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標(biāo)簽 > 功率模塊
功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個(gè)模塊,功率模塊的作用用很多,比如:空調(diào)上作用就是變頻用的。如果在音頻部分,那作用就是做放大的。如果是在電源,就是做穩(wěn)壓的。
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微波功率放大器主要分為真空和固態(tài)兩種形式?;谡婵掌骷墓β史糯笃鳎谲娛卵b備的發(fā)展史上扮演過重要角色,而且由于其功率與效率的優(yōu)勢,現(xiàn)在仍廣泛應(yīng)用于雷...
環(huán)氧灌封膠及在IGBT功率模塊封裝中的應(yīng)用簡析
功率半導(dǎo)體模塊主要應(yīng)用于電能轉(zhuǎn)換和電能 控制,是電能轉(zhuǎn)換與電能控制的關(guān)鍵器件,被譽(yù)為 電能處理的“CPU”,是節(jié)能減排的基礎(chǔ)器件和核心技術(shù)之一
直流變頻,就是通過改變輸出直流電壓來改變電機(jī)轉(zhuǎn)速。其實(shí)直流電里是沒有頻率的,其工作原理是,同樣把工頻交流電轉(zhuǎn)換為直流電源,并送至功率模塊,模塊同樣受微電...
電子調(diào)速器是一種用于控制電動(dòng)機(jī)速度的裝置,通過調(diào)整電機(jī)的輸入電壓和頻率,實(shí)現(xiàn)電機(jī)的調(diào)速。電子調(diào)速器通常由電源模塊、控制模塊和功率模塊三部分組成。其中,電...
2023-03-16 標(biāo)簽:電機(jī)功率模塊電子調(diào)速器 6661 0
對(duì)Si3N4-AMB覆銅基板較為關(guān)心的三大方面
隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高,器件對(duì)于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求。
電源模塊參數(shù)對(duì)并聯(lián)開關(guān)特性影響的方法
IGBT模塊并聯(lián)的挑戰(zhàn)是在考慮不同模塊參數(shù)的情況下了解功率轉(zhuǎn)換器的必要降額。這種理解對(duì)于在熱和安全操作限制內(nèi)正確并行運(yùn)行模塊非常重要。本文介紹了如何分...
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等,是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導(dǎo)體器件種...
2023-02-22 標(biāo)簽:功率模塊功率半導(dǎo)體電路控制 918 0
IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅(qū)動(dòng)功率小,控制電路簡單,開關(guān)損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件,它集雙...
IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動(dòng),利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動(dòng)電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功...
雙極型晶體管正常工作時(shí)分為四個(gè)工作區(qū)域:正向放大區(qū)、飽和區(qū)、反向工作區(qū)和截至區(qū)。通過在雙極型晶體管的三個(gè)電極施加不同的電壓,可以控制其工作在不同的工作區(qū)...
絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是一種三端功率半導(dǎo)體器件,常用作電子開關(guān)。憑借出色的開關(guān)特性、耐高溫性、輕量級(jí)和成本效益等特征,IGBT 電源模塊逐漸成...
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱,由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場,迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...
2023-02-12 標(biāo)簽:pcbIGBTPCB設(shè)計(jì) 2690 0
搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC...
與傳統(tǒng)單面散熱 IGBT 模塊不同,雙面散熱汽車 IGBT 模塊同時(shí)向正、反兩面?zhèn)鲗?dǎo)熱量,其熱測試評(píng)估方式需重新考量。本文進(jìn)行雙面散熱汽車 IGBT 模...
不同因素對(duì)IGBT溫敏參數(shù)dv/dt有什么影響?
結(jié)溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態(tài)變量,能直接反映器件安全裕量、健康狀態(tài)及運(yùn)行性能等。
800V車規(guī)碳化硅功率模塊襯底和外延epi分析和介紹
厚度以及一致性 摻雜和一致性 表面缺陷快速檢測和標(biāo)識(shí)追蹤能力 底部缺陷快速檢測和標(biāo)識(shí)追蹤能力 控制擴(kuò)展缺陷 清洗 大尺寸的晶圓翹曲度的控制
IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,具...
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求,對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新,包括鍵合...
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