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半導體技術是指半導體加工的各種技術，包括晶圓的生長技術、薄膜沉積、光刻、蝕刻、摻雜技術和工藝整合等技術。
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利用硅半導體技術同時實現了小型化和高性能的ROHM首款硅電容器
市場發(fā)展趨勢和開發(fā)歷程 近年來，隨著智能手機等設備的功能增加和性能提升，對小型、薄型且支持高密度安裝的電容器的需求日益增加。特別是采用薄膜半導體技術的硅...
CMOS（互補金屬氧化物半導體）是一種廣泛應用于集成電路制造的半導體技術。CMOS電路具有低功耗、高集成度和良好的擴展性等優(yōu)點，被廣泛應用于計算機、通信...
GD300HFL120C2S 是一種高頻模塊，通常用于射頻放大器、射頻功率放大器、射頻信號發(fā)生器等應用。以下是關于 GD300HFL120C2S 高頻模...
CMOS集成電路的定義及特點？CMOS集成電路的保護措施有哪些？
CMOS（互補金屬氧化物半導體）集成電路是一種廣泛使用的半導體技術，用于構建各種電子電路和集成電路。
小米氮化鎵充電器是一種新型充電器，它與傳統的普通充電器在多個方面有所不同。在這篇文章中將詳細討論小米氮化鎵充電器與普通充電器之間的區(qū)別。 首先，小米氮化...
氮化鎵技術（GaN技術）是一種基于氮化鎵材料的半導體技術，被廣泛應用于電子設備、光電子器件、能源、通信和國防等領域。本文將詳細介紹氮化鎵技術的用途和應用...
總體而言，該行業(yè)重視研發(fā)，以確保電動工具用戶 – 無論是在建筑工地上還是私人住宅中 – 都能獲得安全、符合人體工程學的節(jié)能產品。電動工具如果使用不正確可...
隨著科技的快速發(fā)展，半導體技術已經滲透到我們生活的方方面面，從手機、電腦到各種高精尖的工業(yè)設備中。而在這些技術背后，金作為一種貴金屬，以其獨特的物理和化...
半導體技術在當今社會已成為高科技產品的核心，而在半導體制造的各個環(huán)節(jié)中，銅憑借其出色的性能特點，已成為眾多工藝應用的關鍵材料。在半導體領域中，銅主要被用...
半導體技術的許多進步都取決于減小封裝尺寸，同時結合附加功能和更高效的供電方法。目前的供電方法會占用晶圓上的大量空間，導致成本增加、芯片尺寸增大和晶體管減少。
近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業(yè)...
IRDS路線圖光刻委員會主席、廈門大學嘉庚創(chuàng)新實驗室產業(yè)運營平臺科技總監(jiān)，廈門大學半導體科學與技術學院客座教授Mark Neisser對光刻技術與半導體...
金剛石基GaN問世 化合物半導體行業(yè)進入第三波材料技術浪潮
材料往往因特定優(yōu)勢而聞名。金剛石正因為在室溫下具有最高的熱導率(2000W/m.K)，兼具帶隙寬、擊穿場強高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗...
SiC襯底切割是將晶棒切割為晶片，切割方式有內圓和外圓兩種。由于SiC價格高，外圓、內圓刀片厚度較大，切割損耗高、生產效率低，加大了襯底的成本。
通過對現有功率器件封裝方面文獻的總結，從器件封裝結構散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。
值得關注的還有機械諧振抑制技術和多軸驅動一體化技術的發(fā)展。目前一些主流品牌或高檔伺服系統都已具備這種諧振抑制功能，而且均能提供四到五個不同諧振范圍的機械...
在過去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導體技術中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應用。與硅基半導體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙（WBG）...
《拒絕內卷，伏達重新定義功率“觸頂”趨勢下的充電半導體技術演進路線圖》
與無線快充國家強制功率限制不同，有線快充目前還在繼續(xù)各家“自由發(fā)揮”，去年媒體定義的“30瓦 入門、40瓦 標配、60瓦旗艦”已經開始不太適合當下，80...
現在考慮一個簡單情況來比較SNR和NSD，如圖1所示。假設ADC時鐘頻率為75 MHz。對輸出數據運行快速傅里葉變換（FFT），圖中顯示的頻譜為從直流到...
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