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標(biāo)簽 > 功率mosfet
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
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TI推出業(yè)內(nèi)電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET
德州儀器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管,電阻實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低,比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開(kāi)關(guān)低90%,同時(shí),使終端系統(tǒng)功耗得以降...
IR推出低導(dǎo)通電阻的車(chē)用功率MOSFET AUIRFR4292和AUIRFS6535
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車(chē)用功率MO...
2012-08-15 標(biāo)簽:IR低導(dǎo)通電阻功率MOSFET 1667 0
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA923EDJ
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923ED...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB
Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
最小導(dǎo)通電阻!瑞薩發(fā)售封裝為2mm見(jiàn)方的功率MOSFET
瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見(jiàn)方的產(chǎn)品中,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導(dǎo)通電阻”。
意法半導(dǎo)體推出航天級(jí)功率MOSFET晶體管
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST) 推出首款完全符合衛(wèi)星和運(yùn)載火箭電子子系統(tǒng)質(zhì)量要求的功率系列產(chǎn)品。全新抗輻射功率MOSFET...
2011-06-15 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體晶體管功率MOSFET 1553 0
基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量 用作功率開(kāi)關(guān)的MOSFET 隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化,功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?..
2010-04-24 標(biāo)簽:功率MOSFET 1451 0
Microsemi推出RF功率MOSFET產(chǎn)品DRF1400
美高森美公司(MicrosemiCorporation) 宣布擴(kuò)展其RF功率產(chǎn)品線(xiàn),推出了DRF1400功率MOSFET。
Mouser開(kāi)始供應(yīng)Vishay Siliconix Si8802 TrenchFET功率MOSFET
Mouser Electronics開(kāi)始供應(yīng)Vishay Siliconix第一款採(cǎi)用業(yè)界最小的晶片級(jí)封裝,并將導(dǎo)通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。
Vishay的17款新器件擴(kuò)充600V N溝道功率MOSFET系列
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
內(nèi)置功率MOSFET的通用半橋驅(qū)動(dòng)器NJW4800
新日本無(wú)線(xiàn)現(xiàn)已開(kāi)發(fā)完成了內(nèi)置有30V耐圧、4A輸出功率MOSFET的通用半橋驅(qū)動(dòng)器NJW4800,并已經(jīng)開(kāi)始投入生產(chǎn)了。該產(chǎn)品
2010-12-24 標(biāo)簽:功率MOSFET 1426 0
威世科技發(fā)布創(chuàng)新PowerPAK 8 x 8LR封裝功率MOSFET
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第...
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)開(kāi)發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET ,最適合用于以工業(yè)設(shè)備和車(chē)載領(lǐng)域?yàn)橹行牡?、輸入電?4V的DC/DC轉(zhuǎn)換器。
Microchip推出電源轉(zhuǎn)換控制器及功率MOSFET器件系列
Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布,推出全新電源轉(zhuǎn)換控制器系列及其首個(gè)功率MOSFET器件系列。
Vishay新款N溝道TrenchFET功率MOSFET再度刷新導(dǎo)通電阻的最低記錄
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET--...
功率MOSFET是專(zhuān)門(mén)針對(duì)解決高功率電流和電壓的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),同樣是功率半導(dǎo)體中的一種。與其它功率半導(dǎo)體相比較,功率MO...
英飛凌科技推出汽車(chē)封裝無(wú)鉛功率MOSFET
英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽車(chē)封裝類(lèi)型的合格100%無(wú)鉛功率MOSFET
本文不準(zhǔn)備寫(xiě)成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以
2010-12-06 標(biāo)簽:功率MOSFET 1347 0
MAX5981支持IEEE 802.3at標(biāo)準(zhǔn)的功率MOSFET
MAX5981為用電設(shè)備(PD)提供完整的接口電路,符合以太網(wǎng)供電(PoE)系統(tǒng)IEEE? 802.3af/at標(biāo)準(zhǔn)。MAX5981還提供電源就緒(PG...
2011-08-03 標(biāo)簽:功率MOSFETMAX5981IEEE 802.3at 1337 0
東芝推出采用新型封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGL(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車(chē)載40...
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