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標(biāo)簽 > 內(nèi)存芯片
“內(nèi)存顆?!笔侵袊叟_(tái)地區(qū)對內(nèi)存芯片的一種稱呼(僅對內(nèi)存),其他的芯片則稱為“晶片”。晶片經(jīng)過封裝之后就成為一個(gè)閃存顆粒。
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內(nèi)存芯片市場開始出現(xiàn)改善跡象 三星今年運(yùn)營利潤最高可能提升40%
對于三星來說,本周他們給出的去年第四季度財(cái)報(bào)預(yù)期時(shí)指出,公司的利潤可能會(huì)跌幅超50%以上,主要是內(nèi)存等芯片價(jià)格下滑所致,不過他們看起來并不擔(dān)心。
ChatGPT:高算力AI應(yīng)用持續(xù)推動(dòng)內(nèi)存芯片升級
ChatGPT 全稱為 Chat Generative Pre-trained Transformer,直譯為“生成型預(yù)訓(xùn)練變換模型”,是 OpenAI...
AI加速存儲(chǔ)芯片反轉(zhuǎn) HBM芯片崛起
HBM(High Bandwidth Memory)是一種創(chuàng)新的CPU/GPU內(nèi)存芯片,它通過堆疊多個(gè)DDR芯片并與GPU封裝在一起,實(shí)現(xiàn)了高容量和高位...
全球研究人員齊聚“NeuRRAM”神經(jīng)形態(tài)芯片
這些團(tuán)隊(duì)開發(fā)了第一個(gè)內(nèi)存計(jì)算芯片,以比其他平臺(tái)更低的能量和更高的精度來處理一系列 AI 應(yīng)用程序。 邊緣 AI 計(jì)算的圣杯是同時(shí)提供高效率、高性能和多功...
SK海力士開發(fā)出下一代智能內(nèi)存芯片技術(shù)PIM
SK海力士(或‘公司’)今日宣布,公司已開發(fā)出具備計(jì)算功能的下一代內(nèi)存半導(dǎo)體技術(shù)“PIM(processing-in-memory,內(nèi)存中處理)”1)。
2022-02-16 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)內(nèi)存芯片 1797 0
DRAM內(nèi)存芯片明年一季度價(jià)格將迎來上漲
前兩年瘋狂了一陣后,內(nèi)存、SSD的價(jià)格已經(jīng)跳水很長一段時(shí)間了。
彭博社發(fā)文稱,由于PC市場低迷等因素,內(nèi)存芯片制造業(yè)處境艱難,全球八大廠商僅三家盈利,部分較小廠商選擇轉(zhuǎn)行或謀求并購,而分析人士認(rèn)為該行業(yè)最終或?qū)⒑喜⑷?..
2011-09-01 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片 1675 0
Micron推出2GB和4GB的DDR3-2133內(nèi)存芯片
Micron近日宣布將推出2GB和4GB的DDR3-2133內(nèi)存芯片,采用30nm制造工藝,這種芯片能夠進(jìn)一步融入到SoC芯片和顯卡芯片中提供“超性能”...
三星電子瞄準(zhǔn)2024年?duì)I業(yè)利潤目標(biāo) 中國存儲(chǔ)份額占據(jù)全球第二
三星電子2024年的營業(yè)利潤總額將達(dá)到33.8萬億韓元。這表明,三星電子正積極應(yīng)對市場變化,努力提升其業(yè)務(wù)表現(xiàn)。
電腦U盤內(nèi)存芯片與PCB板的粘接加固用底部填充膠案例
電腦U盤內(nèi)存芯片與PCB板的粘接加固用底部填充膠案例由漢思新材料提供涉及部件:內(nèi)存芯片與PCB板的粘接加固問題點(diǎn):超聲波熔接外殼后功能測試不良15%應(yīng)用...
三星全球最快內(nèi)存芯片投產(chǎn) 將用于Galaxy S4?
三星便在官網(wǎng)上宣布推出了世界上最快的嵌入式NAND芯片,并表示將用于下一代移動(dòng)產(chǎn)品。
Gartner:2018年全球半導(dǎo)體營收達(dá)4767億美元,2019內(nèi)存芯片需求下滑
本文來自Gartner報(bào)告,本文作為轉(zhuǎn)載分享。 內(nèi)存芯片成為近兩年半導(dǎo)體領(lǐng)域增長最快的產(chǎn)品,但是最新內(nèi)存芯片的主導(dǎo)廠商三星卻對2019年這個(gè)市場看淡,據(jù)...
搶食蘋果移動(dòng)芯片大單 三星砸40億美元擴(kuò)德州芯片廠
北京時(shí)間8月21日消息,三星電子周二宣布,將向其位于美國德州奧斯汀市的芯片工廠投資40億美元,用于更新現(xiàn)有芯片生產(chǎn)線,以促進(jìn)系統(tǒng)芯片產(chǎn)量。這種芯片被...
W632GU6MB09JW632GU6MB-11W632GU6MB11I華邦內(nèi)存芯片
W632GU6MB09JW632GU6MB-11W632GU6MB11I華邦內(nèi)存芯片威剛第三季因NANDFlash庫存跌價(jià)損失,每股獲利降至1元以下,但...
2022-02-21 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片 1415 0
W66BM6NBUAFI華邦閃存W66BM6NBUAGI芯片
W66BM6NBUAFI華邦閃存W66BM6NBUAGI芯片英特爾新一代Haswell處理器6月2日正式解禁,在全球各大OEM廠推出的新機(jī)種同步開始放量...
2022-02-20 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片 1411 0
消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片
據(jù)報(bào)道,三星將在即將到來的2024年IEEE國際固態(tài)電路峰會(huì)上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。這次峰會(huì)將是全球固態(tài)電路領(lǐng)域的一次盛會(huì),匯集了眾多業(yè)內(nèi)頂尖專家和企業(yè)...
HBM新技術(shù),橫空出世:引領(lǐng)內(nèi)存芯片創(chuàng)新的新篇章
隨著人工智能、高性能計(jì)算(HPC)以及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的快速發(fā)展,對內(nèi)存帶寬和容量的需求日益增長。傳統(tǒng)的內(nèi)存技術(shù),如DDR和GDDR,已逐漸難以滿足這些新...
2025-03-22 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片HBM半導(dǎo)體設(shè)備 1296 0
鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片
鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片 鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)...
新發(fā)明的透明柔性3D存儲(chǔ)芯片會(huì)成為小存設(shè)備中的一件大事。這種新的內(nèi)存芯片透明柔韌,可以像紙一樣折疊,而且可以耐受1000華氏度的溫度
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