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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎。
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英飛凌CoolSiC? MOSFET G2,助力下一代高性能電源系統(tǒng)
所有現(xiàn)代硅功率器件都基于溝槽技術,并已取代了平面技術,那么碳化硅呢?就碳化硅而言,溝槽設計在性能優(yōu)勢方面與Si功率MOSFET技術的發(fā)展有許多相似之處。...
碳化硅(SiC)功率器件市場的爆發(fā)與行業(yè)展望
隨著全球?qū)﹄妱悠嚱蛹{度的逐漸提高,碳化硅(SiC)在未來的十年里將迎來全新的增長機遇。預計,將來功率半導體的生產(chǎn)商和汽車行業(yè)的運作商會更積極地參與到這...
像GaN、SiC,、第三代半導體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導體分立器件,常用在電子電力系統(tǒng)中進行變壓、變頻、變流及功率管理等。功率...
2024-04-29 標簽:半導體電力系統(tǒng)功率器件 1566 0
功率循環(huán)對IGBT 壽命的影響——準確估算功率器件的壽命
內(nèi)容摘要供應商們正在努力提高絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、Si和SiCMOSFET以及其他功率器件的最大功率水平和電流負載能力,并同時保持高質(zhì)量a和可靠...
2024-04-26 標簽:功率器件IGBTS功率循環(huán)測試 1730 0
在當今追求高效能、高耐用性的電力電子領域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其卓越性能,成為了領域內(nèi)的明星產(chǎn)品,它的出現(xiàn)預示著一次技術革命的悄然到來。
功率循環(huán)對IGBT壽命有何影響?如何準確估算功率器件的壽命呢?
運行過程中產(chǎn)生的高結溫和高溫度梯度會引起機械應力,尤其是在具有不同熱膨脹系數(shù)的材料之間的接觸面上,這可能導致這些器件性能退化甚至完全失效。
如何利用 GaN 功率器件實現(xiàn)出色的中等功率電機變頻器
作者:Bill Schweber 對更高效利用能源的推動、更嚴格的法規(guī)要求以及低溫運行的技術優(yōu)勢,所有這些都為近來降低電機功耗的舉措提供了支持。雖然硅 ...
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