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      標(biāo)簽　>　刻蝕

      刻蝕

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      刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻 ［1］ 相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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      2022-04-07 標(biāo)簽：工藝刻蝕 3172 0

      采用三種刻蝕方法制備黑硅材料

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      2022-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 3229 0

      采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅

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      本文介紹了我們?nèi)A林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅，樣品在250~1000nm波長下的吸收率接近90%。實驗結(jié)果表明，氮化硅膜作為掩模濕...

      2022-03-29 標(biāo)簽：測試材料刻蝕 1078 0

      通過兩步濕法刻蝕法制備黑硅

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      本研究對黑硅的形成進行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結(jié)構(gòu)包括兩個步驟。第一步：濕酸性蝕刻凹坑狀形態(tài)，具有降低紋理化溫度的新解決方案；第二步：通過金屬輔助蝕...

      2022-03-29 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 1124 0

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      2022-03-29 標(biāo)簽：晶圓單晶硅刻蝕 1408 0

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      2022-01-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 2569 0

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      我們提出了一種觀察鋁層蝕刻截面的方法，并將其應(yīng)用于靜止蝕刻蝕刻的試件截面的觀察。觀察結(jié)果成功地闡明了蝕刻截面幾何形狀的時間變化，和抗蝕劑寬度對幾何形狀的...

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      2021-12-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體襯底光刻膠 1647 0

      兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕

      反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個剝離的例子。總的來說，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件...

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      微全分析系統(tǒng)的概念是在1990年首欠由瑞士Ciba2Geigy公司的Manz與Widmer提出的，當(dāng)時主要強調(diào)了分析系統(tǒng)的微與全，及微管道網(wǎng)絡(luò)的MEMS...

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      深度解讀TSV 的工藝流程和關(guān)鍵技術(shù)

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