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半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件,可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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超結(jié)理論應(yīng)用:平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹
功率器件要得到較高的擊穿電壓,就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度,常規(guī)VDMOS的特征導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系如下式所示。
2023-09-18 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻驅(qū)動(dòng)電路功率器件 6989 0
氮化鎵功率器就是電容嗎 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料,具有優(yōu)異的電特性,例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開(kāi)...
可控硅是可控硅整流器的簡(jiǎn)稱(chēng)。可控硅有單向、雙向、可關(guān)斷和光控幾種類(lèi)型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長(zhǎng)、控制方便等優(yōu)點(diǎn),被廣泛用于可控整流、調(diào)壓、逆...
2023-09-11 標(biāo)簽:可控硅電壓半導(dǎo)體器件 2400 0
為了滿(mǎn)足應(yīng)用的散熱要求,設(shè)計(jì)人員需要比較不同半導(dǎo)體封裝類(lèi)型的熱特性。在本博客中, Nexperia(安世半導(dǎo)體)討論了其焊線(xiàn)封裝和夾片粘合封裝的散熱通道...
? 半導(dǎo)體器件有許多封裝形式,按封裝的外形、尺寸、結(jié)構(gòu)分類(lèi)可分為引腳插入型、表面貼裝型和高級(jí)封裝三類(lèi)。從DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再...
晶閘管(thyristor)也是一種高功率半導(dǎo)體器件。它具有電流控制功能,能夠進(jìn)行整流、開(kāi)關(guān)和逆變等功能。晶閘管通常只能在正半周或負(fù)半周中進(jìn)行控制,因此...
2023-08-26 標(biāo)簽:可控硅晶閘管半導(dǎo)體器件 2197 0
可控硅的主要參數(shù)包括最大正向電壓、最大反向電壓、觸發(fā)電壓、保持電流、最大導(dǎo)通電流等。其中,最大正向電壓和最大反向電壓分別表示可控硅可以承受的最大正向和反...
2023-08-26 標(biāo)簽:可控硅晶閘管半導(dǎo)體器件 1890 0
雙向晶閘管與單向晶閘管的最重要的區(qū)別在于其具有雙向電流特性。這意味著在交流電路中,雙向晶閘管能夠控制電流的方向,從而實(shí)現(xiàn)交流電路的控制。雙向晶閘管的性能...
2023-08-26 標(biāo)簽:晶閘管半導(dǎo)體器件交流電流 1824 0
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間, 利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件, 可用來(lái)產(chǎn)生, 控制, 接收, 變換, 放大信號(hào)和進(jìn)行能...
2022-08-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件氦質(zhì)譜檢漏儀真空檢漏 1263 0
氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些
氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開(kāi)關(guān)速度,使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用,如電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線(xiàn)通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能,氮化鎵...
封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝,主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護(hù)、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作...
2023-08-24 標(biāo)簽:IGBT功率器件半導(dǎo)體器件 2675 0
正溫度系數(shù)電壓的推導(dǎo)依賴(lài)BJT集電極電流 和 電壓公式,這里把公式重寫(xiě)如下: 假設(shè)兩個(gè)同樣的BJT,偏置電流分別為 和 ,那么,兩個(gè)BJT的 ...
2023-08-21 標(biāo)簽:BJT半導(dǎo)體器件集電極電流 1202 0
半導(dǎo)體器件中材料、工藝結(jié)構(gòu)、模型之間的關(guān)系
為了延續(xù)傳統(tǒng)平面型晶體管制造技術(shù)的壽命,彌補(bǔ)關(guān)鍵尺寸縮小給傳統(tǒng)平面型晶體管帶來(lái)的負(fù)面效應(yīng),業(yè)界研究出了很多能夠改善傳統(tǒng)平面型晶體管性能的技術(shù)。
PVP可以在刻蝕過(guò)程中形成一層保護(hù)性的膜,降低刻蝕劑對(duì)所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙,并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不...
2023-08-17 標(biāo)簽:芯片封裝半導(dǎo)體器件刻蝕 7447 0
車(chē)規(guī)MCU芯片的四大行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
功能安全I(xiàn)SO-26262是IEC61508 對(duì)電子電氣(E/E )系統(tǒng)在道路車(chē)輛方面的功能安全要求的具體應(yīng)用。 ISO 26262是一項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),...
2023-08-17 標(biāo)簽:集成電路mcu網(wǎng)絡(luò)攻擊 6649 0
晶棒截?cái)嚅_(kāi)方(Wafer Dicing)是對(duì)硅晶棒或其它半導(dǎo)體晶體材料進(jìn)行切割的工藝步驟。它的目的是將晶棒切割成單個(gè)的芯片基板(即薄片),用于制造集成電...
mos是什么電子元件 如何建立mos管和電路的關(guān)系
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)是一種常見(jiàn)的電子元件,特別是在集成電路中廣泛使用。MOS是一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu),其中包括一個(gè)金...
什么叫車(chē)規(guī)級(jí) 車(chē)規(guī)級(jí)電子元件的分類(lèi)
對(duì)于組成復(fù)雜的汽車(chē)產(chǎn)品來(lái)說(shuō),低可靠性、一致性差的元件無(wú)疑意味著巨大的安全隱患,因此經(jīng)常用PPM(百萬(wàn)分之一)來(lái)描述汽車(chē)零部件的要求。
2023-07-23 標(biāo)簽:元器件汽車(chē)電子半導(dǎo)體器件 2606 0
如何選擇穩(wěn)壓二極管,穩(wěn)壓二極管選型要考慮那些參數(shù)
穩(wěn)壓二極管在電路中具有重要作用,尤其在保護(hù)和穩(wěn)定電壓方面表現(xiàn)突出。本文將介紹穩(wěn)壓二極管基本原理、如何選擇穩(wěn)壓二極管以及它的常見(jiàn)應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-07-20 標(biāo)簽:二極管穩(wěn)壓二極管半導(dǎo)體器件 6280 0
整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽?dǎo)體器件。二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中,電流只能從二極管的正...
2023-07-20 標(biāo)簽:二極管整流二極管半導(dǎo)體器件 1850 0
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