功率mosfet

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功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

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功率mosfet技術(shù)

深入理解MOSFET規(guī)格書及應(yīng)用設(shè)計(jì)

MOS的導(dǎo)通電阻隨溫度上升而上升，下圖顯示該MOS的導(dǎo)通電阻在結(jié)溫為140度的時(shí)候，為20度時(shí)候的2倍。

2017-10-16 標(biāo)簽：mosfet 驅(qū)動(dòng)電路功率mosfet 1.2萬 0

功率MOSFET管在過電流和過電壓條件下?lián)p壞形態(tài)的原因

硅片中間區(qū)域是散熱條件最差的位置，也是最容易產(chǎn)生熱點(diǎn)的地方，可以看到，上圖中，擊穿小孔洞即熱點(diǎn)，正好都位于硅片的中間區(qū)域。

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連續(xù)模式PFC功率MOSFET電流有效值、平均值是怎么計(jì)算

中大功率的ACDC電源都會(huì)采用有源功率因數(shù)校正PFC電路來提高其功率因數(shù)，減少對(duì)電網(wǎng)的干擾。在PFC電路中，常用的結(jié)構(gòu)是BOOST電路，功率MOSFET...

2023-02-16 標(biāo)簽：功率MOSFET PFC電路 ACDC電源 6321 0

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：平面結(jié)構(gòu)

功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor...

2023-06-28 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體柵極 4940 0

功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀

眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))...

2023-10-18 標(biāo)簽：二極管 MOSFET JFET 3498 0

功率MOSFET的開通和關(guān)斷過程原理

功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中的核心器件，其開通和關(guān)斷過程原理對(duì)于理解其工作特性、設(shè)計(jì)高效電路以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定性...

2024-10-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管功率MOSFET 3135 0

功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值

功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對(duì)于感性負(fù)載在開關(guān)動(dòng)作應(yīng)用中的重要參數(shù)。清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義，失效的現(xiàn)象及評(píng)估的方法是功率MOSFET電...

2023-05-15 標(biāo)簽：負(fù)載 MOSFET 電路設(shè)計(jì) 2904 0

功率MOSFET輸出電容為什么會(huì)隨著外加電壓增加而降低？

功率MOSFET的輸出電容是非常重要的一個(gè)參數(shù)，讀過功率MOSFET數(shù)據(jù)表的工程師應(yīng)該注意到：輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非...

2023-02-16 標(biāo)簽：電容電壓功率MOSFET 2870 0

工作于線性區(qū)功率MOSFET的設(shè)計(jì)-2

VGS與電流ID曲線有一個(gè)溫度系數(shù)為0的電壓值5.5V，通常這個(gè)點(diǎn)就稱為零溫度系數(shù)點(diǎn)ZTC（Zero Temperature Coefficient）。...

2023-02-16 標(biāo)簽：電流功率MOSFET 溫度系數(shù) 2798 0

功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

在此對(duì)功率MOSFET的SEB效應(yīng)的機(jī)理進(jìn)行了簡(jiǎn)單分析，并針對(duì)600 V平面柵VDMOSFET，利用半導(dǎo)體器件模擬軟件Medici研究了緩沖層對(duì)提高M(jìn)O...

2012-03-07 標(biāo)簽：功率MOSFET SEB 二維數(shù)值 2571 0

高耐壓600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器WD0412引腳參數(shù)與電路應(yīng)用

WD0412 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓高低邊驅(qū)動(dòng)器，具有高低邊兩路輸出，可以單獨(dú)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)高壓大功率 MOSFET 或 IG...

2022-04-28 標(biāo)簽：MOSFET 功率MOSFET 升壓芯片 2531 0

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在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。

2023-10-25 標(biāo)簽：三極管 MOSFET N溝道 2476 0

功率MOSFET的結(jié)構(gòu)/工作原理/基本特性/常用參數(shù)/選型原則

MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2023-07-21 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶體管 2423 0

工作于線性區(qū)的功率MOSFET的設(shè)計(jì)-1

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2023-02-16 標(biāo)簽：電子系統(tǒng)功率MOSFET 上電時(shí)序 2346 1

一文詳細(xì)告訴你如何避免MOSFET常見問題和失效模式

今天給大家分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)，如何避免常見問題和故障模式》。

2023-06-01 標(biāo)簽：英飛凌二極管 MOSFET 2224 0

功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識(shí)

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功率MOSFET的SOA安全工作區(qū)域

在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中會(huì)有一個(gè)看似復(fù)雜的SOA（Safe Operation Area）圖片，這個(gè)安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲...

2023-05-15 標(biāo)簽：MOSFET SOA 功率MOSFET 2136 0

什么是超結(jié)高壓功率MOSFET的零電壓ZVS關(guān)斷特性

功率MOSFET在開通的過程中，當(dāng)VGS的驅(qū)動(dòng)電壓從VTH上升到米勒平臺(tái)VGP時(shí)間段t1-t2，漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流，VGS和ID保持由...

2023-02-16 標(biāo)簽：電流功率MOSFET 驅(qū)動(dòng)電壓 1994 0

功率MOSFET的結(jié)構(gòu)與工作原理

功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)，因此在各種高壓、高頻、...

