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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1827個(gè) 瀏覽：92448次 帖子：50個(gè)

      功率器件技術(shù)

      碳化硅功率器件的可靠性應(yīng)用

      碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面。

      2023-04-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車新能源汽車逆變器 1095 0

      絕緣柵GaN基平面功率開(kāi)關(guān)器件技術(shù)

      絕緣柵GaN基平面功率開(kāi)關(guān)器件技術(shù)

      GaN基功率開(kāi)關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵...

      2023-04-29 標(biāo)簽：功率器件GaN開(kāi)關(guān)器件 2040 0

      絕緣柵Si基GaN平面器件關(guān)鍵工藝

      絕緣柵Si基GaN平面器件關(guān)鍵工藝

      傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高...

      2023-04-29 標(biāo)簽：功率器件GaN金屬 2135 0

      一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)方案

      一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)方案

      通過(guò)對(duì)現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻(xiàn)的總結(jié)，從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。

      2023-04-26 標(biāo)簽：pcb半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 2162 0

      SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng)，相電流監(jiān)測(cè)2

      SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng)，相電流監(jiān)測(cè)2

      開(kāi)關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT，MOS并不是理想開(kāi)關(guān)器件，其開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的，如果兩端有電壓，將導(dǎo)致直流電源短路，損壞橋臂...

      2023-04-24 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)IGBTMOS 1366 0

      SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng)，相電流監(jiān)測(cè)1

      SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng)，相電流監(jiān)測(cè)1

      開(kāi)關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT，MOS并不是理想開(kāi)關(guān)器件，其開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的，如果兩端有電壓，將導(dǎo)致直流電源短路，損壞橋臂...

      2023-04-24 標(biāo)簽：元器件IGBTMOS 3865 0

      液相法、3C-SiC！中科院又取得新成果

      液相法、3C-SiC！中科院又取得新成果

      該團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一個(gè)生長(zhǎng)3C-SiC的液相TSSG長(zhǎng)晶設(shè)備，其生長(zhǎng)過(guò)程是這樣的：首先，在高溫石墨坩堝區(qū)域中溶解C粉；然后在對(duì)流作用下，將C粉從高溫區(qū)輸送到低...

      2023-04-24 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 6095 0

      功率半導(dǎo)體器件陶瓷覆銅板用無(wú)氧銅帶

      陶瓷覆銅板是在高溫，流動(dòng)氣氛下銅帶與陶瓷基片通過(guò)高溫熔煉和擴(kuò)散過(guò)程而形成的一種高導(dǎo)熱、高絕緣強(qiáng)度的復(fù)合材料，既具有陶瓷的高導(dǎo)熱性、高電絕緣性、高機(jī)械強(qiáng)度...

      2023-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件工藝流程 2248 0

      MOS管燒毀的原因分析

      今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因，文字比較多點(diǎn)，不容易讀，希望大家可以認(rèn)真看完。

      2023-04-18 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管過(guò)電壓 3105 0

      功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)綜述

      功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)綜述

      在有限的封 裝空間內(nèi)，如何把芯片的耗散熱及時(shí)高效的釋放到外界環(huán)境中以降低芯片結(jié)溫及器件內(nèi)部各封裝材料的工作溫度，已成 為當(dāng)前功率器件封裝設(shè)計(jì)階段需要考慮...

      2023-04-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝功率器件 7036 0

      淺談降低MOSFET損耗和及EMI性能提高

      MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是...

      2023-04-18 標(biāo)簽：MOSFETemi功率器件 2633 0

      碳化硅MOSFET在電動(dòng)汽車熱管理系統(tǒng)中的研究

      我國(guó)擁有世界最大的汽車消費(fèi)市場(chǎng),為堅(jiān)持可持續(xù)發(fā)展基本國(guó)策,需大力發(fā)展環(huán)保?節(jié)能?經(jīng)濟(jì)的電動(dòng)汽車[1]?車主因擔(dān)心駕駛電動(dòng)汽車突然沒(méi)電引起的焦慮問(wèn)題主要有...

