機(jī)和電視制造商今年第二季度的...
雅創(chuàng)電子擬購(gòu)買WE剩余86%股權(quán) 加快東南亞市場(chǎng)布局
we作為電子零部件產(chǎn)業(yè)的代理流通企業(yè),擁有優(yōu)秀的產(chǎn)品生產(chǎn)線的資源,主要供應(yīng)商的海力士、三星、世特科、新飛通等國(guó)際著名廠商,主要內(nèi)存芯片、陶瓷電容器、貼片...
電腦U盤內(nèi)存芯片與PCB板的粘接加固用底部填充膠案例
電腦U盤內(nèi)存芯片與PCB板的粘接加固用底部填充膠案例由漢思新材料提供涉及部件:內(nèi)存芯片與PCB板的粘接加固問(wèn)題點(diǎn):超聲波熔接外殼后功能測(cè)試不良15%應(yīng)用...
W632GU6MB09JW632GU6MB-11W632GU6MB11I華邦內(nèi)存芯片
W632GU6MB09JW632GU6MB-11W632GU6MB11I華邦內(nèi)存芯片威剛第三季因NANDFlash庫(kù)存跌價(jià)損失,每股獲利降至1元以下,但...
2022-02-21 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片 1411 0
W66BM6NBUAFI華邦閃存W66BM6NBUAGI芯片
W66BM6NBUAFI華邦閃存W66BM6NBUAGI芯片英特爾新一代Haswell處理器6月2日正式解禁,在全球各大OEM廠推出的新機(jī)種同步開(kāi)始放量...
2022-02-20 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片 1400 0
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