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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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學(xué)術(shù)界和工業(yè)界已經(jīng)提出將二維(2D)過(guò)渡金屬二摻雜化合物(TMD)半導(dǎo)體作為未來(lái)取代物理柵極長(zhǎng)度小于10納米的硅晶體管的一種選擇。在這篇評(píng)論中,我們分享...
集成芯片是現(xiàn)代電子技術(shù)中的重要組成部分,為電子設(shè)備的設(shè)計(jì)和應(yīng)用提供了強(qiáng)大的支持,集成芯片的作用和用途十分廣泛且重要。
2024-03-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體物聯(lián)網(wǎng)集成芯片 1979 0
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件,具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)。
為什么尺寸縮小并沒(méi)按應(yīng)有的速度不斷進(jìn)步呢?為什么高端硅成本依然如此昂貴?答案就在于芯片設(shè)計(jì)的復(fù)雜性——如今的芯片設(shè)計(jì)層數(shù)繁多,各層之間還必須無(wú)縫連接。
2020-08-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體制造 1975 0
IGBT全稱(chēng)叫做絕緣柵雙極型晶體管,實(shí)際上就是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管和雙極型晶體管結(jié)合到一起,一種非常簡(jiǎn)單樸素的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,卻讓器件性質(zhì)發(fā)生了質(zhì)的變化,是科技創(chuàng)新...
在上周的推文中,我們回顧了半導(dǎo)體材料發(fā)展的前兩個(gè)階段:以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。(了...
2023-09-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 1972 0
半導(dǎo)體行業(yè)之ICT技術(shù)簡(jiǎn)介
有兩個(gè)因素影響CMOS集成電路的速度,即柵延遲和互連延遲。柵延遲是指MOSFET開(kāi)關(guān)的時(shí)間;互連延遲由芯片設(shè)計(jì)、工藝技術(shù),以及互連的導(dǎo)體和電介質(zhì)材料決定。
2023-07-31 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì) 1971 0
半導(dǎo)體材料能產(chǎn)生光的基礎(chǔ)知識(shí)早在50年以前就已被人們所認(rèn)識(shí),1962年通用電氣公司尼克?何倫亞克(NickHolonyakJr.)研制成功了第一個(gè)在實(shí)際...
基于白光干涉測(cè)量的非接觸光學(xué)測(cè)量方法評(píng)估化學(xué)機(jī)械拋光面
化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)在半導(dǎo)體工業(yè)內(nèi)部得到了廣泛的應(yīng)用,化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)加工處理的質(zhì)量不僅要通過(guò)最終的表面平面度,而且也要通過(guò)拋光時(shí)人為造成缺陷的...
一種二維材料半導(dǎo)體晶體管多柵結(jié)構(gòu)
背柵控制隨著納米線直徑的增加而逐漸減?。唬╟)器件具有大開(kāi)態(tài)電流和小的SS。
SiC范圍內(nèi)的GaN和熱感知簡(jiǎn)化了X波段雷達(dá)設(shè)計(jì)
性能參數(shù)因應(yīng)用而異,雷達(dá)系統(tǒng)可能需要在從L波段以下到Ka波段以上的任何頻率下工作。8.5 至 11 GHz X 頻段正迅速成為主導(dǎo)頻率范圍,可用于海上導(dǎo)...
什么是車(chē)規(guī)等級(jí)芯片?一顆***想要上車(chē)有多難?
此文先重點(diǎn)介紹,什么是車(chē)規(guī)等級(jí)芯片,以及一顆芯片到底要經(jīng)歷哪些驗(yàn)證才可以裝車(chē)并稱(chēng)之為車(chē)規(guī)等級(jí)芯片。
熱設(shè)計(jì)是什么 熱設(shè)計(jì)介紹
熱設(shè)計(jì)專(zhuān)注于電子設(shè)備、系統(tǒng)和結(jié)構(gòu)在熱環(huán)境下的性能。它涉及對(duì)產(chǎn)品或系統(tǒng)的熱效應(yīng)進(jìn)行分析、預(yù)測(cè)和控制,確保它們?cè)诎踩陀行У臏囟确秶鷥?nèi)運(yùn)行。熱設(shè)計(jì)對(duì)于保障電...
2024-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電子設(shè)備熱設(shè)計(jì) 1961 0
一體化安全服務(wù)平臺(tái) integrated Security Services Platform (iSSP)
Secure-IC的一體化安全服務(wù)平臺(tái)(iSSP)可以提供全面的端到端安全解決方案,用于從云端供應(yīng)、部署和管理設(shè)備組。
2023-01-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體嵌入式系統(tǒng)安全I(xiàn)P 1961 0
基于無(wú)機(jī)塑性材料的超薄熱電器件實(shí)物圖及器件性能
該研究為柔性熱電技術(shù)提供了全新的解決方案,能將人體或環(huán)境熱量快速有效地轉(zhuǎn)換成電能,具有穩(wěn)定可靠、長(zhǎng)壽命、超薄、可彎曲、全天候工作等優(yōu)點(diǎn),有望為柔性電子提...
電弧離子鍍是一種高能沉積工藝?;w為陽(yáng)極,電弧靶為陰極?;陉帢O真空電弧放電原理進(jìn)行鍍膜。
2023-08-17 標(biāo)簽:led半導(dǎo)體機(jī)器視覺(jué) 1954 0
反向雪崩擊穿和正向浪涌魯棒性是半導(dǎo)體功率器件在高電場(chǎng)和大電流密度等極端條件下非平衡載流子動(dòng)力學(xué)的基本特征,也是所有元器件在電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通、電網(wǎng)和新能...
2023-07-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)功率二極管半導(dǎo)體 1952 0
通過(guò)利用半導(dǎo)體技術(shù)幫助保健醫(yī)療行業(yè)實(shí)現(xiàn)低成本治療方案
沒(méi)有其它任何一個(gè)領(lǐng)域比醫(yī)療保健行業(yè)更加強(qiáng)烈地感受到變革的壓力。醫(yī)療機(jī)構(gòu)和服務(wù)部門(mén)迫切需要降低成本,但難題在于不能影響病人的生活質(zhì)量。減少員工、設(shè)備成本和...
恩智浦談未來(lái)10年半導(dǎo)體行業(yè)的驅(qū)動(dòng)主力
#過(guò)去的20年里,半導(dǎo)體市場(chǎng)大規(guī)模增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力是筆記本電腦、臺(tái)式電腦和家庭影音娛樂(lè)系統(tǒng);在隨后的第二個(gè)10年里,手機(jī)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和云計(jì)算組成了新的“三...
2021-02-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體云計(jì)算數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 1950 0
SiC相較于Si的優(yōu)勢(shì)是什么?碳化硅的實(shí)際應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
如今,大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅(Si)為基材料,但近年來(lái),一個(gè)相對(duì)新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅,也稱(chēng)為SiC。目前,SiC主要應(yīng)用于M...
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