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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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TVS二極管是一種用于保護(hù)電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓沖擊的半導(dǎo)體器件。在選擇TVS二極管時,需要考慮以下參數(shù): 額定電壓:額定電壓是指TVS二極管所能承受的最...
2023-11-24 標(biāo)簽:TVS二極管參數(shù)半導(dǎo)體器件 1893 0
光電二極管是一種能夠?qū)⒐饽苻D(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件。它的工作原理基于光照射在半導(dǎo)體材料上時,光子與材料中的電子相互作用,激發(fā)電子從價帶躍遷到導(dǎo)帶,從而產(chǎn)生...
功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時柵極電阻選型注意事項
功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時柵極電阻選型注意事項
2023-11-23 標(biāo)簽:柵極電阻半導(dǎo)體器件功率逆變器 1029 0
一種有些不尋常的方法是研究多層互連過程(BEOL)中的存儲器等構(gòu)建元件。多層布線下面通常是CMOS邏輯電路。因此,理論上,BEOL中內(nèi)置的元件不會增加硅...
晶閘管(SCR)自問世以來,其功率容量提高了近3000倍?,F(xiàn)在許多國家已能穩(wěn)定生產(chǎn)8kV / 4kA的晶閘管。日本現(xiàn)在已投產(chǎn)8kV / 4kA和6kV ...
加州大學(xué)研究人員推出首款穩(wěn)定的全固態(tài)熱晶體管
加州大學(xué)洛杉磯分校(UCLA)的一組研究人員利用電場來調(diào)節(jié)半導(dǎo)體器件的傳熱,推出了首款穩(wěn)定的全固態(tài)熱晶體管。 該小組的研究詳細(xì)闡述了該設(shè)備的預(yù)期應(yīng)用和操...
2023-11-07 標(biāo)簽:晶體管電荷半導(dǎo)體器件 789 0
二極管的類型 二極管是帶有pn結(jié)或替代結(jié)的雙端半導(dǎo)體器件。它們按結(jié)構(gòu)和用途可分為整流二極管、齊納二極管等。二極管已被廣泛應(yīng)用。 整流二極管的功能 二極管...
什么是先進(jìn)封裝?先進(jìn)封裝技術(shù)包括哪些技術(shù)
半導(dǎo)體產(chǎn)品在由二維向三維發(fā)展,從技術(shù)發(fā)展方向半導(dǎo)體產(chǎn)品出現(xiàn)了系統(tǒng)級封裝(SiP)等新的封裝方式,從技術(shù)實現(xiàn)方法出現(xiàn)了倒裝(FlipChip),凸塊(Bu...
功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別
IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是一種集成了多個IGBT芯片、驅(qū)動電路、保護(hù)電路等功能的...
晶圓鍵合技術(shù)是將兩片不同結(jié)構(gòu)/不同材質(zhì)的晶圓,通過一定的物理方式結(jié)合的技術(shù)。晶圓鍵合技術(shù)已經(jīng)大量應(yīng)用于半導(dǎo)體器件封裝、材料及器件堆疊等多種半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-10-24 標(biāo)簽:CMOS晶圓半導(dǎo)體器件 1998 0
機(jī)器視覺系統(tǒng)在半導(dǎo)體器件制造中有著廣泛的應(yīng)用;事實上,如果沒有機(jī)器視覺,計算機(jī)芯片的產(chǎn)量將會顯著降低。機(jī)器視覺系統(tǒng)檢查硅片、處理器芯片以及電阻和電容等子組件。
2023-10-18 標(biāo)簽:機(jī)器視覺光學(xué)傳感器視覺系統(tǒng) 783 0
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢
設(shè)計出色功效的電子應(yīng)用時,需要考慮使用新型高性能氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比,這些新型寬帶隙技術(shù)具有...
2023-10-12 標(biāo)簽:SiC氮化鎵電子開關(guān) 2858 1
光刻是通過一系列操作,除去外延片表面特定部分的工藝,在半導(dǎo)體器件和集成電路制作中起到極為關(guān)鍵的作用。
2023-10-08 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體器件光刻技術(shù) 2155 0
當(dāng)技術(shù)優(yōu)化的整體方法包括芯片設(shè)計、封裝和產(chǎn)品級相互依賴性時,產(chǎn)品、設(shè)計、封裝、工藝和器件相互依賴性的整體方法,以提高研發(fā)效率和價值創(chuàng)造
2023-10-07 標(biāo)簽:晶圓芯片設(shè)計半導(dǎo)體器件 1355 0
不同的電路圖可以使用不同的符號和標(biāo)記方式來表示LED的正負(fù)極性。因此,在閱讀特定電路圖時,最好查閱相關(guān)的說明文檔或標(biāo)注,以確保正確地理解LED的正反極性...
半導(dǎo)體器件為什么熱阻參數(shù)經(jīng)常被誤用?
一些半導(dǎo)體器件集成了專用的熱二極管,根據(jù)校準(zhǔn)后的正向電壓與溫度曲線精確測量結(jié)溫。由于大多數(shù)器件沒有這種設(shè)計,結(jié)溫的估計取決于外部參考點溫度和封裝的熱阻參...
場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管,它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象...
2023-09-20 標(biāo)簽:電阻場效應(yīng)管晶體管 3678 0
太陽能光伏系統(tǒng):為了提高轉(zhuǎn)換效率和降低系統(tǒng)成本,太陽能光伏系統(tǒng)的輸入電壓也在增加,從600V增加到1,500V。
2023-09-19 標(biāo)簽:MOSFET光伏系統(tǒng)半導(dǎo)體器件 475 0
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