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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,具有許多重要特性,如高輸入阻抗、低功耗、易于集成等。MOS的開啟電壓(Vth)是其工作...
2024-08-01 標(biāo)簽:電子設(shè)備MOS半導(dǎo)體器件 5217 0
可控硅,又稱為硅控整流器(Silicon Controlled Rectifier,簡稱SCR),是一種四層三端半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娦?,廣泛應(yīng)用于電...
2024-07-31 標(biāo)簽:可控硅電壓半導(dǎo)體器件 5138 0
氮化鎵GaN晶圓的制造流程及應(yīng)用領(lǐng)域
第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大,具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢。因此采用第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件能在更高的溫度下穩(wěn)定運...
2023-02-05 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵半導(dǎo)體器件 5112 0
高級封裝技術(shù):創(chuàng)建接近單片互連性能的封裝上互連
在過去的幾年中,已經(jīng)發(fā)布了許多涉及用于半導(dǎo)體器件的高級封裝體系結(jié)構(gòu)的公告。這些架構(gòu)為產(chǎn)品設(shè)計人員提供了極大的靈活性,使其能夠異構(gòu)集成在封裝上不同硅工藝上...
2021-04-01 標(biāo)簽:信號完整性系統(tǒng)設(shè)計半導(dǎo)體器件 5089 0
電力調(diào)整器SCR(Silicon Controlled Rectifier)是一種半導(dǎo)體器件,用于控制電壓和電流的輸出。它廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域,如交流...
2024-07-15 標(biāo)簽:引腳調(diào)整器半導(dǎo)體器件 5086 0
光電二極管是一種能夠?qū)⒐饽苻D(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件。它的工作原理基于光照射在半導(dǎo)體材料上時,光子與材料中的電子相互作用,激發(fā)電子從價帶躍遷到導(dǎo)帶,從而產(chǎn)生...
可控硅,也稱為晶閘管(Thyristor),是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它具有單向?qū)щ娦?,可以通過控制信號來控制其導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)??煽毓璧?..
2024-07-25 標(biāo)簽:可控硅晶閘管半導(dǎo)體器件 4996 0
晶閘管作為一種重要的半導(dǎo)體器件,其主要參數(shù)決定了其在電路中的應(yīng)用和性能。以下是晶閘管的主要參數(shù)概述: 一、電壓參數(shù) 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓(UDRM) : 定...
2024-09-24 標(biāo)簽:電路晶閘管半導(dǎo)體器件 4993 0
固態(tài)繼電器(SSR)和可控硅(SCR)是兩種不同類型的電子器件,它們在電路中扮演著不同的角色。在本文中,我們將詳細(xì)介紹固態(tài)繼電器和可控硅的區(qū)別,包括它們...
2024-06-21 標(biāo)簽:可控硅固態(tài)繼電器電子器件 4926 0
當(dāng)帶電離子、電子或射線通過MOS結(jié)構(gòu)的硅和二氧化硅絕緣層時,引起原子電離而產(chǎn)生電子—空穴對,在外加電場條件下,電子在1ps(1×10-12s)時間內(nèi)被電...
2024-02-27 標(biāo)簽:元器件電子系統(tǒng)MOS 4864 0
紅外線是電磁波的一種,其波長范圍介于可見光與無線電波之間,為0.76~1000μm。根據(jù)大氣窗口、紅外應(yīng)用和探測器響應(yīng)等,紅外線可以進(jìn)一步劃分為近紅外線...
2023-07-20 標(biāo)簽:紅外線無線電波探測系統(tǒng) 4820 0
單向可控硅(Silicon Controlled Rectifier,簡稱SCR)是一種半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娦院涂煽匦?。它可以看作是二極管和晶體管的...
2023-12-19 標(biāo)簽:電流單向可控硅半導(dǎo)體器件 4818 0
T3Ster結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用-雙界面分離法測試RθJC(θJC)
半導(dǎo)體器件的結(jié)到殼之間的熱阻RθJC(θJC)是衡量器件從芯片到封裝表面外殼的熱擴散能力的參數(shù),是半導(dǎo)體器件最重要的熱性能參數(shù)之一,它必須被標(biāo)注到器件尤...
PNP型晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。它由N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體組成,具有三個主要區(qū)域:發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。PNP型晶體管的工作區(qū)主要...
三極管全稱為半導(dǎo)體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電路中。
2024-02-22 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體器件 4682 0
固態(tài)繼電器的接線方法 固態(tài)繼電器的優(yōu)點及缺點
固態(tài)繼電器(Solid State Relay,SSR)是一種用半導(dǎo)體器件代替?zhèn)鹘y(tǒng)的電磁繼電器實現(xiàn)控制的電器設(shè)備。相比于電磁繼電器,固態(tài)繼電器具有許多優(yōu)...
2024-01-30 標(biāo)簽:接線電動機固態(tài)繼電器 4669 0
功率半導(dǎo)體又稱作電力半導(dǎo)體,是用來對電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換,對電路進(jìn)行控制,改變電力變換裝置中的電壓或電流的波形?幅值?相位?頻率等參數(shù)的一種半導(dǎo)體器件。
2023-02-06 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件電力半導(dǎo)體 4615 0
從 20 世紀(jì) 80 年代 IGBT 被首次提出至今,IGBT 器件不斷朝著更低的正向?qū)▔航怠⒏〉拈_關(guān)損 耗方向發(fā)展;但是,鑒于 IGBT 器件的各...
2023-02-24 標(biāo)簽:電路IGBT半導(dǎo)體器件 4601 0
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