Vishay推出業(yè)內(nèi)首款可邦定的薄膜片式電阻---CS44系列

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出業(yè)內(nèi)首款可邦定的薄膜片式電阻---CS44系列

2012-10-18 標(biāo)簽：Vishay半導(dǎo)體芯片薄膜片式電阻 1136 0

富士通半導(dǎo)體推出可支持10種不同接口的接口橋接芯片MB86E631

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，新推出接口橋接芯片“MB86E631”，該芯片內(nèi)部集成了一個(gè)雙核ARM? Cortex?-A9處理器與許多不同接口...

2012-10-17 標(biāo)簽：富士通半導(dǎo)體半導(dǎo)體芯片接口橋接芯片 1486 0

TDK新型的E-系列多層壓敏電阻確保汽車電子設(shè)備安全

TDK公司已經(jīng)擴(kuò)大了愛普科斯(EPCOS)的多層壓敏電阻產(chǎn)品范圍，新型的E-系列可確保汽車電子設(shè)備免受電流電涌脈沖的影響。

2012-10-17 標(biāo)簽：汽車電子壓敏電阻TDK 1461 0

臺(tái)積電推出20奈米及CoWoS參考流程協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)下一世代晶片設(shè)計(jì)

臺(tái)積公司宣布成功推出支援20奈米制程與CoWoS技術(shù)的設(shè)計(jì)參考流程，展現(xiàn)了該公司在開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）架構(gòu)中支援20奈米與CoWoS技術(shù)的設(shè)計(jì)環(huán)境已準(zhǔn)備就緒。

2012-10-11 標(biāo)簽：臺(tái)積電20nm半導(dǎo)體芯片 1219 0

Molecular Imprints將為半導(dǎo)體大批量制造提供先進(jìn)光刻設(shè)備

奈米圖案成形系統(tǒng)與解決方案的市場(chǎng)與技術(shù)廠商Molecular Imprints， Inc. （MII） 宣佈，該公司已經(jīng)獲得一份包含多個(gè)壓印範(fàn)本的採(cǎi)購(gòu)訂...

2012-09-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器光刻技術(shù)半導(dǎo)體芯片 1310 0

挑戰(zhàn)行業(yè)極限 三星推出128GB移動(dòng)存儲(chǔ)芯片

三星最近打破了目前市場(chǎng)上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲(chǔ)芯片。

2012-09-21 標(biāo)簽：三星電子存儲(chǔ)芯片半導(dǎo)體芯片 1166 0

Vishay為L(zhǎng)-NS系列低阻值表面貼裝薄膜片式電阻擴(kuò)充外形尺寸

Vishay Intertechnology, Inc推出采用0508、0612和1225外形尺寸的新款器件，擴(kuò)充其L-NS系列低阻值表面貼裝薄膜片式電阻。

2012-09-20 標(biāo)簽：Vishay表面貼裝薄膜電阻 1368 0

新思科技28納米DesignWare IP贏得第100項(xiàng)設(shè)計(jì)

新思科技公司(Synopsys, Inc.， 納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼：SNPS)日前宣布： 該公司針對(duì)多家領(lǐng)先的晶圓代工廠優(yōu)化的28納米工藝DesignW...

2012-09-20 標(biāo)簽：28納米新思科技DesignWare 1338 0

恩智浦半導(dǎo)體NXP擴(kuò)展高速接口ESD保護(hù)產(chǎn)品組合

恩智浦?jǐn)U展高速接口ESD保護(hù)產(chǎn)品組合，15款電路保護(hù)器件提供超低鉗位電壓和超低電容的獨(dú)特組合。

2012-09-17 標(biāo)簽：NXP恩智浦ESD保護(hù) 1428 0

Vishay發(fā)布10款溫度范圍擴(kuò)展至+15 5℃的新型IHLP低高 度、高電流電感器

Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出10款溫度范圍擴(kuò)展至+155℃的新型IHLP?低高度、高電流電感器，可用于汽車和商業(yè)應(yīng)...

2012-09-13 標(biāo)簽：VishayIHLP電流電感器 1603 0

德州儀器(TI)推出最靈活高集成時(shí)鐘抖動(dòng)清除器/乘法器

德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界最靈活的高集成時(shí)鐘抖動(dòng)清除器 (cleaner) / 乘法器 (multiplier)，可充分滿足有線通信與測(cè)量測(cè)試應(yīng)用需求。

2012-09-10 標(biāo)簽：德州儀器TI時(shí)鐘抖動(dòng) 1629 0

Cadence首個(gè)DDR4 Design IP解決方案在28納米級(jí)芯片上得到驗(yàn)證

Cadence宣布業(yè)內(nèi)首個(gè)DDR4 Design IP解決方案在28納米級(jí)芯片上得到驗(yàn)證

2012-09-10 標(biāo)簽：Cadence28納米DDR4 1707 0

意法半導(dǎo)體推出能識(shí)別樓層的壓力傳感器

知名半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐交所代碼：STM)日前推出一款能夠精確測(cè)量手機(jī)等便攜設(shè)備海拔高度的壓力傳感器

2012-09-07 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體壓力傳感器半導(dǎo)體芯片 862 0

盛群半導(dǎo)體推出HT45F23A Tinypower Flash MCU with OPA

盛群半導(dǎo)體不斷追求于MCU領(lǐng)域的卓越與精進(jìn)，繼已推出的多款Flash MCU后，正式推出超低功耗的A/D型Flash MCU with OPA HT45F23A

2012-09-05 標(biāo)簽：盛群半導(dǎo)體半導(dǎo)體芯片HT45F23A 2309 0

IR推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列IRG7RC10FD

國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)...

2012-09-05 標(biāo)簽：IRIGBT晶體管 1219 0

晶華微電子推出數(shù)字溫度傳感器芯片SD5020和SD5003

杭州晶華微電子(SDIC)最近推出系列數(shù)字溫度傳感器芯片，該系列芯片功耗低，測(cè)溫時(shí)功耗只有170μA;測(cè)量精度高

2012-08-31 標(biāo)簽：溫度傳感器半導(dǎo)體芯片晶華微電子 2927 0

LSI推出PCIe閃存LSI Nytro MegaRAID卡

LSI公司(NYSE：LSI)日前宣布面向全球渠道推出PCIe閃存LSI Nytro MegaRAID卡，為直連存儲(chǔ)(DAS)提供簡(jiǎn)單、透明和低成本的應(yīng)...

2012-08-30 標(biāo)簽：閃存PCIe半導(dǎo)體芯片 1621 0

Vishay發(fā)布新款高精度薄膜SMD環(huán)繞片式電阻陣列PRAHT

Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新系列適用于高溫鉆井和航空應(yīng)用的高精度薄膜SMD環(huán)繞片式電阻陣列---PRAHT

2012-08-30 標(biāo)簽：VishaySMD片式電阻 1173 0

TE推出用于便攜消費(fèi)類電子產(chǎn)品的PolyZen CE系列電路保護(hù)器件

TE推出用于平板電腦和其它便攜消費(fèi)類電子產(chǎn)品的PolyZen CE (消費(fèi)類電子)系列電路保護(hù)器件。

2012-08-29 標(biāo)簽：TE消費(fèi)電子產(chǎn)品電路保護(hù)器件 1297 0