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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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二極管是一種半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娦浴F浞蔡匦允敲枋龆O管在不同電壓下電流變化的曲線。根據(jù)二極管的伏安特性,我們可以將其分為以下幾個(gè)區(qū)域: 截止區(qū)(...
二極管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。其主要特性是單向?qū)щ娦?,即只允許電流從正極流向負(fù)極,而不允許從負(fù)極流向正極。這種特性使得二極管在電路中具有...
二極管是一種半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娦?。它的伏安特性曲線是描述二極管在不同電壓下電流變化的圖形。根據(jù)二極管的工作狀態(tài),伏安特性曲線可分為以下幾個(gè)區(qū): 截...
2024-08-16 標(biāo)簽:二極管PN結(jié)半導(dǎo)體器件 3144 0
2024-08-14 標(biāo)簽:電流晶閘管半導(dǎo)體器件 840 0
晶閘管(Thyristor),也稱為可控硅(SCR),是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。晶閘管是一種四層三端器件,具有兩個(gè)PN結(jié),其結(jié)構(gòu)類似于一...
晶閘管(Thyristor)是一種半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娦?,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。晶閘管的阻斷狀態(tài)有兩種:正向阻斷狀態(tài)和反向阻斷狀態(tài)。以下是對這兩種...
2024-08-14 標(biāo)簽:晶閘管PN結(jié)半導(dǎo)體器件 1179 0
晶閘管(Thyristor)是一種半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娦?,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。晶閘管的反向阻斷性是指在反向電壓作用下,晶閘管能夠保持截止?fàn)顟B(tài),不...
2024-08-14 標(biāo)簽:晶閘管pnp半導(dǎo)體器件 1297 0
晶閘管(Thyristor)是一種半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娦?,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。晶閘管的導(dǎo)通方式多種多樣,本文將介紹晶閘管可能導(dǎo)通的幾種情況。 正...
2024-08-14 標(biāo)簽:電流晶閘管半導(dǎo)體器件 1300 0
開關(guān)二極管作為一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件,具有在不同狀態(tài)下快速切換的能力。其主要功能是實(shí)現(xiàn)電路的導(dǎo)通與關(guān)斷,是數(shù)字電路、通信電路和信號處理電路...
2024-08-14 標(biāo)簽:電路開關(guān)二極管半導(dǎo)體器件 1376 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)。在IGBT的應(yīng)用過程中,VCE(集...
2024-08-08 標(biāo)簽:集電極半導(dǎo)體器件VCE 2346 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)的...
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)。然而,IGBT在長時(shí)間工作過程中,...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域,如變頻器、電源、電動(dòng)汽車等。IGBT在工作過程中會(huì)產(chǎn)生大量的熱量,需要通過散熱...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流、高頻率等特點(diǎn)。然而,在實(shí)際應(yīng)用過程中,IGBT功率管發(fā)熱是...
igbt功率管和場效應(yīng)管的區(qū)別和聯(lián)系是什么
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件,它們在許多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用。盡管它們在...
2024-08-07 標(biāo)簽:場效應(yīng)管IGBT功率管 2037 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGB...
靜態(tài)工作點(diǎn)(Q點(diǎn))是半導(dǎo)體器件在直流條件下的運(yùn)行狀態(tài),它對電路的性能和穩(wěn)定性有著重要的影響。在本文中,我們將介紹靜態(tài)工作點(diǎn)的高低對電路的影響,包括其對放...
2024-08-06 標(biāo)簽:電路晶體管半導(dǎo)體器件 2567 0
場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件,它利用電場效應(yīng)來控制電流的流動(dòng)。場效應(yīng)管主要由源極(Source...
2024-08-02 標(biāo)簽:電流場效應(yīng)管輸入電壓 986 0
功率放大器是電子設(shè)備中非常重要的組成部分,它負(fù)責(zé)將輸入信號放大到足夠的幅度,以驅(qū)動(dòng)負(fù)載。在多級放大器中,功率放大器通常位于最后一級,因?yàn)樗枰峁┳銐虻?..
2024-08-01 標(biāo)簽:功率放大器電子設(shè)備半導(dǎo)體器件 564 0
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