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      標(biāo)簽　>　半導(dǎo)體材料

      半導(dǎo)體材料

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      半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

      文章：541個(gè) 瀏覽：30039次 帖子：3個(gè)

      半導(dǎo)體材料技術(shù)

      氣敏傳感器是使用什么材料

      氣敏傳感器是一種檢測(cè)特定氣體或氣體濃度的傳感器，廣泛應(yīng)用于環(huán)境監(jiān)測(cè)、工業(yè)安全、醫(yī)療健康等領(lǐng)域。氣敏傳感器的材料選擇對(duì)其性能至關(guān)重要，不同的材料對(duì)不同的氣...

      2024-09-20 標(biāo)簽：電極氣敏傳感器半導(dǎo)體材料 1607 0

      氮化鎵是什么充電器類(lèi)型

      氮化鎵不是充電器類(lèi)型，而是一種化合物。 氮化鎵（GaN）是一種重要的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)特性。近年來(lái)，氮化鎵材料在充電器領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用...

      2024-01-10 標(biāo)簽：充電器電子器件半導(dǎo)體材料 1594 0

      功率器件封裝新突破：納米銅燒結(jié)連接技術(shù)

      功率器件封裝新突破：納米銅燒結(jié)連接技術(shù)

      隨著第三代半導(dǎo)體材料如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的快速發(fā)展，功率器件的性能要求日益提高。傳統(tǒng)的封裝材料已無(wú)法滿(mǎn)足功率器件在高功率密度和高溫環(huán)境下...

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      霍爾式傳感器的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)

      霍爾式傳感器是一種利用霍爾效應(yīng)來(lái)檢測(cè)磁場(chǎng)變化的傳感器。它廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和科研領(lǐng)域，如位置檢測(cè)、速度測(cè)量、電流檢測(cè)等。 霍爾式傳感器的結(jié)構(gòu) 霍爾元件 ...

      2024-09-23 標(biāo)簽：霍爾式傳感器半導(dǎo)體材料霍爾效應(yīng) 1577 0

      晶片的主要原料是什么物質(zhì)

      晶片，也稱(chēng)為芯片或微芯片，是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組成部分。它們是由半導(dǎo)體材料制成的，用于執(zhí)行各種電子功能，如處理數(shù)據(jù)、存儲(chǔ)信息、控制電子設(shè)備等。晶片...

      2024-09-09 標(biāo)簽：電子元件半導(dǎo)體材料晶片 1572 0

      半導(dǎo)體材料的發(fā)展階段

      作為“二十世紀(jì)最重要的新四大發(fā)明”之一，半導(dǎo)體的重要性不言而喻。從電子產(chǎn)品到航空航天，從人工智能到生物醫(yī)學(xué)，半導(dǎo)體無(wú)處不在，深刻地塑造著我們生活的方方面面。

      2023-09-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料SiC 1571 0

      點(diǎn)接觸二極管與面接觸二極管的區(qū)別

      點(diǎn)接觸二極管與面接觸二極管是兩種不同類(lèi)型的二極管，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用領(lǐng)域等方面都存在一定的差異。 1. 結(jié)構(gòu)差異 點(diǎn)接觸二極管 點(diǎn)接觸二極管的結(jié)...

      2024-09-24 標(biāo)簽：面接觸二極管半導(dǎo)體材料接觸二極管 1562 0

      soa光放大器增益測(cè)試

      SOA（Semiconductor Optical Amplifier，半導(dǎo)體光放大器）是一種利用半導(dǎo)體材料的電光效應(yīng)來(lái)放大光信號(hào)的器件。它主要由P型和...

      2024-01-10 標(biāo)簽：放大器半導(dǎo)體材料光信號(hào) 1559 0

      光敏電阻和光敏二極管在應(yīng)用中的區(qū)別

      光敏電阻和光敏二極管都是光敏元件，它們?cè)趹?yīng)用中的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面： 工作原理不同： 光敏電阻是一種電阻值隨光照強(qiáng)度變化的元件，其工作原理是利用...

      2024-08-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料光敏二極管光敏電阻 1535 0

      圖像傳感器的原理是什么?

      圖像傳感器是一種將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的設(shè)備，廣泛應(yīng)用于攝影、視頻監(jiān)控、醫(yī)學(xué)成像、天文觀(guān)測(cè)等領(lǐng)域。圖像傳感器的原理涉及到光電效應(yīng)、電荷存儲(chǔ)、信號(hào)放大、模數(shù)...

      2024-10-12 標(biāo)簽：圖像傳感器半導(dǎo)體材料光信號(hào) 1512 0

      探針式電子溫度計(jì)由什么組成

      探針式電子溫度計(jì)是一種用于測(cè)量物體表面或內(nèi)部溫度的高精度儀器，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、醫(yī)療、科研等領(lǐng)域。它由多個(gè)精密部件組成，以確保測(cè)量的準(zhǔn)確性和可靠性。 一、...