      2023-04-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFET功率器件 1637 0

      電力電子裝置EMI濾波器平面集成研究

      順應(yīng)逆變器高頻化和集成化發(fā)展，針對(duì)開(kāi)關(guān)頻率提高所帶來(lái)嚴(yán)重的電磁干擾問(wèn)題，采用平面磁集成結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)雙級(jí)EMI濾波器。在EIE型磁芯上實(shí)現(xiàn)雙級(jí)EMI濾波器所需...

      2023-04-16 標(biāo)簽：電磁兼容濾波器功率器件 1516 0

      SiC MOSFET的溫度特性及結(jié)溫評(píng)估研究進(jìn)展

      與 Si 器件相比， SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能， 新特性給其結(jié)溫評(píng)估帶來(lái)了新挑 戰(zhàn)， 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評(píng)估方法可能不再適用于 Si...

      2023-04-15 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體功率器件 5079 0

      如何避免MOSFET常見(jiàn)問(wèn)題和失效模式

      今天給兄弟們分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)，如何避免常見(jiàn)問(wèn)題和故障模式》，依然是我覺(jué)得比較好的。

      2023-04-13 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 1385 0

      碳化硅電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)電磁兼容建模技術(shù)研究

      碳化硅功率器件依托其開(kāi)關(guān)性能的優(yōu)勢(shì)，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛地應(yīng)用，然而，其過(guò)快的開(kāi)關(guān)響應(yīng)速度及過(guò)大的開(kāi)關(guān)振蕩給系統(tǒng)帶來(lái)了嚴(yán)重的EMI問(wèn)題。通過(guò)采用理...

      2023-04-07 標(biāo)簽：電磁兼容驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)功率器件 1938 0

      ?電子封裝陶瓷基板

      伴隨著功率器件 (包括 LED、LD、IGBT、CPV 等) 不斷發(fā)展，散熱成為影響器件性能與可靠性的關(guān)鍵技術(shù)。對(duì)于電子器件而言，通常溫度每升高 10°...

      2023-03-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝功率器件 2962 0

      特斯拉的三電核心技術(shù)技術(shù)分析

      特斯拉車型采用CTC技術(shù)后，續(xù)航里程得到大幅提升、每千瓦時(shí)電池生產(chǎn)成本和資本投入也實(shí)現(xiàn)有效降低。

      2023-03-31 標(biāo)簽：動(dòng)力電池逆變器特斯拉 3001 0

      功率二極管和功率晶體管的國(guó)內(nèi)外研究總結(jié)

      對(duì) Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國(guó)內(nèi)外最新研究進(jìn)行了概括總結(jié)，展望了Ga2O3在未來(lái)的應(yīng)用與發(fā)展前景。

      2023-03-30 標(biāo)簽：功率器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 543 0

      開(kāi)關(guān)電源如何抑制紋波噪聲

      低頻紋波是與輸出電路的濾波電容容量相關(guān)。由于開(kāi)關(guān)電源體積的限制，電解電容的容量不可能無(wú)限制地增加，導(dǎo)致輸出低頻紋波的殘留，該輸出紋波頻率隨整流電路方式的...

      2023-03-29 標(biāo)簽：變壓器DCDC變換器功率器件 585 0

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        工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡(jiǎn)稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動(dòng)軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動(dòng)接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
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        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開(kāi)放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問(wèn)網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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        麒麟960
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        麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動(dòng)設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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        米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開(kāi)發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開(kāi)發(fā)工具、充電樁計(jì)費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
      • ARM公司
        ARM公司
        +關(guān)注
        ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過(guò)轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時(shí)稱作分頁(yè)內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問(wèn)請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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        OMAP-L138是美國(guó)德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器 （DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開(kāi)發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對(duì)高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長(zhǎng)電池使用壽命的需求。
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