基于功率晶體管TIP33C和TIP34C的40W功率放大器電路圖

這是基于功率晶體管TIP33C和TIP34C為主要部分構(gòu)建的40W功率放大器的電路圖。它采用對(duì)稱(chēng)/雙電源供電。必須使用散熱器來(lái)防止晶體管過(guò)熱。

2023-07-31 標(biāo)簽：放大器電路圖PCB 3180 0

DC/DC評(píng)估篇損耗探討-損耗的簡(jiǎn)單計(jì)算方法

上一篇文章介紹了電源IC整體損耗的計(jì)算方法，即求出各部分的損耗并將這些損耗相加的方法。本文將在“簡(jiǎn)單”的前提下，介紹一種利用現(xiàn)有數(shù)據(jù)求出電源IC損耗的方法。

2023-02-23 標(biāo)簽：損耗電源IC功率晶體管 3133 0

基于BLY88C的15W FM發(fā)射機(jī)電路

這是發(fā)射功率輸出高達(dá)15W的遠(yuǎn)程FM發(fā)射器。這款15W調(diào)頻發(fā)射器使用功率晶體管BLY88C作為主發(fā)射放大器。

2022-06-09 標(biāo)簽：發(fā)射器調(diào)頻發(fā)射器功率晶體管 3133 0

120V或240V供電LED電路分享

您可以使用此電路圖輕松地從家用電源線(xiàn)激活 LED。您只需添加一個(gè)無(wú)極性電容器和一個(gè) 1Kohm / 1W 金屬氧化物電阻器，即可通過(guò)串聯(lián)連接從家用電源線(xiàn)...

2022-07-04 標(biāo)簽：電路圖功率放大器功率晶體管 3071 0

基于功率晶體管的150W功率放大器電路圖

這是使用功率晶體管搭建的150W功率放大器的電路圖。上面的電路本質(zhì)上是一個(gè)單通道電路。要使其成為立體聲通道，您必須構(gòu)建兩個(gè)相同的電路。對(duì)于小場(chǎng)地或大廳/...

2023-07-28 標(biāo)簽：電路圖功率放大器功放 3028 0

分享一個(gè)不錯(cuò)的400W功率放大器電路

這種400W功率放大器電路通常被稱(chēng)為“safari”放大器。以下電路設(shè)計(jì)僅適用于單通道，為雙/立體聲通道構(gòu)建兩個(gè)相同的電路。

2022-07-10 標(biāo)簽：功率放大器晶體管功率晶體管 2940 0

分享一個(gè)18W音頻放大器的電路圖

這是18W音頻放大器的電路圖。該電路非常簡(jiǎn)單且構(gòu)建成本低廉。它使用一對(duì)功率晶體管TIP41A和TIP42A進(jìn)行單通道操作。

2022-05-26 標(biāo)簽：電路圖音頻放大器功率晶體管 2934 0

基于兩個(gè)TDA2030的音頻放大器電路

通過(guò)連接兩個(gè)TDA2030廉價(jià)功率晶體管，我們可以創(chuàng)建一個(gè)可以提供更高功率的放大器。使用原理圖中的元件值，總放大器增益為32dB。如果我們使用TIP晶體...

2023-05-23 標(biāo)簽：TDA2030音頻電路功率晶體管 2901 0

有源逆變電路有哪些？

有源逆變電路是一種常見(jiàn)的電子電路，它能夠?qū)⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為交流電。有源逆變電路有多種類(lèi)型，每種類(lèi)型都有其特定的應(yīng)用和優(yōu)勢(shì)。

2023-12-26 標(biāo)簽：功率晶體管有源逆變電路三相交流電 2864 0

帶2SC2539的15W FM射頻放大器電路

這是一個(gè)基于射頻功率晶體管2SC2539的15W調(diào)頻射頻放大器電路。

2022-08-06 標(biāo)簽：FM射頻放大器功率晶體管 2835 0

氧化鎵異質(zhì)集成和異質(zhì)結(jié)功率晶體管研究

超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高和可實(shí)現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢(shì)， 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究?jī)r(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。

2023-07-27 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基二極管熱管理 2590 0

同步整流降壓轉(zhuǎn)換器損耗的探討

PIC是電源用IC（在這里為功率晶體管外置同步整流降壓轉(zhuǎn)換器用控制器IC）的電源電流?；旧鲜荌C本身消耗的電流，是自身消耗電流。

2020-04-05 標(biāo)簽：PIC降壓轉(zhuǎn)換器功率晶體管 2322 0

常見(jiàn)的電機(jī)控制算法匯總整理

基于矢量的電機(jī)控制的一個(gè)固有優(yōu)勢(shì)是，可以采用同一原理，選擇適合的數(shù)學(xué)模型去分別控制各種類(lèi)型的AC, PM-AC 或者 BLDC電機(jī)。

2023-06-26 標(biāo)簽：電機(jī)控制emi步進(jìn)電機(jī) 2309 0

高耐壓超級(jí)結(jié)MOSFET的種類(lèi)與特征

上一篇介紹了近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來(lái)的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSF...

2023-02-10 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiC 2239 0

外延層在半導(dǎo)體器件中的重要性

只有體單晶材料難以滿(mǎn)足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此，1959年末開(kāi)發(fā)了薄層單晶材料生長(zhǎng)技外延生長(zhǎng)。那外延技術(shù)到底對(duì)材料的進(jìn)步有了什么具體的幫助呢？

2024-02-23 標(biāo)簽：光電器件功率器件電阻率 1708 0

基于BLW96的射頻放大器電路解析

BLW96是一款HF/VHF功率晶體管，適用于H.f.和v.h.f.頻段的A類(lèi)、AB類(lèi)和B類(lèi)操作的高功率工業(yè)和軍用傳輸設(shè)備。

2023-07-23 標(biāo)簽：放大器電路射頻放大器功率晶體管 1651 0