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標簽 > 功率器件
功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導體器件基礎。
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一般的共享電源和數(shù)據(jù)接口經(jīng)過編碼，可減少信號直流成分，從而在發(fā)送交流信號成分時簡化系統(tǒng)設計。但是，許多數(shù)字輸出傳感器接口（例如，SPI和I2C）尚未經(jīng)過...
SiC功率器件市場正處于快速增長階段，特別是在汽車電動化趨勢的推動下，其市場規(guī)模預計將持續(xù)擴大。 根據(jù)Yole Group的報告，汽車行業(yè)對SiC功...
電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導體的需求尤為強勁。
隨著全球對能效和環(huán)保的要求日益提高，傳統(tǒng)硅基半導體器件逐漸暴露出其性能瓶頸，特別是在高溫、高壓和高頻應用場景中。
SiC市場格局仍由海外巨頭主導，市占率排名依次是：意法半導體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機等。
傳統(tǒng)的GaN異質外延主要在藍寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底，在剝離的過程中，如藍寶石就特別困難，會產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本，且剝離技術也有待進一步提高。
碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩(wěn)定的半導體特性。
由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫升（即殼溫與環(huán)境溫度的差異）。
隨著全球對高效能源的不斷追求和電子技術的快速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達到其性能邊界。
整流橋就是將整流管封在一個殼內(nèi)，分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導體材料，與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強度和熱導率。
本文采用的DTS（DieTopSystem）技術結合了芯片雙面銀燒結工藝與銅線鍵合工藝，此技術能夠避免直接在芯片上進行銅線鍵合時造成的芯片損傷。
功率電子產(chǎn)品的應用已擴展到相當多的行業(yè)，如汽車，航空航天和軍事行業(yè)。高功率電子設備需要能夠適應更高的使用溫度（>250°C），這大大增加了對設備材...
碳化硅功率器件利用SiC半導體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導率，以及更高的臨界擊穿電場強度。
使用帶有地線環(huán)的示波器探頭，將探針直接接觸正輸出的管腳，線環(huán)直接接觸負輸出的管腳，這是由于使得環(huán)路盡量短，這樣從示波器中讀出的峰值為輸出線上的紋波與噪聲。
隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展，SiC/GaN 功率器件的應用越來越廣泛，工程師經(jīng)常要測量頻率高達數(shù)百 kHz，電流高達數(shù)十安培的功率電路。
HIP247和TO247是兩種常見的封裝類型，用于電子元件，特別是功率器件的封裝。盡管它們在名稱上非常相似，但其實它們在尺寸、結構、材料和應用方面存在一...
降低高/低功率器件干擾耦合的設計原則。在蜂窩電話PCB上，通?？梢詫⒌驮胍舴糯笃麟娐贩旁赑CB的某一面，而將高功率放大器放在另一面，并最終通過雙工器把...
雙脈沖測試系統(tǒng)：該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號，以模擬實際工作中的開關動作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率，以滿足測試需求。
2024-03-11 標簽：測試系統(tǒng)IGBT功率器件 4153 0
雙脈沖測試是電力變壓器和互感器的一種常見測試方法，其主要目的是評估設備的性能和準確性，確保其符合設計要求和運行標準。
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