完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。
文章:713個 瀏覽:32632次 帖子:26個
有生就有死,電子元件也有壽命。電子元件的壽命除了與它本身的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)有關(guān),也和它的使用環(huán)境和在電路中所起作用密切相關(guān)。
2018-12-02 標(biāo)簽:電阻電感半導(dǎo)體器件 3759 0
以±8kV的人體模型為例:靜電放電時間在ns級別,具體參考圖1。而下圖2中電阻的脈沖功率給出的時間參數(shù)最小是1us(10-6),差別不是特別大,在此可近...
2018-09-10 標(biāo)簽:電阻半導(dǎo)體器件 2.8萬 0
隨著國家對子午胎發(fā)展的重視,從產(chǎn)業(yè)政策和投資上引導(dǎo)輪胎工業(yè)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整,并根據(jù)市場需求,支持了一批重點輪胎企業(yè)進行子午胎技術(shù)改造。在技術(shù)引進方面,采取引...
2018-11-12 標(biāo)簽:電容傳感器激光傳感器半導(dǎo)體器件 4086 0
半導(dǎo)體器件失效分析_半導(dǎo)體器件芯片焊接技巧及控制
本文首先介紹了芯片焊接(粘貼)技巧及機理,其次介紹了失效模式分析,最后介紹了焊接質(zhì)量的三種檢驗技巧以及焊接不良原因及對應(yīng)措施,具體的跟隨小編一起來了解一下。
2018-05-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1.0萬 0
本文首先介紹了美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法,其次介紹了如何辨別軍用半導(dǎo)體器件型號和標(biāo)志,具體的跟隨小編一起來了解一下。
2018-05-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1.5萬 0
本文首先介紹了功率半導(dǎo)體器件分類,其次介紹了大功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展及國內(nèi)外功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展,最后介紹了功率半導(dǎo)體器件的研究意義。
2018-05-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件功率半導(dǎo)體器件 1.6萬 0
SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景
本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景,其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題,最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 標(biāo)簽:sic半導(dǎo)體器件 1.1萬 1
在半導(dǎo)體器件中,一些常見的促進劑是溫度,濕度,電壓和電流。在大多數(shù)情況下,加速測試不會改變失敗的物理過程,但它確實會改變觀察的時間。加速和使用狀態(tài)之間的...
2018-05-28 標(biāo)簽:可靠性半導(dǎo)體器件 6068 0
晶閘管各部分的摻雜濃度如圖4所示。其中與陽極和陰極相連的分別為重摻雜的P+和N+層,與門極相連的重摻雜P+層,此三層的厚度(在圖中體現(xiàn)為寬度)都較小,剩...
2018-05-23 標(biāo)簽:晶閘管半導(dǎo)體器件 1.3萬 0
如果我們將一個變化的小信號加到基極跟發(fā)射極之間,這就會引起基極電流Ib的變化,Ib的變化被放大后,導(dǎo)致了Ic很大的變化。如果集電極電流Ic是流過一個電阻...
2018-05-07 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體器件 2.8萬 0
光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟,耗時長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點和關(guān)鍵點在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上,這一過程通過光刻來實現(xiàn)...
2018-04-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件光刻機半導(dǎo)體芯片 16.8萬 0
半導(dǎo)體器件評估封裝技術(shù)特性時需要考慮的關(guān)鍵因素
設(shè)計師如何在保持封裝魯棒性和可靠性的同時,提高功率密度?首先,封裝可以采用更大的引線框架面積,從而可以容納諸如IGBT的更大的功率芯片。這也實現(xiàn)了較低的...
2018-03-16 標(biāo)簽:封裝技術(shù)半導(dǎo)體器件 4386 0
變?nèi)荻O管有沒有正負極_如何判斷變?nèi)荻O管正負極
變?nèi)荻O管又稱“可變電抗二極管”,是利用pN結(jié)反偏時結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大,變?nèi)荻O管的電容量...
2018-01-25 標(biāo)簽:二極管變?nèi)荻O管半導(dǎo)體器件 1.4萬 0
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。
2017-10-09 標(biāo)簽:連接器半導(dǎo)體器件 1.3萬 0
MOSFET知識點全集,初級工程師學(xué)習(xí)利器
MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMO...
2017-09-13 標(biāo)簽:mosfet半導(dǎo)體器件 1.0萬 0
IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計集錦—電路精選(48)
GBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗...
2017-02-04 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動電路半導(dǎo)體器件 2.0萬 0
電子元器件的固有可靠性取決于產(chǎn)品的可靠性設(shè)計,因此,應(yīng)該在電子元器件裝上整機、設(shè)備之前,就要設(shè)法把具有早期失效的元器件盡可能地加以排除,為此就要對元器件...
2016-12-26 標(biāo)簽:電子元器件半導(dǎo)體器件 1947 0
LED 是特性敏感的 半導(dǎo)體器件 ,又具有負溫度特性,因而在應(yīng)用過程中需要對其進行穩(wěn)定工作狀態(tài)和保護,從而產(chǎn)生了驅(qū)動的概念。LED器件對驅(qū)動電源的要求近...
2012-05-17 標(biāo)簽:LED驅(qū)動電路半導(dǎo)體器件 2771
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
伺服電機 | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |