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標(biāo)簽 > 功率模塊
功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個(gè)模塊,功率模塊的作用用很多,比如:空調(diào)上作用就是變頻用的。如果在音頻部分,那作用就是做放大的。如果是在電源,就是做穩(wěn)壓的。
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碳化硅和氮化鎵是寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體,也是被認(rèn)為要求更高功率和更高溫度的電力電子應(yīng)用最佳材料。由于這些WBG半導(dǎo)體具有優(yōu)異的性能,如寬禁帶(>3...
用于大功率模塊升壓臺面結(jié)構(gòu)中的金屬化陶瓷基板
隨著可用的寬帶隙半導(dǎo)體不斷在提高其工作電壓,其封裝中使用的電絕緣受到了越來越多的限制。在更準(zhǔn)確地來說,用于要求苛刻的應(yīng)用的陶瓷基板代表了一個(gè)關(guān)鍵的多功能...
在未連機(jī)的情況下用萬用表的紅表筆對P端,用黑表筆對U、V、W三端,其正向阻值應(yīng)相同。如其中任何一項(xiàng)阻值與其它兩項(xiàng)不等,則可判斷功率模塊損壞;用黑表筆對N...
傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經(jīng)被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)(即碳化硅)已經(jīng)超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導(dǎo)通電阻之比是由...
本文詳細(xì)敘述了實(shí)際使用時(shí)對IPM模塊的各種結(jié)溫的計(jì)算和測試方法,從直接紅外測試法,內(nèi)埋熱敏測試,殼溫的測試方法,都進(jìn)行詳細(xì)說明,以指導(dǎo)技術(shù)人員通過測量模...
利用LTC7051 DrMOS功率級優(yōu)化電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
隨著技術(shù)的進(jìn)步,多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速,因此這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。
相控陣?yán)走_(dá)射頻TR組件功率模塊故障分析及改進(jìn)策略
摘 要:產(chǎn)品,從該產(chǎn)品在分系統(tǒng)調(diào)試交驗(yàn)、整機(jī)調(diào)試交驗(yàn)、用戶使用過程中反饋的信息可以看出, T/R組件中的微波功率模塊發(fā)生故障的可能性較大,給分系統(tǒng)調(diào)試交...
在本系列的前幾篇文章中[1-7],我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
從微波功率模塊的生產(chǎn)效率、模塊的焊接質(zhì)量和加工難度等方面,對三種工藝方式進(jìn)行綜合性比較,從而得出各自的適用場合,以指導(dǎo)生產(chǎn)。
ITECH半導(dǎo)體測試方案解析,從容應(yīng)對全球功率半導(dǎo)體市場風(fēng)起云涌
功率模塊供應(yīng)商會搭建不同的產(chǎn)品解決方案,并進(jìn)行轉(zhuǎn)換效率,溫升等指標(biāo)驗(yàn)證,向下游的客戶(生產(chǎn)電機(jī)控制器,UPS,光伏逆變器制造商…)提供參考案例并證明其性...
2020-08-17 標(biāo)簽:IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1111 0
如今,運(yùn)行參數(shù)監(jiān)測已成為功率模塊的一個(gè)組成部分。在功率模塊中,溫度傳感器已或多或少地成為標(biāo)準(zhǔn)配置,甚至連電流傳感器也正越來越廣泛被采用。事實(shí)上,與外置傳...
可以簡化散熱片材料的選擇,實(shí)際上就是在鋁、AlSiC和銅之間選擇。鋁很輕而且便宜,但是導(dǎo)熱性能一般,而且很重要的是,沒有合適的制造方法來獲得高的表面積。...
智能功率模塊IPM的主要特點(diǎn)及內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理
智能功率模塊將功率開關(guān)和驅(qū)動電路集成在一起,而且還設(shè)有過電壓、過電流、過熱等故障檢測電路,并將檢測信號送給CPU。它具有體積小、功能多、功耗小、使用方便...
ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全...
ABB為工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域提供獨(dú)特的LinPak 1700V功率模塊
功率模塊封裝目前有幾項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),如塑封成型、高溫芯片粘接與連接等。模塊必須擁有良好的熱效率和電效率,同時(shí)保持小質(zhì)量和小體積。此外,為了保持競爭力,功率模...
因?yàn)镋MI會導(dǎo)致設(shè)備性能下降和潛在的故障,實(shí)驗(yàn)室儀器對其有著極其嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。由于固有的開關(guān)作用,基于開關(guān)模式的DC/DC電源是EMI的主要原因。
首款采用第七代CSTBT絕緣柵雙極晶體管和創(chuàng)新集成基板的功率模塊
由于技術(shù)方面的原因,這些模塊的封裝顯得至關(guān)重要:模塑、高溫芯片貼裝、TIM和電氣連接。功率模塊必須具有良好的熱效率和電效率,同時(shí)保持較小的體積和重量。此...
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