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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。
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引言 電力電子器件是電力電子技術中的核心組成部分,其性能和可靠性直接影響到電力電子系統(tǒng)的整體性能。電壓驅(qū)動型電力電子器件作為一種重要的電力電子器件,具有...
功率模塊一般指的是將功率MOSFET、IGBT等功率半導體器件與其驅(qū)動電路、散熱器等部分集成在一起的電路模塊。這種模塊具有集成度高、可靠性好、穩(wěn)定性強等...
瞬態(tài)抑制二極管(Transient Voltage Suppressor,簡稱TVS)是一種用于保護電子設備免受電壓瞬變影響的半導體器件。它們能夠迅速響...
2024-09-30 標簽:電子設備半導體器件瞬態(tài)抑制二極管 2536 0
晶體管是一種半導體器件,廣泛應用于電子電路中。它具有三個主要區(qū)域:截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。晶體管的工作狀態(tài)取決于其基極(B)、集電極(C)和發(fā)射極(E)...
集成寬帶隙(WBG)半導體器件作為硅技術在多種技術應用中的替代品,是一個不斷增長的市場,可以提供效率和功率密度的改善,在能源和成本節(jié)約方面有很大的反響。...
MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種廣泛使用的半導體器件,它在電子電路中扮演著開關和放大器的角色。MOSFET由四個主要部分組成:源極(S...
3D晶圓級封裝,包括CIS發(fā)射器、MEMS封裝、標準器件封裝。是指在不改變封裝體尺寸的前提下,在同一個封裝體內(nèi)于垂直方向疊放兩個以上芯片的封裝技術,它起...
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運過...
可控硅(Silicon Controlled Rectifier,簡稱SCR)是一種四層三端半導體器件,具有單向?qū)щ娦?,廣泛應用于電力電子領域。可控硅過...
igbt功率管和場效應管的區(qū)別和聯(lián)系是什么
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)是兩種常見的功率半導體器件,它們在許多電子設備中都有廣泛的應用。盡管它們在...
在產(chǎn)品散熱設計時需要查看風扇的工作點是否合理,F(xiàn)LOEFD在計算完成之后,可以直接查看風扇工作狀態(tài)點。
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor,金屬-氧化物-半導體)是一種半導體器件,廣泛應用于電子電路中。MOS器件有兩種基本類型:MO...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為一種新型功率半導體器件,是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性...
瞬態(tài)抑制二極管(Transient Voltage Suppressor,簡稱TVS)是一種用于保護電子設備免受電壓瞬變影響的半導體器件。它們能夠迅速響...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應用于電力電子領域的功率半導體器件。它結合了MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)和BJT(雙極型晶體管)的...
可控硅控制加熱是一種利用可控硅元件對加熱設備進行控制的技術??煽毓柙且环N半導體器件,具有可控的導通和截止特性,可以實現(xiàn)對電流的控制。因此,可控硅控制...
晶閘管(Thyristor),也稱為可控硅(SCR),是一種半導體器件,廣泛應用于電力電子領域。晶閘管是一種四層三端器件,具有兩個PN結,其結構類似于一...
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