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標(biāo)簽 > 功率晶體管
功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點(diǎn)。特別適合在集成電路中作功率器件。
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TPS65251-3 4.5V 至 18V 輸入、3A/2A/2A 輸出、同步三通道降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS65251-x 具有三個同步寬輸入范圍、高效率降壓轉(zhuǎn)換器。這些轉(zhuǎn)換器旨在簡化其應(yīng)用,同時讓設(shè)計(jì)人員可以選擇根據(jù)目標(biāo)應(yīng)用優(yōu)化其使用。 這些轉(zhuǎn)換...
2025-06-27 標(biāo)簽:電容器電感器降壓轉(zhuǎn)換器 90 0
TPS65251-2 4.5V 至 18V 輸入、3A/2A/2A 輸出、同步三通道降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS65251-x 具有三個同步寬輸入范圍、高效率降壓轉(zhuǎn)換器。這些轉(zhuǎn)換器旨在簡化其應(yīng)用,同時讓設(shè)計(jì)人員可以選擇根據(jù)目標(biāo)應(yīng)用優(yōu)化其使用。 這些轉(zhuǎn)換...
2025-06-27 標(biāo)簽:電阻器電感器降壓轉(zhuǎn)換器 100 0
UCC20225 2.5kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC20225 是一款隔離式單輸入、雙輸出柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流,采用 5mm x 5mm LGA-13 封裝。它旨在...
UCC20225-Q1 汽車2.5kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC20225-Q1 系列是單輸入、雙輸出隔離式柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流,采用 5mm x 5mm LGA-13 封裝。...
UCC20225A-Q1 汽車級 2.5kVrms、4A/6A 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC20225-Q1 系列是單輸入、雙輸出隔離式柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流,采用 5mm x 5mm LGA-13 封裝。...
UCC5870-Q1 用于 IGBT/SiC 的汽車級 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC5870-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶...
UCC5881-Q1 具有高級保護(hù)功能的汽車級 20A 實(shí)時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC5881-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動強(qiáng)度柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。...
MAX2602 3.6V、1W RF功率晶體管,適合900MHz應(yīng)用技術(shù)手冊
MAX2601/MAX2602是針對便攜式蜂窩和無線設(shè)備應(yīng)用優(yōu)化的射頻功率晶體管,采用三節(jié)鎳鎘/鎳氫電池或一節(jié)鋰離子電池供電。當(dāng)針對恒定包絡(luò)應(yīng)用(例如F...
MAX2601 3.6V、1W RF功率晶體管,適合900MHz應(yīng)用技術(shù)手冊
MAX2601/MAX2602是針對便攜式蜂窩和無線設(shè)備應(yīng)用優(yōu)化的射頻功率晶體管,采用三節(jié)NiCd/NiMH電池或一節(jié)鋰離子電池供電。當(dāng)針對恒定包絡(luò)應(yīng)用...
LP3883系列 具有使能功能的 3A 超低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
LP3883 是一款高電流、快速響應(yīng)穩(wěn)壓器,可以保持輸出電壓調(diào)節(jié),同時將輸入到輸出電壓的壓降降至最低。該器件采用 CMOS 工藝制造,采用兩種輸入電壓工...
類別:IC datasheet pdf 2024-08-06 標(biāo)簽:功率晶體管 184 0
BLL9G1214L-600/BLL9G1214LS-600雷達(dá)功率晶體管數(shù)據(jù)表立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-07-22 標(biāo)簽:雷達(dá)LDMOS功率晶體管 221 0
類別:IC datasheet pdf 2023-06-19 標(biāo)簽:晶體管功率晶體管 264 0
650V CoollMOS TM CFDA功率晶體管IPW65R080CFDA規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2022-10-12 標(biāo)簽:MOSFET功率晶體管 517 0
TOLL和DFN封裝CoolGaN? 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管
新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效,符合...
功率電子技術(shù)的快速發(fā)展,得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進(jìn)步,尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比,這些材料具有更高的擊穿電壓、...
英飛凌CoolGaN功率晶體管賦能SounDigital放大器,更小尺寸、更高保真
【2025年3月3日, 德國慕尼黑訊】 由于市場對于音頻設(shè)備的緊湊、輕便、高集成度和節(jié)能的需求越來越高,領(lǐng)先的音頻設(shè)備制造商在不斷提高音質(zhì)的同時,也在努...
應(yīng)用指南導(dǎo)讀 | 優(yōu)化HV CoolGaN?功率晶體管的PCB布局
作為寬禁帶半導(dǎo)體,氮化鎵(GaN)以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現(xiàn)代功率電子領(lǐng)域的新寵。然而,GaN器件的高速開關(guān)行為也對PCB布局設(shè)計(jì)提出了...
英飛凌IPD50N10S3L-16:高達(dá)180A電流的功率晶體管中文資料書
概述: 功率MOS場效應(yīng)晶體管是一種金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管,工作電壓最高達(dá)到1kV(SiC:2kV),具有高開關(guān)速度和最佳效率。 這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)在消費(fèi)電...
2024-08-12 標(biāo)簽:英飛凌MOS場效應(yīng)晶體管 515 0
蔚來汽車與芯聯(lián)集成SiC模塊合作項(xiàng)目C樣下線,即將進(jìn)入量產(chǎn)階段
“蔚來&芯聯(lián)集成合作伙伴大會暨蔚來自研SiC模塊C樣下線儀式”在芯聯(lián)集成紹興總部舉行,標(biāo)志著該項(xiàng)目即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。
GTO、IGBT等電力電子元件關(guān)斷的時候是不是都要負(fù)電壓的?
GTO、IGBT等電力電子元件關(guān)斷的時候是不是都要負(fù)電壓的? GTO和IGBT是兩種常見的電力電子元件,它們在關(guān)斷過程中確實(shí)需要負(fù)電壓。 首先,讓我們了...
三相半控橋式整流電路與三相全控整流電路相比有哪些特點(diǎn)
三相半控橋式整流電路與三相全控整流電路相比有哪些特點(diǎn) 三相半控橋式整流電路與三相全控整流電路是兩種常見的電力電子整流電路。它們在一些工業(yè)應(yīng)用中具有重要作...
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
SIC MOSFET在電路中的作用是什么? SIC MOSFET(碳化硅場效應(yīng)晶體管)是一種新型的功率晶體管,具有較高的開關(guān)速度和功率密度,廣泛應(yīng)用于多...
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