      2024-09-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料探針電子溫度計(jì) 1495 0

      氮化鎵芯片研發(fā)過(guò)程

      氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導(dǎo)體材料，在目前的電子設(shè)備中逐漸得到應(yīng)用。它以其優(yōu)異的性能和特點(diǎn)備受研究人員的關(guān)注和追捧。在現(xiàn)代科技的進(jìn)步中，氮化...

      2024-01-10 標(biāo)簽：芯片電子設(shè)備半導(dǎo)體材料 1459 0

      霍爾效應(yīng)傳感器的原則是怎樣的

      霍爾效應(yīng)傳感器的原則是怎樣的

      許多年來(lái)，集成電路制造商一直在致力于向市場(chǎng)提供硅霍爾效應(yīng)器件。

      2020-03-02 標(biāo)簽：傳感器半導(dǎo)體材料 1445 0

      霍爾開(kāi)關(guān)傳感器工作原理是什么

      霍爾效應(yīng)傳感器是一種利用霍爾效應(yīng)來(lái)檢測(cè)磁場(chǎng)變化的傳感器?；魻栃?yīng)是指當(dāng)導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料置于垂直于電流方向的磁場(chǎng)中時(shí)，會(huì)在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上產(chǎn)生電壓...

      2024-09-23 標(biāo)簽：電流半導(dǎo)體材料霍爾效應(yīng) 1437 0

      解讀用于毫米波的半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體技術(shù)

      運(yùn)行在很高頻率下的電子器件所表現(xiàn)的性能主要與：1)組成半導(dǎo)體的材料特性和2)器件的結(jié)構(gòu)有關(guān)[3]。Si，GaAs 和InP 是目前具有截止頻率在300G...

      2023-01-10 標(biāo)簽：CMOS振蕩器晶體管 1389 0

      華晶溫控半導(dǎo)體制冷模組-精準(zhǔn)控溫高效制冷

      華晶溫控半導(dǎo)體制冷模組-精準(zhǔn)控溫高效制冷

      隨著人們對(duì)美的追求不斷提升，醫(yī)美行業(yè)迅速發(fā)展，各種先進(jìn)技術(shù)和設(shè)備不斷涌現(xiàn)。半導(dǎo)體制冷技術(shù)因其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，在醫(yī)美行業(yè)中逐漸嶄露頭角，為醫(yī)美治療的精準(zhǔn)性...

      2024-12-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體制冷醫(yī)美器械 1387 0

      硅光電池板是半導(dǎo)體還是超導(dǎo)體

      硅光電池板，通常指的是太陽(yáng)能電池板，它們是由半導(dǎo)體材料制成的，用于將太陽(yáng)光轉(zhuǎn)換為電能。 1. 硅光電池板的工作原理 硅光電池板的核心是半導(dǎo)體材料，通常是...

      2024-09-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料超導(dǎo)體 1371 0

      普通發(fā)光二極管和激光二極管如何區(qū)分

      在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時(shí)會(huì)把多余的能量以光的形式釋放出來(lái)，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。PN結(jié)加反向電壓，少數(shù)載流子難...

      2023-03-17 標(biāo)簽：發(fā)光二極管PN結(jié)半導(dǎo)體材料 1366 0

      什么是碳化硅SiC？碳化硅的特性分析

      近年來(lái)，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說(shuō)法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。這是因?yàn)?，為了?yīng)對(duì)全球共通的“節(jié)...

      2023-11-29 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻半導(dǎo)體材料SiC 1340 0

      半導(dǎo)體材料特性講解

      半導(dǎo)體材料特性講解

      許多材料的一個(gè)重要特性是導(dǎo)電能力(即:支持電流流動(dòng)的能力)。電流就是流動(dòng)的電子。導(dǎo)電發(fā)生在元件和材料中質(zhì)子對(duì)外環(huán)電子的吸引力相對(duì)較弱的情況下，這時(shí)自由電...

      2023-11-10 標(biāo)簽：電容器半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 1321 0

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        　　手機(jī)拆解過(guò)程，展示手機(jī)內(nèi)部零件及結(jié)構(gòu)。一輛報(bào)廢汽車(chē)的廢電瓶、廢油液進(jìn)行無(wú)害化處理，再拆解出可以利用的零部件后，整個(gè)車(chē)架被送進(jìn)一個(gè)巨大的破碎“神器”內(nèi)，瞬間進(jìn)行拆解破碎。
      • 3D打印
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        EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來(lái)是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過(guò)去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問(wèn)題，國(guó)產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。
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        半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕，布線(xiàn)，制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見(jiàn)的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車(chē)有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國(guó)企業(yè)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（D-RAM）市場(chǎng)占上風(fēng)。
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        柔性顯示是使用了PHOLED磷光性O(shè)LED技術(shù)，這種技術(shù)的特點(diǎn)是，低功耗，體積小，直接可視柔性。
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        梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠(chǎng)AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來(lái)到三星，現(xiàn)在為中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)。
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        +關(guān)注
        紫光展銳是我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)，以生態(tài)為核心戰(zhàn)略，高舉5G和AI兩面技術(shù)旗幟，以?xún)r(jià)值、未來(lái)、服務(wù)為三個(gè)指向，為個(gè)人與社會(huì)的智能化服務(wù)。
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