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標簽 > 功率模塊
功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個模塊,功率模塊的作用用很多,比如:空調(diào)上作用就是變頻用的。如果在音頻部分,那作用就是做放大的。如果是在電源,就是做穩(wěn)壓的。
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IGBT功率模塊散熱基板的作用及種類 車規(guī)級IGBT功率模塊的散熱方式
IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導致的熱應(yīng)力,良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機控制器是典型的高功率密度部件...
igbt模塊散熱基板的作用及種類 車規(guī)級IGBT功率模塊散熱方式
間接液冷散熱采用的是平底散熱基板,基板下面涂一層導熱硅脂,緊貼在液冷板上,液冷板內(nèi)通冷卻液,散熱路徑為芯片-DBC基板-平底散熱基板-導熱硅脂-液冷板-...
碳化硅功率模塊內(nèi)部的NTC電路設(shè)計思路和注意事項
大多數(shù)功率模塊包含一個NTC溫度傳感器,通常它是一個負溫度系數(shù)熱敏電阻,隨著溫度的增加其電阻會降低。因為其成本較低,NTC熱敏電阻可以作為功率模塊溫度測...
功率模塊封裝技術(shù)的發(fā)展 電動汽車用功率器件解決方案
使用SiC MOSFET實現(xiàn)低導通壓降和二極管正向壓降>超低損耗; 使用SiC MOSFET自身體二極管作為FWDi,減低反向恢復電流和噪聲 ...
你知道Hair-pin、I-pin、S-winding、X-pin的區(qū)別嗎?
徑向嵌裝繞組難以適應(yīng)自動化生產(chǎn)。徑向嵌裝式繞組技術(shù)由于其鐵芯槽口極靴形狀的結(jié)構(gòu)設(shè)計受限,會直接影響到電機的峰值/持續(xù)特性以及NVH性能,此外在生產(chǎn)工藝上...
三菱電機成功開發(fā)基于新型結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
三菱電機集團近日(2023年6月1日)宣布,其開發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu),并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF80...
變頻空調(diào)應(yīng)用中DIPIPM的健康管理
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱,由三菱電機于1997年正式推向市場,迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...
2023-05-29 標簽:變頻空調(diào)電路設(shè)計三菱電機 1308 0
在電動汽車驅(qū)動控制器中,逆變控制器是實現(xiàn)能量交直流轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵部件,用于電機的驅(qū)動或制動時的能量回收或是提供交流電源。市場對于逆變控制器的能量傳輸效率、功...
相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能?
隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加,汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,競爭日益激烈。由于 EV 的...
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱,由三菱電機于1997年正式推向市場,迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...
電動汽車IGBT芯片大電流密度、低損耗優(yōu)化技術(shù)匯總
為滿足電動汽車的功率需求,牽引逆變器中一般使用多芯片并聯(lián)的功率模塊。然而,多芯片并聯(lián)會帶來并聯(lián)芯片間電流分布不均,回路雜散電感增大和散熱效率下降等問題;...
首先,在設(shè)計階段,系統(tǒng)的原理圖模塊化設(shè)計,方便實現(xiàn)設(shè)計復用,縮短設(shè)計周期;集成的仿真和EMI電路分析環(huán)境確保概念設(shè)計階段電路功能和性能滿足設(shè)計指標,從而...
2023-04-28 標簽:電源原理圖電子系統(tǒng) 2440 0
功分器和耦合器的區(qū)別 微波功率模塊和功分器的區(qū)別
微波功率模塊,通常也被稱為微波放大器模塊,是一種主要用于微波信號放大和增強功率的器件。它一般具有較大的增益和功率輸出能力,并可在廣泛的頻率范圍內(nèi)工作,適...
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱,由三菱電機于1997年正式推向市場,迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...
銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用
作為高可靠性芯片連接技術(shù),銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視,一些功率半導體頭部公司相繼推出類似技術(shù),已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。
IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成,如金屬,陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。
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