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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1827個(gè) 瀏覽：92449次 帖子：50個(gè)

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      二極管失效的主要原因

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      對普通整流二極管來講，只要應(yīng)用電路中存在電網(wǎng)波動、同網(wǎng)中的大功率設(shè)備開啟關(guān)斷、雷擊、開關(guān)火花、大容量的感性負(fù)載、大容量的容性負(fù)載這些情況下，瞬間電壓高于...

      2023-06-16 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體整流二極管 4548 0

      1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？

      1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？

      近年來，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場導(dǎo)入速度加快，但與硅相比成本較高的問題依然存在。

      2023-06-15 標(biāo)簽：功率器件GaN功率半導(dǎo)體 1037 0

      垂直型GaN-on-GaN功率二極管浪涌特性研究

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      近日，中國科大微電子學(xué)院兩篇論文入選第35屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會議（IEEE ISPSD）。IEEE ISPSD是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域...

      2023-06-13 標(biāo)簽：二極管MOSFET半導(dǎo)體 1630 0

      一種基于全HVPE生長的垂直GaN肖特基勢壘二極管

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      近日，由深圳大學(xué)和深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院組成的科研團(tuán)隊(duì)，研發(fā)出了“基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘...

      2023-06-13 標(biāo)簽：二極管功率器件GaN 1920 0

      常見的功率半導(dǎo)體器件封裝用陶瓷基板材料

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      功率電子器件即功率半導(dǎo)體器件（power electronic device），通常是指用于控制大功率電路的電子器件（數(shù)十至數(shù)千安培的電流，數(shù)百伏以上的...

      2023-06-09 標(biāo)簽：封裝IGBT功率器件 3435 0

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      SiC（碳化硅）功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關(guān)損耗等特性，能有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，受到了新能源汽車、光伏發(fā)...

      2023-06-09 標(biāo)簽：汽車電子功率器件SiC 1163 0

      B1506A功率器件分析儀在車規(guī)級大功率半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用

      “降價(jià)了降價(jià)了?。?！某某汽車又降價(jià)了，最近的汽車交易市場價(jià)格戰(zhàn)打的火熱啊，趕緊抓住機(jī)會，搞一輛新車，到底是買傳統(tǒng)車還是新能源呢？別急，我們講一下新能源新在哪里。

      2023-06-09 標(biāo)簽：新能源汽車DC-DC功率器件 1362 0

      什么是氮化鎵半導(dǎo)體 氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用

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      氮化鎵元件一個(gè)很大的優(yōu)勢在于它極快的開關(guān)速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時(shí)由于沒有體二極管pn結(jié)，因此在硬開關(guān)中，沒有相關(guān)的反向...

      2023-06-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵無刷直流電機(jī) 1030 0

      SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較

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      超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...

      2023-06-08 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 4339 0

      納微半導(dǎo)體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實(shí)現(xiàn)最佳充電效果

      碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導(dǎo)體材料，正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片，應(yīng)用于可再生能源、儲能、 微網(wǎng)、電動汽車和工業(yè)應(yīng)用等高功率、高壓應(yīng)用領(lǐng)域。

      2023-06-07 標(biāo)簽：功率器件充電樁碳化硅 566 0

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      特斯拉自研BMS系統(tǒng)設(shè)計(jì)采用主從架構(gòu)，主控制器 (BMU) 負(fù)責(zé)高壓、絕緣測試、高壓互鎖、 接觸器控制、對外部通信等功能，從控制器 (BMB) 負(fù)責(zé)單體...

      2023-06-07 標(biāo)簽：接觸器特斯拉功率器件 364 0

      AMB活性金屬焊接陶瓷基板的性能及應(yīng)用

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      第三代半導(dǎo)體（氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等）的崛起和發(fā)展推動了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進(jìn)，對封裝基板...

      2023-06-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 7128 0

      導(dǎo)入寬帶隙半導(dǎo)體 滿足高瓦數(shù)電源供應(yīng)需求

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      益登科技 300W 電源解決方案采用以 SiC/GaN 為材料的 MOSFET 和肖特基勢壘二極管，以降低開關(guān)損耗和恢復(fù)損耗，搭配 PFC 和 LLC ...

      2023-06-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件數(shù)字控制器 673 0

      常見材料導(dǎo)熱系數(shù)匯總

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      通常把導(dǎo)熱系數(shù)較低的材料稱為保溫材料(我國國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，凡平均溫度不高于350℃時(shí)導(dǎo)熱系數(shù)不大于0.12W/(m·K)的材料稱為保溫材料），而把導(dǎo)熱系數(shù)...

      2023-06-01 標(biāo)簽：功率器件導(dǎo)熱 2.4萬 0

      淺談新能源汽車電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用

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      基本半導(dǎo)體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn)，目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動應(yīng)用等核心技術(shù)，申請兩百余項(xiàng)發(fā)明專利，產(chǎn)品性能...

      2023-06-01 標(biāo)簽：新能源汽車IGBT電機(jī)控制器 1129 0

      圖文并茂告訴你MOSFET的驅(qū)動技術(shù)有哪些？

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      MOSFET的全稱為：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文通常稱之為，金屬-氧化層-...

      2023-06-01 標(biāo)簽：模擬電路MOSFET晶體管 786 0

      功率器件結(jié)溫監(jiān)測技術(shù)研究

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      ? ? ? ? 審核編輯：彭靜

      2023-05-31 標(biāo)簽：功率器件監(jiān)測技術(shù) 719 0

      半導(dǎo)體芯片學(xué)習(xí)筆記-熱特性02

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      上次了解了熱阻，我們知道了熱阻類似電阻，可以看成表征導(dǎo)熱快慢的物理量，熱阻Rth=溫度差ΔT/功率P

      2023-05-30 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 2401 0

      功率器件IGBT用到的導(dǎo)熱材料機(jī)理和作用

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      隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的進(jìn)步與發(fā)展，電子產(chǎn)品的發(fā)展趨向于微型化和密集化，電子器件的功率計(jì)散熱要求也隨之增加。

      2023-05-29 標(biāo)簽：散熱器IGBT功率器件 1348 0

      電驅(qū)動系統(tǒng)集成包括哪些

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      ? ? ? ? ? 高集成度：從零部件到多合一，向集成化一體化整合 新能源汽車在輕量化、降成本和優(yōu)化空間布局等性能指標(biāo)要求越來越高，電驅(qū)系統(tǒng)集成化產(chǎn)品成...

      2023-05-26 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器功率器件電驅(qū)動 3651 0

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        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        OpenWrt 可以被描述為一個(gè)嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對比一個(gè)單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個(gè)完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        JDI
        +關(guān)注
        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口。基于這些接口，調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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        +關(guān)注
        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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        麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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        米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計(jì)費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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