2024-01-17 標(biāo)簽：電壓功率MOSFET 開關(guān)器件 1989 0

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2023-07-04 標(biāo)簽：MOSFET 功率MOSFET 1949 0

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電池（Battery）指盛有電解質(zhì)溶液和金屬電極以產(chǎn)生電流的杯、槽或其他容器或復(fù)合容器的部分空間，能將化學(xué)能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。具有正極、負(fù)極之分。隨著科技的進(jìn)步，電池泛指能產(chǎn)生電能的小型裝置。如太陽能電池。電池的性能參數(shù)主要有電動(dòng)勢(shì)、容量、比能量和電阻。
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充電樁

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充電樁其功能類似于加油站里面的加油機(jī)，可以固定在地面或墻壁，安裝于公共建筑（公共樓宇、商場(chǎng)、公共停車場(chǎng)等）和居民小區(qū)停車場(chǎng)或充電站內(nèi)，可以根據(jù)不同的電壓等級(jí)為各種型號(hào)的電動(dòng)汽車充電。
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e絡(luò)盟是電子元器件分銷商，授權(quán)經(jīng)銷3500余家半導(dǎo)體、連接器、光電和顯示產(chǎn)品、無源、電源和機(jī)電產(chǎn)品、軟件等產(chǎn)品，為電子行業(yè)的設(shè)計(jì)工程師和采購專員提供服務(wù)。
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Arrow Electronics 是向工業(yè)和商業(yè)電子元器件和企業(yè)運(yùn)算解決方案用戶提供產(chǎn)品、服務(wù)和解決方案的全球供應(yīng)商，2016 年銷售額達(dá) 23.8 億美元。Arrow 作為供應(yīng)渠道合作伙伴，通過遍布全球 90 多個(gè)國家和地區(qū)的 465 多個(gè)地點(diǎn)構(gòu)成的全球網(wǎng)絡(luò)，為超過 125,000 家原始設(shè)備制造商、合約制造商和商業(yè)客戶提供服務(wù)。
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　　Vivado設(shè)計(jì)套件，是FPGA廠商賽靈思公司2012年發(fā)布的集成設(shè)計(jì)環(huán)境。包括高度集成的設(shè)計(jì)環(huán)境和新一代從系統(tǒng)到IC級(jí)的工具，這些均建立在共享的可擴(kuò)展數(shù)據(jù)模型和通用調(diào)試環(huán)境基礎(chǔ)上。
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全志科技是領(lǐng)先的智能應(yīng)用處理器SoC和智能模擬芯片設(shè)計(jì)廠商。公司主要產(chǎn)品為多核智能終端應(yīng)用處理器、智能電源管理芯片等。憑借卓越的研發(fā)團(tuán)隊(duì)及技術(shù)實(shí)力，全志科技在超高清視頻編解碼、高性能CPU/GPU多核整合、先進(jìn)工藝的高集成度、超低功耗等方面處于業(yè)界領(lǐng)先水平，是全球平板電腦、高清視頻、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備以及智能電源管理等市場(chǎng)領(lǐng)域的主流供應(yīng)商之一。公司總部設(shè)于中國珠海。
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　　隨著Vivado 設(shè)計(jì)套件通用版本的發(fā)布，賽靈思還針對(duì)All Programmable 7系列 FPGA和Zynq？-7000 EPP SoC器件推出Vivado高層次綜合（HLS）工具，繼續(xù)延續(xù)其在電子系統(tǒng)級(jí)（ESL）設(shè)計(jì)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)（WSTS）日前發(fā)布的一份預(yù)測(cè)報(bào)告顯示，世界半導(dǎo)體市場(chǎng)未來三年將保持兩位數(shù)的增長，這份報(bào)告還表明，全球半導(dǎo)體業(yè)之所以能夠復(fù)蘇，通信產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展功不可沒，近年來通信集成電路IC芯片的需求大幅度增長，給全球半導(dǎo)體業(yè)注入了新的活力。
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　　半導(dǎo)體行業(yè)隸屬電子信息產(chǎn)業(yè)，屬于硬件產(chǎn)業(yè)，以半導(dǎo)體為基礎(chǔ)而發(fā)展起來的一個(gè)產(chǎn)業(yè)。
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SK海力士

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GlobalFoundries

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格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司由AMD拆分而來、與阿聯(lián)酋阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)和穆巴達(dá)拉發(fā)展公司(Mubadala)聯(lián)合投資成立的半導(dǎo)體制造企業(yè)。
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華虹集團(tuán)在建設(shè)運(yùn)營我國第一條深亞微米超大規(guī)模8英寸集成電路生產(chǎn)線的同時(shí)，逐步發(fā)展成為以芯片制造業(yè)務(wù)為核心，集成電路系統(tǒng)集成和應(yīng)用服務(wù)、芯片制造工藝研發(fā)、電子元器件貿(mào)易、海內(nèi)外風(fēng)險(xiǎn)投資等業(yè)務(wù)平臺(tái)共同發(fā)展的集成電路產(chǎn)業(yè)集團(tuán)。
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Siri是蘋果公司在其產(chǎn)品iPhone4S，iPad 3及以上版本手機(jī)和Mac上應(yīng)用的一項(xiàng)智能語音控制功能。
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wifi是當(dāng)今使用最廣的一種無線網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)，實(shí)際上就是把有線網(wǎng)絡(luò)信號(hào)轉(zhuǎn)換成無線信號(hào)，供支持其技術(shù)的設(shè)備接收。
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基帶芯片是指用來合成即將發(fā)射的基帶信號(hào)，或?qū)邮盏降幕鶐盘?hào)進(jìn)行解碼的芯片。具體地說，就是發(fā)射時(shí)，把語音或其他數(shù)據(jù)信號(hào)編碼成用來發(fā)射的基帶碼；接收時(shí)，把收到的基帶碼解碼為語音或其他數(shù)據(jù)信號(hào)，它主要完成通信終端的信息處理功能。
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MRAM

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MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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受惠于中國政府醫(yī)療改革以及居民對(duì)健康保健的重視，未來3年，中國便攜醫(yī)療電子市場(chǎng)年復(fù)合增長率將超過30％！其市場(chǎng)規(guī)模從2006年的80億元迅速擴(kuò)大到2011的280億元！

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