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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1827個(gè) 瀏覽：92445次 帖子：50個(gè)

      功率器件技術(shù)

      功率二極管的功率特性是什么

      功率二極管的功率特性是指它在電路中的功率承受能力和穩(wěn)定性。 一般來(lái)說，功率二極管的承受功率與其封裝形式、材料、結(jié)構(gòu)等因素有關(guān)。常見的功率二極管封裝形式包...

      2023-02-18 標(biāo)簽：二極管功率二極管功率器件 1433 0

      功率二極管和普通二極管的區(qū)別有哪些

      功率二極管是一種用于大電流、大功率、高頻率應(yīng)用的半導(dǎo)體器件，其結(jié)構(gòu)類似于普通二極管，但其材料和工藝設(shè)計(jì)均不同于普通二極管，使其具有更高的承受電壓和電流能...

      2023-02-18 標(biāo)簽：二極管功率二極管功率器件 2830 0

      功率半導(dǎo)體的功能有哪些

      功率半導(dǎo)體是指用于高電壓、高電流應(yīng)用的半導(dǎo)體器件，其功能包括但不限于以下幾個(gè)方面： 開關(guān)控制：功率半導(dǎo)體器件常常用于開關(guān)控制電路中，通過控制其導(dǎo)通和截止...

      2023-02-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 2558 0

      功率器件的散熱計(jì)算

      功率器件及功率模塊的散熱計(jì)算，其目的是在確定的散熱條件下選擇合適的散熱器，以保證器件或模塊安全、可靠地工作。目前的電子產(chǎn)品主要采用貼片式封裝器件，但大功...

      2023-02-16 標(biāo)簽：模塊散熱器功率器件 1515 0

      微波功率器件材料是什么

      微波半導(dǎo)體器件在微波系統(tǒng)中能發(fā)揮各方面性能，歸納起來(lái)，即在微波功率產(chǎn)生及放大，控制、接收三個(gè)方面。而微波功率器件要求有盡可能大的輸出功率和輸出效率及功率...

      2023-02-16 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體器件微波功率 1667 0

      IGBT的使用與保護(hù)

      目前IGBT 的電流/電壓等級(jí)已達(dá)1800A/1200V，關(guān)斷時(shí)間已經(jīng)縮短到40ns，工作頻率可達(dá)40kHz，擎住現(xiàn)象得到改善，安全工作區(qū)（SOA）擴(kuò)大...

      2023-02-16 標(biāo)簽：開關(guān)電源IGBT功率器件 3715 0

      功率器件在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用

      功率器件在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用主要有三個(gè)方面：首先，功率器件可以用來(lái)控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速，從而實(shí)現(xiàn)變頻控制；其次，功率器件可以用來(lái)控制電機(jī)的功率，從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能...

      2023-02-16 標(biāo)簽：功率器件變頻技術(shù)控制電機(jī) 474 0

      開關(guān)電源功率器件的散熱

      開關(guān)電源功率器件的散熱

      電源功率器件的散熱主要有熱封裝技術(shù)、冷封裝技術(shù)和散熱器技術(shù)。熱封裝技術(shù)是將電子元件封裝在一個(gè)熱熔膠中，以保護(hù)元件免受外界環(huán)境的損害，并使元件能夠正常工作...

      2023-02-16 標(biāo)簽：電源散熱器功率器件 953 0

      功率器件選購(gòu)須知要素

      功率器件的選擇要根據(jù)應(yīng)用環(huán)境、工作條件和性能要求等因素進(jìn)行綜合考慮。首先，要考慮功率器件的工作溫度范圍，以確定功率器件的耐溫性能。其次，要考慮功率器件的...

      2023-02-16 標(biāo)簽：封裝功率器件散熱性能 949 0

      SiC功率器件的封裝形式

      SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層，且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底...

      2023-02-16 標(biāo)簽：封裝技術(shù)功率器件SiC 4593 0

      化學(xué)氣相沉積法碳化硅外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展

      碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來(lái)隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長(zhǎng)速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在...

      2023-02-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝功率器件 1.1萬(wàn) 0

      功率MOSFET心得

      功率MOSFET是較常使用的一類功率器件?！癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的...

      2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 798 0

      功率器件的保護(hù)方法

      功率器件的選擇應(yīng)根據(jù)電路的要求，考慮功率器件的功率、電壓、電流、溫度、頻率等參數(shù)，以及功率器件的尺寸、重量、成本等因素，以確保功率器件的可靠性和性能。

      2023-02-15 標(biāo)簽：電路電流功率器件 903 0

      伺服驅(qū)動(dòng)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及開發(fā)趨勢(shì)

      值得關(guān)注的還有機(jī)械諧振抑制技術(shù)和多軸驅(qū)動(dòng)一體化技術(shù)的發(fā)展。目前一些主流品牌或高檔伺服系統(tǒng)都已具備這種諧振抑制功能，而且均能提供四到五個(gè)不同諧振范圍的機(jī)械...

      2023-02-15 標(biāo)簽：控制器半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 3374 0

      硅基氮化鎵怎么制作的 硅基氮化鎵的工藝流程

      　　硅基氮化鎵功率器件是一種新型的功率器件，它可以提高功率器件的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高功率器件的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。

      2023-02-14 標(biāo)簽：功率器件硅基氮化鎵 1897 0

      背后功率器件那些事兒：MOSFET、IGBT及碳化硅的應(yīng)用

      當(dāng)充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢(shì)越來(lái)越明顯，高性能MOSFET的需求也越來(lái)越大，通過改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)MOSFET應(yīng)運(yùn)而生了。

      2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 2036 0

      一種陽(yáng)極連接P型埋層的AlGaN/GaN肖特基二極管

      一種陽(yáng)極連接P型埋層的AlGaN/GaN肖特基二極管

      最近，AlGaN/GaN肖特基二極管（SBD）受到了越來(lái)越多的關(guān)注。該器件具有關(guān)斷速度快、擊穿電壓高導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)，因而被業(yè)界廣泛地認(rèn)為是下一代功率器...

      2023-02-13 標(biāo)簽：二極管功率器件GaN 1622 0

      硅基氮化鎵用處

      硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，可有效縮小功率器件體積，提高功率器件效率，對(duì)傳統(tǒng)硅材料功率器 件進(jìn)行替代。

      2023-02-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件硅基氮化鎵 782 0

      如何利用IT2800源表快速實(shí)現(xiàn)MOSFET器件的I-V特性測(cè)試？

      MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，是電路設(shè)計(jì)中常用的功率開關(guān)器件，為壓控器件;其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流，具備驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)功率小，開關(guān)...

      2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管功率器件 1079 0

      DIPIPM?的PCB設(shè)計(jì)（2）

      DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡(jiǎn)稱，由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場(chǎng)，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...

      2023-02-12 標(biāo)簽：pcbIGBTPCB設(shè)計(jì) 2816 0

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        工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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