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      標簽　>　半導體

      半導體

      半導體

      +關(guān)注331人關(guān)注

      半導體（ semiconductor），指常溫下導電性能介于導體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極管就是采用半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。

      文章：25447個 瀏覽：236612次 帖子：1064個

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      單晶硅刻蝕用來形成相鄰晶體管間的絕緣區(qū)，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。

      2023-02-13 標簽：多晶硅半導體晶體管 1.1萬 0

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      半導體是導電能力介于導體與絕緣體之間的一種物體。純凈的半導體是四價元素，呈晶體結(jié)構(gòu)，內(nèi)部原子按一定規(guī)律整齊排列。在高溫或光照下，其電子沖破束縛，成為自由...

      2023-02-13 標簽：半導體金屬氧化物晶體結(jié)構(gòu) 5654 0

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      晶體二極管簡稱二極管，是在本征半導體基片上利用摻雜生成一個P區(qū)和一個N區(qū)，并在P區(qū)和N區(qū)安上電極引線，再用外殼(管殼)封裝加固后構(gòu)成的。

      2023-02-13 標簽：半導體封裝晶體二極管 5578 0

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      由于界面固定電荷沒有充放電效應，所以利用回滯曲線或變頻方法無法提供界面固定電荷信息，平帶電壓VFB漂移是常用的用于計算界面固定電荷的方法。本文首先結(jié)合能...

      2023-02-13 標簽：半導體GaNHEMT 2981 0

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      二次離子質(zhì)譜是利用質(zhì)譜法分辨一次離子入射到測試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。二次離子質(zhì)譜儀可以進行包括氫在內(nèi)的全元素...

      2023-02-13 標簽：半導體晶體管氮化鎵 889 0

      電子設備中半導體元器件技術(shù)發(fā)展趨勢的變化和熱設計

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      上一篇大致介紹了半導體元器件熱設計的重要性。本文我們希望就半導體元器件的熱設計再進行一些具體說明。近年來，“小型化”、“高功能化”、“設計靈活性”已經(jīng)成...

      2023-02-13 標簽：半導體元器件電子設備 2123 0

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      第三代半導體器件CaN高電子遷移率晶體管（HEMT）具備較高的功率密度，同時具有較強的自熱效應，在大功率工作條件下會產(chǎn)生較高的結(jié)溫。根據(jù)半導體器件可靠性...

      2023-02-13 標簽：半導體晶體管HEMT 2825 0

      氮化鎵技術(shù)是什么意思

      氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...

      2023-02-12 標簽：半導體發(fā)光二極管GaN 4298 0

      氮化鎵芯片優(yōu)點

      作為第三代半導體的核心材料之一，GaN其主要有三個特性——開關(guān)頻率高、禁帶寬度大、更低的導通電阻。它在充電器上的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在：體積小，重量輕；功率密度...

      2023-02-12 標簽：電阻半導體GaN 1871 0

      硅基氮化鎵用處

      硅基氮化鎵作為第三代化合物半導體材料，主要應用于功率器件，可有效縮小功率器件體積，提高功率器件效率，對傳統(tǒng)硅材料功率器 件進行替代。

      2023-02-12 標簽：半導體功率器件硅基氮化鎵 791 0

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      　　肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導...

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      　　二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 。二極管有兩個電極，正極，又叫陽極;負極，又叫陰極，給二極管兩級間加上正向電壓時，二極管導通...

      2023-02-12 標簽：二極管半導體電極 9256 0

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      　　雙極型晶體管是一種流控器件，電子和空穴同時參與導電。發(fā)射區(qū)摻雜濃度最高，基區(qū)次之，集電區(qū)最小(但和金屬電極接觸處的一小區(qū)域半導體高摻雜，是為了避免形...

      2023-02-12 標簽：三極管半導體晶體管 8512 0

      硅基氮化鎵的特性及其應用有哪些？

      在半導體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化為提高射頻性能敞開了大門，其中包括增加功率放大器的功率密度，以及縮小器件尺寸并最終節(jié)省系統(tǒng)空間。

      2023-02-12 標簽：半導體功率放大器氮化鎵 1033 0

      什么是硅基氮化鎵？硅基氮化鎵有哪些突出特性？

      硅基氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導體，屬于所謂寬禁帶半導體之列。

      2023-02-12 標簽：CMOS半導體硅基氮化鎵技術(shù) 1339 0

      伺服驅(qū)動器和變頻器兩者有何異同？

      變頻器和伺服驅(qū)動器作為傳動系統(tǒng)中應用最廣泛的驅(qū)動設備，兩者穩(wěn)穩(wěn)地占據(jù)著驅(qū)動領域的絕大部分地盤。

      2023-02-12 標簽：半導體變頻器變頻電機 1.2萬 0

      誰發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導體材料？這種材料的特性是什么？

      氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導率等特點，寬禁帶半導體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...

      2023-02-12 標簽：半導體氮化鎵MOCVD 1652 0

      半導體保險絲—一種暗藏諸多門道的熔斷器

      保險絲選型在之前文章有介紹過，選型主要依據(jù)為工作電流、工作電壓、環(huán)境溫度、浪涌電流以及分斷能力，相對而言比較簡單一些，方法同樣適用于工業(yè)熔斷器。在熔斷器...

      2023-02-12 標簽：電流半導體保險絲 3556 0

      具有高居里溫度和強磁晶各向異性的雙極性VSi?As?和VGe?As?單層的預測

      浙江工業(yè)大學王垚老師課題組（第一作者：張金森）采用密度泛函理論和鴻之微Device Studio軟件預測出雙極性VSi2As4和VGe2As4單層具有高...

      2023-02-11 標簽：半導體磁性材料納米器件 1449 0

      碳化硅二極管是什么意思 碳化硅二極管如何測量好壞

      　　碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號稱反向恢復時間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表...

      2023-02-10 標簽：二極管半導體開關(guān)電源 3179 0

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