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標(biāo)簽 > 功率分立器件
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按照器件結(jié)構(gòu),分為二極管、功率晶體管、晶閘管等,其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MO...
2023-05-06 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 6138 0
產(chǎn)品資訊 全新40V STripFET F8 MOSFET,性能先進(jìn)且EMI極低 具有出色的本體二極管恢復(fù)軟度,可確保您的高性能解決方案符合相關(guān)要求。 ...
日前,長電科技舉辦了2023年第二期線上技術(shù)論壇,主題聚焦功率器件封裝及應(yīng)用,與業(yè)界交流長電科技在這一領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)驗與創(chuàng)新。 功率半導(dǎo)體器件目前廣泛應(yīng)用...
國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備品牌各有所長!
華峰測控和長川科技各有所長。華峰測控在功率測試上的產(chǎn)品有兩款:STS 8202是 國內(nèi)率先投入量產(chǎn)的32工位全浮動的MOSFET晶圓測試系統(tǒng);STS 8...
2023-03-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體功率分立器件 5881 0
華虹NEC掌握了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的深溝槽型大功率MOS器件工藝和超級結(jié)高壓大功率MOSFET器件工藝,正在進(jìn)行IGBT技術(shù)攻關(guān),已取得顯著進(jìn)展,以助力早...
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